Molybdenum low resistance thin film resistors for cryogenic devices
Yu. P. Korneeva
1
,
M Dryazgov
1
,
N V Porokhov
1
,
Nikita Osipov
1
,
Maxim Krasilnikov
1
,
A.A. Korneev
2
,
Тип публикации: Journal Article
Дата публикации: 2024-09-02
scimago Q1
wos Q2
БС1
SJR: 1.095
CiteScore: 6.7
Impact factor: 4.2
ISSN: 09532048, 13616668
Краткое описание
We present a study of thin-film molybdenum resistors for NbN electronics operating at cryogenic temperatures. The key step is the 0.5-1.5 keV ion cleaning-activation of NbN before Mo deposition which allows to obtain a high-quality Mo/NbN interface which together with additional aluminium bandage layer in the area of contact pads allow to reduce contact resistance below 1 Ω. The quality of the interfaces is confirmed by transmission electron microscopy and X-ray reflectometry.
Найдено
Ничего не найдено, попробуйте изменить настройки фильтра.
Найдено
Ничего не найдено, попробуйте изменить настройки фильтра.
Топ-30
Журналы
|
1
|
|
|
Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology
1 публикация, 100%
|
|
|
1
|
Издатели
|
1
|
|
|
Elsevier
1 публикация, 100%
|
|
|
1
|
- Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
- Статистика публикаций обновляется еженедельно.
Вы ученый?
Создайте профиль, чтобы получать персональные рекомендации коллег, конференций и новых статей.
Метрики
1
Всего цитирований:
1
Цитирований c 2024:
1
(100%)
Самый цитирующий журнал
Цитирований в журнале:
1
Цитировать
ГОСТ |
RIS |
BibTex |
MLA
Цитировать
ГОСТ
Скопировать
Korneeva Y. P. et al. Molybdenum low resistance thin film resistors for cryogenic devices // Superconductor Science and Technology. 2024. Vol. 37. No. 10. p. 105009.
ГОСТ со всеми авторами (до 50)
Скопировать
Korneeva Y. P., Dryazgov M., Porokhov N. V., Osipov N., Krasilnikov M., Korneev A., Tarkhov M. A. Molybdenum low resistance thin film resistors for cryogenic devices // Superconductor Science and Technology. 2024. Vol. 37. No. 10. p. 105009.
Цитировать
RIS
Скопировать
TY - JOUR
DO - 10.1088/1361-6668/ad6adb
UR - https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6668/ad6adb
TI - Molybdenum low resistance thin film resistors for cryogenic devices
T2 - Superconductor Science and Technology
AU - Korneeva, Yu. P.
AU - Dryazgov, M
AU - Porokhov, N V
AU - Osipov, Nikita
AU - Krasilnikov, Maxim
AU - Korneev, A.A.
AU - Tarkhov, M A
PY - 2024
DA - 2024/09/02
PB - IOP Publishing
SP - 105009
IS - 10
VL - 37
SN - 0953-2048
SN - 1361-6668
ER -
Цитировать
BibTex (до 50 авторов)
Скопировать
@article{2024_Korneeva,
author = {Yu. P. Korneeva and M Dryazgov and N V Porokhov and Nikita Osipov and Maxim Krasilnikov and A.A. Korneev and M A Tarkhov},
title = {Molybdenum low resistance thin film resistors for cryogenic devices},
journal = {Superconductor Science and Technology},
year = {2024},
volume = {37},
publisher = {IOP Publishing},
month = {sep},
url = {https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6668/ad6adb},
number = {10},
pages = {105009},
doi = {10.1088/1361-6668/ad6adb}
}
Цитировать
MLA
Скопировать
Korneeva, Yu. P., et al. “Molybdenum low resistance thin film resistors for cryogenic devices.” Superconductor Science and Technology, vol. 37, no. 10, Sep. 2024, p. 105009. https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6668/ad6adb.