Сапунов Георгий Андреевич

к.ф.-м.н.

  • Санкт-Петербургский Академический университет
Необходимо авторизоваться.
Число
публикаций
Общее число
цитирований
Индекс
Хирша
34
164
8
34
168
8

Области научных интересов

  • AIII-BV на Si
  • Машинное обучение
  • Молекулярно-пучковая эпитаксия
  • Нитевидные нанокристаллы

Навыки

  • Python
  • Атомно-силовая микроскопия (АСМ)
  • КР-спектроскопия
  • Молекулярно-пучковая эпитаксия

Образование

ВУЗ
Санкт-Петербургский Академический университет (СПбАУ)
Факультет
Центр нанотехнологий
Тип обучения
Аспирантура
Годы
2016 — нв
ВУЗ
Санкт-Петербургский Академический университет (СПбАУ)
Факультет
Центр нанотехнологий
Тип обучения
Магистратура
Годы
2014 — нв
ВУЗ
Тамбовский государственный технический университет
Факультет
Технологический институт
Тип обучения
Бакалавриат
Годы
2010 — нв
Компания/Организация
Лаборатория возобновляемых источников энергии Академический университет им. Ж.И. Алфёрова
Должность
Младший научный сотрудник
Тип занятости
Полная
Годы
2016 — 2021
Self-consistent modeling of MBE self-catalyzed GaAs nanowire growth
Fedina S.V., Koryakin A.A., Fedorov V.V., Sapunov G.A., Mukhin I.S.
Q4 Journal of Physics: Conference Series 2021 цитирований: 0
Open Access
Open access
Processes of formation of epitaxial arrays of self-catalytic GaP nanowires on Si (111)
Fedina S.V., Fedorov V.V., Berdnikov Y.S., Sapunov G.A., Mukhin I.S.
Q4 Journal of Physics: Conference Series 2021 цитирований: 0
Open Access
Open access
Work function tailoring in gallium phosphide nanowires
Sharov V., Alekseev P., Fedorov V., Nestoklon M., Ankudinov A., Kirilenko D., Sapunov G., Koval O., Cirlin G., Bolshakov A., Mukhin I.
Q1 Applied Surface Science 2021 цитирований: 1
Tailoring Morphology and Vertical Yield of Self-Catalyzed GaP Nanowires on Template-Free Si Substrates
Fedorov V.V., Berdnikov Y., Sibirev N.V., Bolshakov A.D., Fedina S.V., Sapunov G.A., Dvoretckaia L.N., Cirlin G., Kirilenko D.A., Tchernycheva M., Mukhin I.S.
Q1 Nanomaterials 2021 цитирований: 3
Open Access
Open access
XRD Evaluation of Wurtzite Phase in MBE Grown Self-Catalyzed GaP Nanowires
Koval O.Y., Fedorov V.V., Bolshakov A.D., Eliseev I.E., Fedina S.V., Sapunov G.A., Udovenko S.A., Dvoretckaia L.N., Kirilenko D.A., Burkovsky R.G., Mukhin I.S.
Q1 Nanomaterials 2021 цитирований: 4
Open Access
Open access
Single GaN Nanowires for Extremely High Current Commutation
Shugurov K., Mozharov A., Sapunov G., Fedorov V., Tchernycheva M., Mukhin I.
Q1 Physica Status Solidi - Rapid Research Letters 2021 цитирований: 1
Epitaxial synthesis of single-domain gallium phosphide on silicon
Sapunov G.A., Koval O.Y., Fedorov V.V., Bolshakov A.D.
Q4 Journal of Physics: Conference Series 2020 цитирований: 0
Open Access
Open access
Structural and Optical Properties of Self-Catalyzed Axially Heterostructured GaPN/GaP Nanowires Embedded into a Flexible Silicone Membrane
Koval O.Y., Fedorov V.V., Bolshakov A.D., Fedina S.V., Kochetkov F.M., Neplokh V., Sapunov G.A., Dvoretckaia L.N., Kirilenko D.A., Shtrom I.V., Islamova R.M., Cirlin G.E., Tchernycheva M., Serov A.Y., Mukhin I.S.
Q1 Nanomaterials 2020 цитирований: 9
Open Access
Open access
Structural and optical characterization of dilute phosphide planar heterostructures with high nitrogen content on silicon
Koval O.Y., Fedorov V.V., Kryzhanovskaya N.V., Sapunov G.A., Kirilenko D.A., Pirogov E.V., Filosofov N.G., Serov A.Y., Shtrom I.V., Bolshakov A.D., Mukhin I.S.
Q1 CrystEngComm 2020 цитирований: 5
Hydrogen passivation of the n-GaN nanowire / p-Si heterointerface.
Shugurov K.Y., Mozharov A.M., Bolshakov A.D., Fedorov V.V., Sapunov G.A., Shtrom I.V., Uvarov A.V., Kudryashov D.A., Baranov A.I., Yu Mikhailovskii V., Neplokh V.V., Tchernycheva M., Cirlin G.E., Mukhin I.S.
Q1 Nanotechnology 2020 цитирований: 7
Controllable antiphase domain density in dilute nitride GaPN/GaP heterostructures on silicon
Fedorov V.V., Bolshakov A.D., Koval O.Y., Sapunov G.A., Sobolev M.S., Pirogov E.V., Kirilenko D.A., Mozharov A.M., Mukhin I.S.
Q4 Journal of Physics: Conference Series 2020 цитирований: 0
Open Access
Open access
Synthesis and characterization of GaPN/GaP heterostructures grown on silicon (001)
Koval O.Y., Sapunov G.A., Fedorov V.V.
Q4 Journal of Physics: Conference Series 2020 цитирований: 0
Open Access
Open access
Conductive AFM study of the electronic properties of individual epitaxial GaN nanowires
Sharov V., Bolshakov A., Fedorov V., Shugurov K.Y., Mozharov A.M., Sapunov G.A., Mukhin I.S.
Q4 IOP Conference Series: Materials Science and Engineering 2019 цитирований: 0
Synthesis and Optical Characterization of GaAs Epitaxial Nanoparticles on Silicon
Sapunov G.A., Fedorov V.V., Koval O.Y., Sharov V.A., Dvoretckaia L.N., Mukhin I.S., Bolshakov A.D.
Q1 Crystal Growth and Design 2019 цитирований: 1
Growth and optical properties of GaPN/GaP heterostructure nanowire array
Koval O.Y., Sapunov G.A., Fedorov V.V., Mukhin I.S.
Q4 Journal of Physics: Conference Series 2019 цитирований: 1
Open Access
Open access
Иван Сергеевич Мухин, Дмитрий Александрович Кудряшов, Алексей Михайлович Можаров, Алексей Дмитриевич Большаков, Георгий Андреевич Сапунов, Владимир Викторович Федоров
RU2711824C1, 2020