Charge storage in dielectrics
Тип публикации: Journal Article
Дата публикации: 1989-06-01
SJR: —
CiteScore: —
Impact factor: —
ISSN: 00189367, 1557962X
Electrical and Electronic Engineering
General Engineering
Краткое описание
Work on charge storage processes in dielectrics performed over the past few years is reviewed. Results obtained on polymers with corona, electron-beam, and pressure-pulse methods and pertaining to trap filling, spatial distribution of the charge, radiation-induced conductivity, and dynamics of the charge decay are discussed. The generation of a variety of polarization distributions in polyvinylidene fluoride with electron-beam and other methods is reviewed. Some results on charge storage and transport in silicon dioxide are described. >
Найдено
Ничего не найдено, попробуйте изменить настройки фильтра.
Для доступа к списку цитирований публикации необходимо авторизоваться.
Топ-30
Журналы
|
1
2
3
4
5
|
|
|
IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation
5 публикаций, 18.52%
|
|
|
Journal Physics D: Applied Physics
3 публикации, 11.11%
|
|
|
Journal of Electrostatics
2 публикации, 7.41%
|
|
|
Optics Letters
2 публикации, 7.41%
|
|
|
Journal of Applied Physics
1 публикация, 3.7%
|
|
|
Russian Chemical Reviews
1 публикация, 3.7%
|
|
|
Journal of Luminescence
1 публикация, 3.7%
|
|
|
IEEE Transactions on Plasma Science
1 публикация, 3.7%
|
|
|
TEUBNER-TEXTE zur Physik
1 публикация, 3.7%
|
|
|
Reports on Progress in Physics
1 публикация, 3.7%
|
|
|
1
2
3
4
5
|
Издатели
|
2
4
6
8
10
12
14
|
|
|
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
13 публикаций, 48.15%
|
|
|
IOP Publishing
4 публикации, 14.81%
|
|
|
Elsevier
4 публикации, 14.81%
|
|
|
Optica Publishing Group
2 публикации, 7.41%
|
|
|
AIP Publishing
1 публикация, 3.7%
|
|
|
Autonomous Non-profit Organization Editorial Board of the journal Uspekhi Khimii
1 публикация, 3.7%
|
|
|
Springer Nature
1 публикация, 3.7%
|
|
|
2
4
6
8
10
12
14
|
- Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
- Статистика публикаций обновляется еженедельно.
Вы ученый?
Создайте профиль, чтобы получать персональные рекомендации коллег, конференций и новых статей.
Войти с ORCID
Метрики
27
Всего цитирований:
27
Цитирований c 2025:
2
(7.41%)
Самый цитирующий журнал
Цитирований в журнале:
5
Цитировать
ГОСТ |
RIS |
BibTex |
MLA
Цитировать
ГОСТ
Скопировать
Sessler G. M. Charge storage in dielectrics // IEEE Transactions on Electrical Insulation. 1989. Vol. 24. No. 3. pp. 395-402.
ГОСТ со всеми авторами (до 50)
Скопировать
Sessler G. M. Charge storage in dielectrics // IEEE Transactions on Electrical Insulation. 1989. Vol. 24. No. 3. pp. 395-402.
Цитировать
RIS
Скопировать
TY - JOUR
DO - 10.1109/14.30879
UR - https://doi.org/10.1109/14.30879
TI - Charge storage in dielectrics
T2 - IEEE Transactions on Electrical Insulation
AU - Sessler, G. M.
PY - 1989
DA - 1989/06/01
PB - Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
SP - 395-402
IS - 3
VL - 24
SN - 0018-9367
SN - 1557-962X
ER -
Цитировать
BibTex (до 50 авторов)
Скопировать
@article{1989_Sessler,
author = {G. M. Sessler},
title = {Charge storage in dielectrics},
journal = {IEEE Transactions on Electrical Insulation},
year = {1989},
volume = {24},
publisher = {Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)},
month = {jun},
url = {https://doi.org/10.1109/14.30879},
number = {3},
pages = {395--402},
doi = {10.1109/14.30879}
}
Цитировать
MLA
Скопировать
Sessler, G. M.. “Charge storage in dielectrics.” IEEE Transactions on Electrical Insulation, vol. 24, no. 3, Jun. 1989, pp. 395-402. https://doi.org/10.1109/14.30879.
Ошибка в публикации?