Mid-IR-Sensitive n/p-Junction Fabricated on p-Type Si Surface via Ultrashort Pulse Laser n-Type Hyperdoping and High-Temperature Annealing
Sergey Kudryashov
1, 2
,
Alena Nastulyavichus
1
,
D.A. Kirilenko
2, 3
,
P.N Brunkov
2, 3
,
Andrey E. Rudenko
1
,
Nikolay Melnik
1
,
Roman Khmelnitskii
1
,
Victor Martovitskii
1
,
M.V. USPENSKAYA
2
,
D. D. Prikhodko
5, 6
,
S. A. Tarelkin
5, 7, 8
,
Artem Galkin
5
,
Taisia Drozdova
5
,
5
8
The All-Russian Research Institute for Optical and Physical Measurements, 119361 Moscow, Russia
|
Тип публикации: Journal Article
Дата публикации: 2021-01-18
scimago Q1
wos Q2
БС1
SJR: 1.045
CiteScore: 7.4
Impact factor: 4.7
ISSN: 26376113
Materials Chemistry
Electronic, Optical and Magnetic Materials
Electrochemistry
Краткое описание
The mid-infrared (IR)-sensitive n/p-junction was fabricated on a p-doped silicon (Si) wafer via ultrashort laser n-type surface hyperdoping and high-temperature annealing. First, the n-type sulfur ...
Найдено
Ничего не найдено, попробуйте изменить настройки фильтра.
Найдено
Ничего не найдено, попробуйте изменить настройки фильтра.
Топ-30
Журналы
|
1
2
|
|
|
Optical Materials
2 публикации, 28.57%
|
|
|
Optical Materials Express
1 публикация, 14.29%
|
|
|
Optics and Laser Technology
1 публикация, 14.29%
|
|
|
Technologies
1 публикация, 14.29%
|
|
|
Surfaces and Interfaces
1 публикация, 14.29%
|
|
|
Ceramics International
1 публикация, 14.29%
|
|
|
1
2
|
Издатели
|
1
2
3
4
5
|
|
|
Elsevier
5 публикаций, 71.43%
|
|
|
Optica Publishing Group
1 публикация, 14.29%
|
|
|
MDPI
1 публикация, 14.29%
|
|
|
1
2
3
4
5
|
- Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
- Статистика публикаций обновляется еженедельно.
Вы ученый?
Создайте профиль, чтобы получать персональные рекомендации коллег, конференций и новых статей.
Метрики
7
Всего цитирований:
7
Цитирований c 2024:
5
(71%)
Цитировать
ГОСТ |
RIS |
BibTex |
MLA
Цитировать
ГОСТ
Скопировать
Kudryashov S. et al. Mid-IR-Sensitive n/p-Junction Fabricated on p-Type Si Surface via Ultrashort Pulse Laser n-Type Hyperdoping and High-Temperature Annealing // ACS Applied Electronic Materials. 2021. Vol. 3. No. 2. pp. 769-777.
ГОСТ со всеми авторами (до 50)
Скопировать
Kudryashov S., Nastulyavichus A., Kirilenko D., Brunkov P., Shakhmin A. L., Rudenko A. E., Melnik N., Khmelnitskii R., Martovitskii V., USPENSKAYA M., Prikhodko D. D., Tarelkin S. A., Galkin A., Drozdova T., Ionin A. Mid-IR-Sensitive n/p-Junction Fabricated on p-Type Si Surface via Ultrashort Pulse Laser n-Type Hyperdoping and High-Temperature Annealing // ACS Applied Electronic Materials. 2021. Vol. 3. No. 2. pp. 769-777.
Цитировать
RIS
Скопировать
TY - JOUR
DO - 10.1021/acsaelm.0c00914
UR - https://doi.org/10.1021/acsaelm.0c00914
TI - Mid-IR-Sensitive n/p-Junction Fabricated on p-Type Si Surface via Ultrashort Pulse Laser n-Type Hyperdoping and High-Temperature Annealing
T2 - ACS Applied Electronic Materials
AU - Kudryashov, Sergey
AU - Nastulyavichus, Alena
AU - Kirilenko, D.A.
AU - Brunkov, P.N
AU - Shakhmin, Alexander L
AU - Rudenko, Andrey E.
AU - Melnik, Nikolay
AU - Khmelnitskii, Roman
AU - Martovitskii, Victor
AU - USPENSKAYA, M.V.
AU - Prikhodko, D. D.
AU - Tarelkin, S. A.
AU - Galkin, Artem
AU - Drozdova, Taisia
AU - Ionin, Andrey
PY - 2021
DA - 2021/01/18
PB - American Chemical Society (ACS)
SP - 769-777
IS - 2
VL - 3
SN - 2637-6113
ER -
Цитировать
BibTex (до 50 авторов)
Скопировать
@article{2021_Kudryashov,
author = {Sergey Kudryashov and Alena Nastulyavichus and D.A. Kirilenko and P.N Brunkov and Alexander L Shakhmin and Andrey E. Rudenko and Nikolay Melnik and Roman Khmelnitskii and Victor Martovitskii and M.V. USPENSKAYA and D. D. Prikhodko and S. A. Tarelkin and Artem Galkin and Taisia Drozdova and Andrey Ionin},
title = {Mid-IR-Sensitive n/p-Junction Fabricated on p-Type Si Surface via Ultrashort Pulse Laser n-Type Hyperdoping and High-Temperature Annealing},
journal = {ACS Applied Electronic Materials},
year = {2021},
volume = {3},
publisher = {American Chemical Society (ACS)},
month = {jan},
url = {https://doi.org/10.1021/acsaelm.0c00914},
number = {2},
pages = {769--777},
doi = {10.1021/acsaelm.0c00914}
}
Цитировать
MLA
Скопировать
Kudryashov, Sergey, et al. “Mid-IR-Sensitive n/p-Junction Fabricated on p-Type Si Surface via Ultrashort Pulse Laser n-Type Hyperdoping and High-Temperature Annealing.” ACS Applied Electronic Materials, vol. 3, no. 2, Jan. 2021, pp. 769-777. https://doi.org/10.1021/acsaelm.0c00914.