Turn-on dynamics and control efficiency of low-voltage AlGaAs/GaAs/InGaAs lasers-thyristors (905 nm) under optical activation of p-GaAs base with external light (1068 nm)
Тип публикации: Journal Article
Дата публикации: 2019-05-21
scimago Q2
wos Q3
white level БС2
SJR: 0.405
CiteScore: 4.2
Impact factor: 2.1
ISSN: 02681242, 13616641
Materials Chemistry
Electronic, Optical and Magnetic Materials
Condensed Matter Physics
Electrical and Electronic Engineering
Найдено
Ничего не найдено, попробуйте изменить настройки фильтра.
Для доступа к списку цитирований публикации необходимо авторизоваться.
Для доступа к списку профилей, цитирующих публикацию, необходимо авторизоваться.
Топ-30
Издатели
|
1
|
|
|
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
1 публикация, 100%
|
|
|
1
|
- Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
- Статистика публикаций обновляется еженедельно.
Вы ученый?
Создайте профиль, чтобы получать персональные рекомендации коллег, конференций и новых статей.
Метрики
1
Всего цитирований:
1
Цитирований c 2025:
0
Цитировать
ГОСТ |
RIS |
BibTex |
MLA
Цитировать
ГОСТ
Скопировать
Gavrina P. S. et al. Turn-on dynamics and control efficiency of low-voltage AlGaAs/GaAs/InGaAs lasers-thyristors (905 nm) under optical activation of p-GaAs base with external light (1068 nm) // Semiconductor Science and Technology. 2019. Vol. 34. No. 6. p. 65025.
ГОСТ со всеми авторами (до 50)
Скопировать
PIKHTIN N. A., Simakov V. A. Turn-on dynamics and control efficiency of low-voltage AlGaAs/GaAs/InGaAs lasers-thyristors (905 nm) under optical activation of p-GaAs base with external light (1068 nm) // Semiconductor Science and Technology. 2019. Vol. 34. No. 6. p. 65025.
Цитировать
RIS
Скопировать
TY - JOUR
DO - 10.1088/1361-6641/ab1c0a
UR - https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6641/ab1c0a
TI - Turn-on dynamics and control efficiency of low-voltage AlGaAs/GaAs/InGaAs lasers-thyristors (905 nm) under optical activation of p-GaAs base with external light (1068 nm)
T2 - Semiconductor Science and Technology
AU - PIKHTIN, N. A.
AU - Simakov, V A
PY - 2019
DA - 2019/05/21
PB - IOP Publishing
SP - 65025
IS - 6
VL - 34
SN - 0268-1242
SN - 1361-6641
ER -
Цитировать
BibTex (до 50 авторов)
Скопировать
@article{2019_Gavrina,
author = {N. A. PIKHTIN and V A Simakov},
title = {Turn-on dynamics and control efficiency of low-voltage AlGaAs/GaAs/InGaAs lasers-thyristors (905 nm) under optical activation of p-GaAs base with external light (1068 nm)},
journal = {Semiconductor Science and Technology},
year = {2019},
volume = {34},
publisher = {IOP Publishing},
month = {may},
url = {https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6641/ab1c0a},
number = {6},
pages = {65025},
doi = {10.1088/1361-6641/ab1c0a}
}
Цитировать
MLA
Скопировать
Gavrina, Polina S., et al. “Turn-on dynamics and control efficiency of low-voltage AlGaAs/GaAs/InGaAs lasers-thyristors (905 nm) under optical activation of p-GaAs base with external light (1068 nm).” Semiconductor Science and Technology, vol. 34, no. 6, May. 2019, p. 65025. https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6641/ab1c0a.
Ошибка в публикации?