Continuous-wave laser diodes based on epitaxially integrated InGaAs/AlGaAs/GaAs heterostructures
Тип публикации: Journal Article
Дата публикации: 2019-10-21
SCImago Q3
БС2
SJR: 0.27
CiteScore: 3
Impact factor: 0.9
ISSN: 10637818, 14684799
Electronic, Optical and Magnetic Materials
Atomic and Molecular Physics, and Optics
Electrical and Electronic Engineering
Statistical and Nonlinear Physics
Для доступа к списку цитирований публикации необходимо авторизоваться.
Для доступа к списку профилей, цитирующих публикацию, необходимо авторизоваться.
Топ-30
Журналы
|
1
2
|
|
|
Bulletin of the Lebedev Physics Institute
2 публикации, 50%
|
|
|
Quantum Electronics
1 публикация, 25%
|
|
|
ECS Journal of Solid State Science and Technology
1 публикация, 25%
|
|
|
1
2
|
Издатели
|
1
|
|
|
IOP Publishing
1 публикация, 25%
|
|
|
The Electrochemical Society
1 публикация, 25%
|
|
|
Pleiades Publishing
1 публикация, 25%
|
|
|
Allerton Press
1 публикация, 25%
|
|
|
1
|
- Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
- Статистика публикаций обновляется еженедельно.
Вы ученый?
Создайте профиль, чтобы получать персональные рекомендации коллег, конференций и новых статей.
Войти с ORCID
Метрики
4
Всего цитирований:
4
Цитирований c 2025:
0
Цитировать
ГОСТ |
RIS |
BibTex |
MLA
Цитировать
ГОСТ
Скопировать
Ladugin M. A. et al. Continuous-wave laser diodes based on epitaxially integrated InGaAs/AlGaAs/GaAs heterostructures // Quantum Electronics. 2019. Vol. 49. No. 10. pp. 905-908.
ГОСТ со всеми авторами (до 50)
Скопировать
Ladugin M. A., Gultikov N. V., Marmalyuk A., Konyaev V., Soloveva A. V. Continuous-wave laser diodes based on epitaxially integrated InGaAs/AlGaAs/GaAs heterostructures // Quantum Electronics. 2019. Vol. 49. No. 10. pp. 905-908.
Цитировать
RIS
Скопировать
TY - JOUR
DO - 10.1070/QEL17089
UR - https://iopscience.iop.org/article/10.1070/QEL17089
TI - Continuous-wave laser diodes based on epitaxially integrated InGaAs/AlGaAs/GaAs heterostructures
T2 - Quantum Electronics
AU - Ladugin, M A
AU - Gultikov, N V
AU - Marmalyuk, A.A.
AU - Konyaev, V.P.
AU - Soloveva, A V
PY - 2019
DA - 2019/10/21
PB - IOP Publishing
SP - 905-908
IS - 10
VL - 49
SN - 1063-7818
SN - 1468-4799
ER -
Цитировать
BibTex (до 50 авторов)
Скопировать
@article{2019_Ladugin,
author = {M A Ladugin and N V Gultikov and A.A. Marmalyuk and V.P. Konyaev and A V Soloveva},
title = {Continuous-wave laser diodes based on epitaxially integrated InGaAs/AlGaAs/GaAs heterostructures},
journal = {Quantum Electronics},
year = {2019},
volume = {49},
publisher = {IOP Publishing},
month = {oct},
url = {https://iopscience.iop.org/article/10.1070/QEL17089},
number = {10},
pages = {905--908},
doi = {10.1070/QEL17089}
}
Цитировать
MLA
Скопировать
Ladugin, M. A., et al. “Continuous-wave laser diodes based on epitaxially integrated InGaAs/AlGaAs/GaAs heterostructures.” Quantum Electronics, vol. 49, no. 10, Oct. 2019, pp. 905-908. https://iopscience.iop.org/article/10.1070/QEL17089.
Ошибка в публикации?