A water-gate organic field-effect transistor.
Тип публикации: Journal Article
Дата публикации: 2010-05-20
SCImago Q1
Tоп 10% SCImago
WOS Q1
БС1
SJR: 8.266
CiteScore: 39.4
Impact factor: 26.8
ISSN: 09359648, 15214095
PubMed ID:
20491093
General Materials Science
Mechanical Engineering
Mechanics of Materials
Краткое описание
High-dielectric-constant insulators, organic monolayers, and electrolytes have been successfully used to generate organic field-effect transistors operating at low voltages. Here, we report on a de ...
Найдено
Ничего не найдено, попробуйте изменить настройки фильтра.
Для доступа к списку цитирований публикации необходимо авторизоваться.
Для доступа к списку профилей, цитирующих публикацию, необходимо авторизоваться.
Топ-30
Журналы
|
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
|
|
|
Organic Electronics
19 публикаций, 6.71%
|
|
|
Advanced Materials
15 публикаций, 5.3%
|
|
|
ACS applied materials & interfaces
11 публикаций, 3.89%
|
|
|
Applied Physics Letters
9 публикаций, 3.18%
|
|
|
Journal of Materials Chemistry C
9 публикаций, 3.18%
|
|
|
Sensors
8 публикаций, 2.83%
|
|
|
Advanced Electronic Materials
8 публикаций, 2.83%
|
|
|
Advanced Materials Technologies
7 публикаций, 2.47%
|
|
|
Biosensors and Bioelectronics
6 публикаций, 2.12%
|
|
|
Advanced Functional Materials
6 публикаций, 2.12%
|
|
|
Advanced Science
5 публикаций, 1.77%
|
|
|
Scientific Reports
4 публикации, 1.41%
|
|
|
Nature Communications
4 публикации, 1.41%
|
|
|
Materials Science in Semiconductor Processing
4 публикации, 1.41%
|
|
|
Physical Chemistry Chemical Physics
4 публикации, 1.41%
|
|
|
Journal of Materials Chemistry B
4 публикации, 1.41%
|
|
|
Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America
4 публикации, 1.41%
|
|
|
Chemical Reviews
3 публикации, 1.06%
|
|
|
Journal of Applied Physics
3 публикации, 1.06%
|
|
|
Advanced Theory and Simulations
3 публикации, 1.06%
|
|
|
Analytical and Bioanalytical Chemistry
3 публикации, 1.06%
|
|
|
Talanta
3 публикации, 1.06%
|
|
|
Applied Physics A: Materials Science and Processing
3 публикации, 1.06%
|
|
|
Electrochimica Acta
3 публикации, 1.06%
|
|
|
Biochimica et Biophysica Acta - General Subjects
3 публикации, 1.06%
|
|
|
Chemistry of Materials
3 публикации, 1.06%
|
|
|
ACS Applied Electronic Materials
3 публикации, 1.06%
|
|
|
Chemical Society Reviews
3 публикации, 1.06%
|
|
|
Electronics (Switzerland)
2 публикации, 0.71%
|
|
|
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
|
Издатели
|
10
20
30
40
50
60
70
|
|
|
Wiley
66 публикаций, 23.32%
|
|
|
Elsevier
56 публикаций, 19.79%
|
|
|
American Chemical Society (ACS)
31 публикация, 10.95%
|
|
|
Royal Society of Chemistry (RSC)
31 публикация, 10.95%
|
|
|
Springer Nature
24 публикации, 8.48%
|
|
|
AIP Publishing
16 публикаций, 5.65%
|
|
|
MDPI
14 публикаций, 4.95%
|
|
|
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
13 публикаций, 4.59%
|
|
|
IOP Publishing
7 публикаций, 2.47%
|
|
|
Proceedings of the National Academy of Sciences (PNAS)
4 публикации, 1.41%
|
|
|
Japan Society of Applied Physics
3 публикации, 1.06%
|
|
|
Taylor & Francis
2 публикации, 0.71%
|
|
|
Frontiers Media S.A.
2 публикации, 0.71%
|
|
|
Cambridge University Press
2 публикации, 0.71%
|
|
|
Autonomous Non-profit Organization Editorial Board of the journal Uspekhi Khimii
2 публикации, 0.71%
|
|
|
Institution of Engineering and Technology (IET)
1 публикация, 0.35%
|
|
|
IWA Publishing
1 публикация, 0.35%
|
|
|
World Scientific
1 публикация, 0.35%
|
|
|
The Electrochemical Society
1 публикация, 0.35%
|
|
|
Shanghai Institute of Organic Chemistry
1 публикация, 0.35%
|
|
|
Trans Tech Publications
1 публикация, 0.35%
|
|
|
American Association for the Advancement of Science (AAAS)
1 публикация, 0.35%
|
|
|
Acta Physica Sinica, Chinese Physical Society and Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences
1 публикация, 0.35%
|
|
|
American Physical Society (APS)
1 публикация, 0.35%
|
|
|
Copernicus
1 публикация, 0.35%
|
|
|
10
20
30
40
50
60
70
|
- Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
- Статистика публикаций обновляется еженедельно.
Вы ученый?
Создайте профиль, чтобы получать персональные рекомендации коллег, конференций и новых статей.
Войти с ORCID
Метрики
283
Всего цитирований:
283
Цитирований c 2025:
19
(6.72%)
Цитировать
ГОСТ |
RIS |
BibTex |
MLA
Цитировать
ГОСТ
Скопировать
Kergoat L. et al. A water-gate organic field-effect transistor. // Advanced Materials. 2010. Vol. 22. No. 23. pp. 2565-2569.
ГОСТ со всеми авторами (до 50)
Скопировать
Kergoat L., Herlogsson L., BRAGA D., Piro B., Pham M., Crispin X., Berggren M., Horowitz G. A water-gate organic field-effect transistor. // Advanced Materials. 2010. Vol. 22. No. 23. pp. 2565-2569.
Цитировать
RIS
Скопировать
TY - JOUR
DO - 10.1002/adma.200904163
UR - https://doi.org/10.1002/adma.200904163
TI - A water-gate organic field-effect transistor.
T2 - Advanced Materials
AU - Kergoat, Loïg
AU - Herlogsson, Lars
AU - BRAGA, DANIELE
AU - Piro, Benoit
AU - Pham, Minh‐Chau
AU - Crispin, Xavier
AU - Berggren, Magnus
AU - Horowitz, Gilles
PY - 2010
DA - 2010/05/20
PB - Wiley
SP - 2565-2569
IS - 23
VL - 22
PMID - 20491093
SN - 0935-9648
SN - 1521-4095
ER -
Цитировать
BibTex (до 50 авторов)
Скопировать
@article{2010_Kergoat,
author = {Loïg Kergoat and Lars Herlogsson and DANIELE BRAGA and Benoit Piro and Minh‐Chau Pham and Xavier Crispin and Magnus Berggren and Gilles Horowitz},
title = {A water-gate organic field-effect transistor.},
journal = {Advanced Materials},
year = {2010},
volume = {22},
publisher = {Wiley},
month = {may},
url = {https://doi.org/10.1002/adma.200904163},
number = {23},
pages = {2565--2569},
doi = {10.1002/adma.200904163}
}
Цитировать
MLA
Скопировать
Kergoat, Loïg, et al. “A water-gate organic field-effect transistor..” Advanced Materials, vol. 22, no. 23, May. 2010, pp. 2565-2569. https://doi.org/10.1002/adma.200904163.
Ошибка в публикации?