New n-type semiconductor material based on styryl fullerene for organic field-effect transistors
Airat R Tuktarov
1
,
Nuri M Chobanov
1
,
Zarema R Sadretdinova
1
,
Renat B Salikhov
2
,
Ilnur N Mullagaliev
2
,
Timur R Salikhov
2
,
Usein M Dzhemilev
1
Тип публикации: Journal Article
Дата публикации: 2021-09-01
scimago Q3
wos Q3
БС1
SJR: 0.305
CiteScore: 3.0
Impact factor: 1.7
ISSN: 09599436, 1364551X
General Chemistry
Краткое описание
Organic field-effect transistors with styryl fullerene as a semi conductor layer applied by centrifugation are considered. Electron mobility in the transistors was 0.067 ± 10% cm 2 V −1 s −1 , whereas the mobility of electrons in these devices after the vacuum deposition of a semiconductor layer was much lower (0.023 ± 10% cm 2 V −1 s −1 ).
Найдено
Ничего не найдено, попробуйте изменить настройки фильтра.
Найдено
Ничего не найдено, попробуйте изменить настройки фильтра.
Топ-30
Журналы
|
1
2
3
|
|
|
Mendeleev Communications
3 публикации, 42.86%
|
|
|
Materials
1 публикация, 14.29%
|
|
|
Photochemistry and Photobiology
1 публикация, 14.29%
|
|
|
Surface Review and Letters
1 публикация, 14.29%
|
|
|
1
2
3
|
Издатели
|
1
2
3
|
|
|
Elsevier
3 публикации, 42.86%
|
|
|
MDPI
1 публикация, 14.29%
|
|
|
Wiley
1 публикация, 14.29%
|
|
|
World Scientific
1 публикация, 14.29%
|
|
|
1
2
3
|
- Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
- Статистика публикаций обновляется еженедельно.
Вы ученый?
Создайте профиль, чтобы получать персональные рекомендации коллег, конференций и новых статей.
Метрики
7
Всего цитирований:
7
Цитирований c 2025:
1
(14.29%)
Цитировать
ГОСТ |
RIS |
BibTex |
MLA
Цитировать
ГОСТ
Скопировать
Tuktarov A. R. et al. New n-type semiconductor material based on styryl fullerene for organic field-effect transistors // Mendeleev Communications. 2021. Vol. 31. No. 5. pp. 641-643.
ГОСТ со всеми авторами (до 50)
Скопировать
Tuktarov A. R., Chobanov N. M., Sadretdinova Z. R., Salikhov R. B., Mullagaliev I. N., Salikhov T. R., Dzhemilev U. M. New n-type semiconductor material based on styryl fullerene for organic field-effect transistors // Mendeleev Communications. 2021. Vol. 31. No. 5. pp. 641-643.
Цитировать
RIS
Скопировать
TY - JOUR
DO - 10.1016/j.mencom.2021.09.016
UR - https://doi.org/10.1016/j.mencom.2021.09.016
TI - New n-type semiconductor material based on styryl fullerene for organic field-effect transistors
T2 - Mendeleev Communications
AU - Tuktarov, Airat R
AU - Chobanov, Nuri M
AU - Sadretdinova, Zarema R
AU - Salikhov, Renat B
AU - Mullagaliev, Ilnur N
AU - Salikhov, Timur R
AU - Dzhemilev, Usein M
PY - 2021
DA - 2021/09/01
PB - OOO Zhurnal "Mendeleevskie Soobshcheniya"
SP - 641-643
IS - 5
VL - 31
SN - 0959-9436
SN - 1364-551X
ER -
Цитировать
BibTex (до 50 авторов)
Скопировать
@article{2021_Tuktarov,
author = {Airat R Tuktarov and Nuri M Chobanov and Zarema R Sadretdinova and Renat B Salikhov and Ilnur N Mullagaliev and Timur R Salikhov and Usein M Dzhemilev},
title = {New n-type semiconductor material based on styryl fullerene for organic field-effect transistors},
journal = {Mendeleev Communications},
year = {2021},
volume = {31},
publisher = {OOO Zhurnal "Mendeleevskie Soobshcheniya"},
month = {sep},
url = {https://doi.org/10.1016/j.mencom.2021.09.016},
number = {5},
pages = {641--643},
doi = {10.1016/j.mencom.2021.09.016}
}
Цитировать
MLA
Скопировать
Tuktarov, Airat R., et al. “New n-type semiconductor material based on styryl fullerene for organic field-effect transistors.” Mendeleev Communications, vol. 31, no. 5, Sep. 2021, pp. 641-643. https://doi.org/10.1016/j.mencom.2021.09.016.