Open Access
Open access
IOP Publishing
Journal of Physics: Conference Series
,  том 1697 ,  издание 1 ,  страницы 12127

Epitaxial synthesis of single-domain gallium phosphide on silicon

Тип публикации: Journal Article
Дата публикации: 2020-12-01
IOP Publishing
SJR: 0.187
CiteScore: 1.3
Impact factor: —
ISSN: 17426588, 17426596
General Physics and Astronomy
Краткое описание

The aim of the work is to investigate different approaches for the growth of planar gallium phosphide layers on silicon by molecular beam epitaxy. Atomic force microscopy and reflection high energy electron diffraction were used to study surface morphology and estimate the film domain structure. Developed growth technique with the use of a low-temperature AlGaP/GaP seeding layer allowed us to achieve atomically flat pseudomorphic single-phase GaP on Si(001).

Найдено 
Найдено 

Топ-30

Журналы

1
Physica B: Condensed Matter
Physica B: Condensed Matter, 1, 100%
Physica B: Condensed Matter
1 публикация, 100%
1

Издатели

1
Elsevier
Elsevier, 1, 100%
Elsevier
1 публикация, 100%
1
  • Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
  • Статистика публикаций обновляется еженедельно.

Вы ученый?

Создайте профиль, чтобы получать персональные рекомендации коллег, конференций и новых статей.
Метрики
1
Поделиться
Цитировать
ГОСТ |
Цитировать
ГОСТ Скопировать
Sapunov G. A. et al. Epitaxial synthesis of single-domain gallium phosphide on silicon // Journal of Physics: Conference Series. 2020. Vol. 1697. No. 1. p. 12127.
ГОСТ со всеми авторами (до 50) Скопировать
Sapunov G. A., Koval O. Yu., Fedorov Y. V., Bolshakov A. P. Epitaxial synthesis of single-domain gallium phosphide on silicon // Journal of Physics: Conference Series. 2020. Vol. 1697. No. 1. p. 12127.
RIS |
Цитировать
RIS Скопировать
TY - JOUR
DO - 10.1088/1742-6596/1697/1/012127
UR - https://doi.org/10.1088/1742-6596/1697/1/012127
TI - Epitaxial synthesis of single-domain gallium phosphide on silicon
T2 - Journal of Physics: Conference Series
AU - Sapunov, Georgiy A
AU - Koval, O Yu
AU - Fedorov, Yury V
AU - Bolshakov, Alexey P.
PY - 2020
DA - 2020/12/01
PB - IOP Publishing
SP - 12127
IS - 1
VL - 1697
SN - 1742-6588
SN - 1742-6596
ER -
BibTex |
Цитировать
BibTex (до 50 авторов) Скопировать
@article{2020_Sapunov,
author = {Georgiy A Sapunov and O Yu Koval and Yury V Fedorov and Alexey P. Bolshakov},
title = {Epitaxial synthesis of single-domain gallium phosphide on silicon},
journal = {Journal of Physics: Conference Series},
year = {2020},
volume = {1697},
publisher = {IOP Publishing},
month = {dec},
url = {https://doi.org/10.1088/1742-6596/1697/1/012127},
number = {1},
pages = {12127},
doi = {10.1088/1742-6596/1697/1/012127}
}
MLA
Цитировать
MLA Скопировать
Sapunov, Georgiy A., et al. “Epitaxial synthesis of single-domain gallium phosphide on silicon.” Journal of Physics: Conference Series, vol. 1697, no. 1, Dec. 2020, p. 12127. https://doi.org/10.1088/1742-6596/1697/1/012127.