том 30 издание 18 страницы 1901971

Engineering Field Effect Transistors with 2D Semiconducting Channels: Status and Prospects

Тип публикацииJournal Article
Дата публикации2019-07-04
SCImago Q1
Tоп 10% SCImago
WOS Q1
БС1
SJR5.022
CiteScore27.7
Impact factor19
ISSN1616301X, 16163028
Electronic, Optical and Magnetic Materials
Electrochemistry
Condensed Matter Physics
Biomaterials
Для доступа к списку цитирований публикации необходимо авторизоваться.

Топ-30

Журналы

1
2
3
4
Nano Research
4 публикации, 4.44%
Advanced Functional Materials
4 публикации, 4.44%
Advanced Materials
4 публикации, 4.44%
ACS Applied Electronic Materials
4 публикации, 4.44%
Small
3 публикации, 3.33%
ACS Nano
3 публикации, 3.33%
Applied Physics Letters
3 публикации, 3.33%
Chemosensors
2 публикации, 2.22%
InfoMat
2 публикации, 2.22%
ACS applied materials & interfaces
2 публикации, 2.22%
ACS Applied Nano Materials
2 публикации, 2.22%
Nanoscale
2 публикации, 2.22%
Nanoscale Advances
2 публикации, 2.22%
Journal of Materials Chemistry C
2 публикации, 2.22%
IEEE Transactions on Electron Devices
2 публикации, 2.22%
Nano Letters
2 публикации, 2.22%
Advanced Optical Materials
2 публикации, 2.22%
Applied Surface Science
2 публикации, 2.22%
Advanced Science
1 публикация, 1.11%
Polymers
1 публикация, 1.11%
Sensors
1 публикация, 1.11%
Nature Communications
1 публикация, 1.11%
Science China: Physics, Mechanics and Astronomy
1 публикация, 1.11%
Frontiers of Physics
1 публикация, 1.11%
Journal of Materials Science
1 публикация, 1.11%
Nano Materials Science
1 публикация, 1.11%
iScience
1 публикация, 1.11%
Journal of Semiconductors
1 публикация, 1.11%
2D Materials
1 публикация, 1.11%
1
2
3
4

Издатели

5
10
15
20
25
Wiley
23 публикации, 25.56%
American Chemical Society (ACS)
18 публикаций, 20%
Springer Nature
11 публикаций, 12.22%
Royal Society of Chemistry (RSC)
8 публикаций, 8.89%
Elsevier
7 публикаций, 7.78%
MDPI
6 публикаций, 6.67%
AIP Publishing
5 публикаций, 5.56%
IOP Publishing
4 публикации, 4.44%
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
4 публикации, 4.44%
Science in China Press
1 публикация, 1.11%
ifmbe proceedings
1 публикация, 1.11%
American Physical Society (APS)
1 публикация, 1.11%
Autonomous Non-profit Organization Editorial Board of the journal Uspekhi Khimii
1 публикация, 1.11%
5
10
15
20
25
  • Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
  • Статистика публикаций обновляется еженедельно.

Вы ученый?

Создайте профиль, чтобы получать персональные рекомендации коллег, конференций и новых статей.
 Войти с ORCID
Метрики
90
Поделиться
Цитировать
ГОСТ |
Цитировать
Jing X. et al. Engineering Field Effect Transistors with 2D Semiconducting Channels: Status and Prospects // Advanced Functional Materials. 2019. Vol. 30. No. 18. p. 1901971.
ГОСТ со всеми авторами (до 50) Скопировать
Jing X., Illarionov Y. Y., Yalon E., Zhou P., Grasser T., Shi Y., Lanza M. Engineering Field Effect Transistors with 2D Semiconducting Channels: Status and Prospects // Advanced Functional Materials. 2019. Vol. 30. No. 18. p. 1901971.
RIS |
Цитировать
TY - JOUR
DO - 10.1002/adfm.201901971
UR - https://doi.org/10.1002/adfm.201901971
TI - Engineering Field Effect Transistors with 2D Semiconducting Channels: Status and Prospects
T2 - Advanced Functional Materials
AU - Jing, Xu
AU - Illarionov, Yury Yuryevich
AU - Yalon, Eilam
AU - Zhou, Peng
AU - Grasser, Tibor
AU - Shi, Yuanyuan
AU - Lanza, Mario
PY - 2019
DA - 2019/07/04
PB - Wiley
SP - 1901971
IS - 18
VL - 30
SN - 1616-301X
SN - 1616-3028
ER -
BibTex |
Цитировать
BibTex (до 50 авторов) Скопировать
@article{2019_Jing,
author = {Xu Jing and Yury Yuryevich Illarionov and Eilam Yalon and Peng Zhou and Tibor Grasser and Yuanyuan Shi and Mario Lanza},
title = {Engineering Field Effect Transistors with 2D Semiconducting Channels: Status and Prospects},
journal = {Advanced Functional Materials},
year = {2019},
volume = {30},
publisher = {Wiley},
month = {jul},
url = {https://doi.org/10.1002/adfm.201901971},
number = {18},
pages = {1901971},
doi = {10.1002/adfm.201901971}
}
MLA
Цитировать
Jing, Xu, et al. “Engineering Field Effect Transistors with 2D Semiconducting Channels: Status and Prospects.” Advanced Functional Materials, vol. 30, no. 18, Jul. 2019, p. 1901971. https://doi.org/10.1002/adfm.201901971.
Ошибка в публикации?