Open Access
Open access
том 7 издание 1 страницы 2000593

Storage Mechanisms of Polyimide‐Molybdenum Disulfide Quantum Dot Based, Highly Stable, Write‐Once‐Read‐Many‐Times Memristive Devices

Тип публикацииJournal Article
Дата публикации2020-11-30
SCImago Q1
WOS Q1
БС1
SJR1.333
CiteScore10.7
Impact factor5.3
ISSN2199160X
Electronic, Optical and Magnetic Materials
Для доступа к списку цитирований публикации необходимо авторизоваться.
Для доступа к списку профилей, цитирующих публикацию, необходимо авторизоваться.

Топ-30

Журналы

1
Multifunctional Materials
1 публикация, 7.69%
Organic Electronics
1 публикация, 7.69%
Small
1 публикация, 7.69%
ACS applied materials & interfaces
1 публикация, 7.69%
Scientific Reports
1 публикация, 7.69%
IEEE Transactions on Electron Devices
1 публикация, 7.69%
ACS Applied Electronic Materials
1 публикация, 7.69%
Engineering Reports
1 публикация, 7.69%
Polymers
1 публикация, 7.69%
E3S Web of Conferences
1 публикация, 7.69%
Russian Chemical Reviews
1 публикация, 7.69%
Molecular Crystals and Liquid Crystals
1 публикация, 7.69%
Materials Chemistry and Physics
1 публикация, 7.69%
1

Издатели

1
2
Elsevier
2 публикации, 15.38%
Wiley
2 публикации, 15.38%
American Chemical Society (ACS)
2 публикации, 15.38%
IOP Publishing
1 публикация, 7.69%
Springer Nature
1 публикация, 7.69%
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
1 публикация, 7.69%
MDPI
1 публикация, 7.69%
EDP Sciences
1 публикация, 7.69%
Autonomous Non-profit Organization Editorial Board of the journal Uspekhi Khimii
1 публикация, 7.69%
Taylor & Francis
1 публикация, 7.69%
1
2
  • Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
  • Статистика публикаций обновляется еженедельно.

Вы ученый?

Создайте профиль, чтобы получать персональные рекомендации коллег, конференций и новых статей.
 Войти с ORCID
Метрики
13
Поделиться
Цитировать
ГОСТ |
Цитировать
An H. et al. Storage Mechanisms of Polyimide‐Molybdenum Disulfide Quantum Dot Based, Highly Stable, Write‐Once‐Read‐Many‐Times Memristive Devices // Advanced Electronic Materials. 2020. Vol. 7. No. 1. p. 2000593.
ГОСТ со всеми авторами (до 50) Скопировать
An H., GE Y., Li M., Kim T. W. Storage Mechanisms of Polyimide‐Molybdenum Disulfide Quantum Dot Based, Highly Stable, Write‐Once‐Read‐Many‐Times Memristive Devices // Advanced Electronic Materials. 2020. Vol. 7. No. 1. p. 2000593.
RIS |
Цитировать
TY - JOUR
DO - 10.1002/aelm.202000593
UR - https://doi.org/10.1002/aelm.202000593
TI - Storage Mechanisms of Polyimide‐Molybdenum Disulfide Quantum Dot Based, Highly Stable, Write‐Once‐Read‐Many‐Times Memristive Devices
T2 - Advanced Electronic Materials
AU - An, Haoqun
AU - GE, YANG
AU - Li, Mingjun
AU - Kim, Tae Whan
PY - 2020
DA - 2020/11/30
PB - Wiley
SP - 2000593
IS - 1
VL - 7
SN - 2199-160X
ER -
BibTex |
Цитировать
BibTex (до 50 авторов) Скопировать
@article{2020_An,
author = {Haoqun An and YANG GE and Mingjun Li and Tae Whan Kim},
title = {Storage Mechanisms of Polyimide‐Molybdenum Disulfide Quantum Dot Based, Highly Stable, Write‐Once‐Read‐Many‐Times Memristive Devices},
journal = {Advanced Electronic Materials},
year = {2020},
volume = {7},
publisher = {Wiley},
month = {nov},
url = {https://doi.org/10.1002/aelm.202000593},
number = {1},
pages = {2000593},
doi = {10.1002/aelm.202000593}
}
MLA
Цитировать
An, Haoqun, et al. “Storage Mechanisms of Polyimide‐Molybdenum Disulfide Quantum Dot Based, Highly Stable, Write‐Once‐Read‐Many‐Times Memristive Devices.” Advanced Electronic Materials, vol. 7, no. 1, Nov. 2020, p. 2000593. https://doi.org/10.1002/aelm.202000593.
Ошибка в публикации?