Single GaN Nanowires for Extremely High Current Commutation
Тип публикации: Journal Article
Дата публикации: 2021-02-05
scimago Q2
wos Q3
white level БС2
SJR: 0.609
CiteScore: 5.1
Impact factor: 2
ISSN: 18626254, 18626270
Condensed Matter Physics
General Materials Science
Краткое описание
An array of GaN nanowires (NWs) on Si substrate is synthesized by molecular beam epitaxy. Measurements of electrical properties at room temperature of single NWs transferred to an auxiliary substrate demonstrate that the current density reaches an extremely high level of 2 MA cm−2 without NW damage. Taking into account the limited conductivity of the NW periphery due to electron surface states, that is, the conduction channel narrowing, the effective current density can reach 3 MA cm−2.
Найдено
Ничего не найдено, попробуйте изменить настройки фильтра.
Для доступа к списку цитирований публикации необходимо авторизоваться.
Для доступа к списку профилей, цитирующих публикацию, необходимо авторизоваться.
Топ-30
Журналы
|
1
|
|
|
Journal of Physical Chemistry Letters
1 публикация, 25%
|
|
|
Physica Status Solidi - Rapid Research Letters
1 публикация, 25%
|
|
|
Nanotechnology
1 публикация, 25%
|
|
|
Journal of Manufacturing and Materials Processing
1 публикация, 25%
|
|
|
1
|
Издатели
|
1
|
|
|
American Chemical Society (ACS)
1 публикация, 25%
|
|
|
Wiley
1 публикация, 25%
|
|
|
IOP Publishing
1 публикация, 25%
|
|
|
MDPI
1 публикация, 25%
|
|
|
1
|
- Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
- Статистика публикаций обновляется еженедельно.
Вы ученый?
Создайте профиль, чтобы получать персональные рекомендации коллег, конференций и новых статей.
Войти с ORCID
Метрики
4
Всего цитирований:
4
Цитирований c 2025:
1
(25%)
Цитировать
ГОСТ |
RIS |
BibTex |
MLA
Цитировать
ГОСТ
Скопировать
Shugurov K. et al. Single GaN Nanowires for Extremely High Current Commutation // Physica Status Solidi - Rapid Research Letters. 2021. Vol. 15. No. 4. p. 2000590.
ГОСТ со всеми авторами (до 50)
Скопировать
Shugurov K., Mozharov A. M., Sapunov G. A., Fedorov V. V., Tchernycheva M., Mukhin I. S. Single GaN Nanowires for Extremely High Current Commutation // Physica Status Solidi - Rapid Research Letters. 2021. Vol. 15. No. 4. p. 2000590.
Цитировать
RIS
Скопировать
TY - JOUR
DO - 10.1002/pssr.202000590
UR - https://doi.org/10.1002/pssr.202000590
TI - Single GaN Nanowires for Extremely High Current Commutation
T2 - Physica Status Solidi - Rapid Research Letters
AU - Shugurov, Konstantin
AU - Mozharov, A. M.
AU - Sapunov, Georgiy A
AU - Fedorov, Vladimir V
AU - Tchernycheva, Maria
AU - Mukhin, Ivan S.
PY - 2021
DA - 2021/02/05
PB - Wiley
SP - 2000590
IS - 4
VL - 15
SN - 1862-6254
SN - 1862-6270
ER -
Цитировать
BibTex (до 50 авторов)
Скопировать
@article{2021_Shugurov,
author = {Konstantin Shugurov and A. M. Mozharov and Georgiy A Sapunov and Vladimir V Fedorov and Maria Tchernycheva and Ivan S. Mukhin},
title = {Single GaN Nanowires for Extremely High Current Commutation},
journal = {Physica Status Solidi - Rapid Research Letters},
year = {2021},
volume = {15},
publisher = {Wiley},
month = {feb},
url = {https://doi.org/10.1002/pssr.202000590},
number = {4},
pages = {2000590},
doi = {10.1002/pssr.202000590}
}
Цитировать
MLA
Скопировать
Shugurov, Konstantin, et al. “Single GaN Nanowires for Extremely High Current Commutation.” Physica Status Solidi - Rapid Research Letters, vol. 15, no. 4, Feb. 2021, p. 2000590. https://doi.org/10.1002/pssr.202000590.
Ошибка в публикации?