Growth of thin films by solution-gas interface: A new technique
Тип публикации: Journal Article
Дата публикации: 1984-11-01
scimago Q1
wos Q2
БС1
SJR: 0.808
CiteScore: 8.5
Impact factor: 4.7
ISSN: 02540584, 18793312
Condensed Matter Physics
General Materials Science
Краткое описание
The solution-gas interface technique used for the formation of uniform and large area thin films of chalcogenides is described in this paper. The growth mechanism and kinetics of the film formation are discussed on the basis of the Surface tension of the solution. The optical and electrical properties are studied and the influence of the preparative parameters on the growth of thin films is discussed.
Найдено
Ничего не найдено, попробуйте изменить настройки фильтра.
Найдено
Ничего не найдено, попробуйте изменить настройки фильтра.
Топ-30
Журналы
|
1
2
|
|
|
Materials Chemistry and Physics
2 публикации, 12.5%
|
|
|
Materials Research Bulletin
2 публикации, 12.5%
|
|
|
Journal of Materials Science: Materials in Electronics
2 публикации, 12.5%
|
|
|
Journal Physics D: Applied Physics
2 публикации, 12.5%
|
|
|
New Journal of Chemistry
2 публикации, 12.5%
|
|
|
Applied Physics A: Materials Science and Processing
1 публикация, 6.25%
|
|
|
Bulletin of Materials Science
1 публикация, 6.25%
|
|
|
Mendeleev Communications
1 публикация, 6.25%
|
|
|
Chemical Reviews
1 публикация, 6.25%
|
|
|
AIP Conference Proceedings
1 публикация, 6.25%
|
|
|
1
2
|
Издатели
|
1
2
3
4
5
|
|
|
Elsevier
5 публикаций, 31.25%
|
|
|
Springer Nature
4 публикации, 25%
|
|
|
IOP Publishing
2 публикации, 12.5%
|
|
|
Royal Society of Chemistry (RSC)
2 публикации, 12.5%
|
|
|
American Chemical Society (ACS)
1 публикация, 6.25%
|
|
|
AIP Publishing
1 публикация, 6.25%
|
|
|
1
2
3
4
5
|
- Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
- Статистика публикаций обновляется еженедельно.
Вы ученый?
Создайте профиль, чтобы получать персональные рекомендации коллег, конференций и новых статей.
Метрики
16
Всего цитирований:
16
Цитирований c 2025:
0
Цитировать
ГОСТ |
RIS |
BibTex |
MLA
Цитировать
ГОСТ
Скопировать
Pawar S. H., Bhosale P. N. Growth of thin films by solution-gas interface: A new technique // Materials Chemistry and Physics. 1984. Vol. 11. No. 5. pp. 461-479.
ГОСТ со всеми авторами (до 50)
Скопировать
Pawar S. H., Bhosale P. N. Growth of thin films by solution-gas interface: A new technique // Materials Chemistry and Physics. 1984. Vol. 11. No. 5. pp. 461-479.
Цитировать
RIS
Скопировать
TY - JOUR
DO - 10.1016/0254-0584(84)90069-5
UR - https://doi.org/10.1016/0254-0584(84)90069-5
TI - Growth of thin films by solution-gas interface: A new technique
T2 - Materials Chemistry and Physics
AU - Pawar, S. H.
AU - Bhosale, Popatrao N.
PY - 1984
DA - 1984/11/01
PB - Elsevier
SP - 461-479
IS - 5
VL - 11
SN - 0254-0584
SN - 1879-3312
ER -
Цитировать
BibTex (до 50 авторов)
Скопировать
@article{1984_Pawar,
author = {S. H. Pawar and Popatrao N. Bhosale},
title = {Growth of thin films by solution-gas interface: A new technique},
journal = {Materials Chemistry and Physics},
year = {1984},
volume = {11},
publisher = {Elsevier},
month = {nov},
url = {https://doi.org/10.1016/0254-0584(84)90069-5},
number = {5},
pages = {461--479},
doi = {10.1016/0254-0584(84)90069-5}
}
Цитировать
MLA
Скопировать
Pawar, S. H., and Popatrao N. Bhosale. “Growth of thin films by solution-gas interface: A new technique.” Materials Chemistry and Physics, vol. 11, no. 5, Nov. 1984, pp. 461-479. https://doi.org/10.1016/0254-0584(84)90069-5.