Highly Air-Stable Phosphorus-Doped n-Type Graphene Field-Effect Transistors
Тип публикации: Journal Article
Дата публикации: 2012-08-07
SCImago Q1
Tоп 10% SCImago
WOS Q1
БС1
SJR: 8.266
CiteScore: 39.4
Impact factor: 26.8
ISSN: 09359648, 15214095
PubMed ID:
22886822
General Materials Science
Mechanical Engineering
Mechanics of Materials
Краткое описание
Phosphorus-doped double-layered graphene field-effect transistors (PDGFETs) show much stronger air-stable n-type behavior than nitrogen-doped double-layered graphene FETs (NDGFETs), even under an oxygen atmosphere, due to strong nucleophilicity, which may lead to real applications for air-stable n-type graphene channels.
Найдено
Ничего не найдено, попробуйте изменить настройки фильтра.
Для доступа к списку цитирований публикации необходимо авторизоваться.
Для доступа к списку профилей, цитирующих публикацию, необходимо авторизоваться.
Топ-30
Журналы
|
2
4
6
8
10
|
|
|
RSC Advances
10 публикаций, 4.78%
|
|
|
ACS applied materials & interfaces
9 публикаций, 4.31%
|
|
|
Carbon
7 публикаций, 3.35%
|
|
|
ACS Nano
7 публикаций, 3.35%
|
|
|
Journal of Materials Chemistry A
6 публикаций, 2.87%
|
|
|
Electrochimica Acta
5 публикаций, 2.39%
|
|
|
Advanced Materials
5 публикаций, 2.39%
|
|
|
Chemical Communications
5 публикаций, 2.39%
|
|
|
Nanomaterials
4 публикации, 1.91%
|
|
|
Chemical Engineering Journal
4 публикации, 1.91%
|
|
|
Journal of Physical Chemistry C
4 публикации, 1.91%
|
|
|
Journal of the Electrochemical Society
3 публикации, 1.44%
|
|
|
Journal of Energy Storage
3 публикации, 1.44%
|
|
|
Applied Surface Science
3 публикации, 1.44%
|
|
|
Diamond and Related Materials
3 публикации, 1.44%
|
|
|
Synthetic Metals
3 публикации, 1.44%
|
|
|
Journal of Power Sources
3 публикации, 1.44%
|
|
|
ChemCatChem
3 публикации, 1.44%
|
|
|
Small
3 публикации, 1.44%
|
|
|
Nano Letters
3 публикации, 1.44%
|
|
|
Physical Chemistry Chemical Physics
3 публикации, 1.44%
|
|
|
Nanoscale
3 публикации, 1.44%
|
|
|
Applied Physics Letters
2 публикации, 0.96%
|
|
|
Ionics
2 публикации, 0.96%
|
|
|
Journal of Hazardous Materials
2 публикации, 0.96%
|
|
|
Environmental Pollution
2 публикации, 0.96%
|
|
|
International Journal of Hydrogen Energy
2 публикации, 0.96%
|
|
|
Materials Research Express
2 публикации, 0.96%
|
|
|
Journal of Alloys and Compounds
2 публикации, 0.96%
|
|
|
2
4
6
8
10
|
Издатели
|
10
20
30
40
50
60
70
|
|
|
Elsevier
63 публикации, 30.14%
|
|
|
Royal Society of Chemistry (RSC)
36 публикаций, 17.22%
|
|
|
Wiley
33 публикации, 15.79%
|
|
|
American Chemical Society (ACS)
31 публикация, 14.83%
|
|
|
Springer Nature
11 публикаций, 5.26%
|
|
|
MDPI
7 публикаций, 3.35%
|
|
|
The Electrochemical Society
4 публикации, 1.91%
|
|
|
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
4 публикации, 1.91%
|
|
|
Taylor & Francis
4 публикации, 1.91%
|
|
|
AIP Publishing
3 публикации, 1.44%
|
|
|
IOP Publishing
3 публикации, 1.44%
|
|
|
Frontiers Media S.A.
2 публикации, 0.96%
|
|
|
Acta Physica Sinica, Chinese Physical Society and Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences
2 публикации, 0.96%
|
|
|
Beilstein-Institut
1 публикация, 0.48%
|
|
|
Pleiades Publishing
1 публикация, 0.48%
|
|
|
Hans Publishers
1 публикация, 0.48%
|
|
|
De Gruyter Brill
1 публикация, 0.48%
|
|
|
Autonomous Non-profit Organization Editorial Board of the journal Uspekhi Khimii
1 публикация, 0.48%
|
|
|
10
20
30
40
50
60
70
|
- Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
- Статистика публикаций обновляется еженедельно.
Вы ученый?
Создайте профиль, чтобы получать персональные рекомендации коллег, конференций и новых статей.
Войти с ORCID
Метрики
209
Всего цитирований:
209
Цитирований c 2025:
12
(5.74%)
Цитировать
ГОСТ |
RIS |
BibTex |
MLA
Цитировать
ГОСТ
Скопировать
Some S. et al. Highly Air-Stable Phosphorus-Doped n-Type Graphene Field-Effect Transistors // Advanced Materials. 2012. Vol. 24. No. 40. pp. 5481-5486.
ГОСТ со всеми авторами (до 50)
Скопировать
Some S., Kim J., Lee K., Kulkarni A., Yoon Y., Lee S., Kim T., Lee H. Highly Air-Stable Phosphorus-Doped n-Type Graphene Field-Effect Transistors // Advanced Materials. 2012. Vol. 24. No. 40. pp. 5481-5486.
Цитировать
RIS
Скопировать
TY - JOUR
DO - 10.1002/adma.201202255
UR - https://doi.org/10.1002/adma.201202255
TI - Highly Air-Stable Phosphorus-Doped n-Type Graphene Field-Effect Transistors
T2 - Advanced Materials
AU - Some, Surajit
AU - Kim, Jangah
AU - Lee, Keunsik
AU - Kulkarni, Atul
AU - Yoon, Y.T.
AU - Lee, Saemi
AU - Kim, Taesung
AU - Lee, Hyo-Young
PY - 2012
DA - 2012/08/07
PB - Wiley
SP - 5481-5486
IS - 40
VL - 24
PMID - 22886822
SN - 0935-9648
SN - 1521-4095
ER -
Цитировать
BibTex (до 50 авторов)
Скопировать
@article{2012_Some,
author = {Surajit Some and Jangah Kim and Keunsik Lee and Atul Kulkarni and Y.T. Yoon and Saemi Lee and Taesung Kim and Hyo-Young Lee},
title = {Highly Air-Stable Phosphorus-Doped n-Type Graphene Field-Effect Transistors},
journal = {Advanced Materials},
year = {2012},
volume = {24},
publisher = {Wiley},
month = {aug},
url = {https://doi.org/10.1002/adma.201202255},
number = {40},
pages = {5481--5486},
doi = {10.1002/adma.201202255}
}
Цитировать
MLA
Скопировать
Some, Surajit, et al. “Highly Air-Stable Phosphorus-Doped n-Type Graphene Field-Effect Transistors.” Advanced Materials, vol. 24, no. 40, Aug. 2012, pp. 5481-5486. https://doi.org/10.1002/adma.201202255.
Ошибка в публикации?