том 39 издание 9 страницы 1066

Exciton States in Semiconductor Spherical Nanostructures

S I Pokutnyi 1
1
 
Ilyichevsk Scientific Training Center, Mechnikov Odessa National University, Ilyichevsk, Ukraine
Тип публикацииJournal Article
Дата публикации2005-09-19
scimago Q4
wos Q4
БС3
SJR0.154
CiteScore0.9
Impact factor0.6
ISSN10637826, 10906479, 17267315, 09412751
Electronic, Optical and Magnetic Materials
Atomic and Molecular Physics, and Optics
Condensed Matter Physics
Краткое описание
The results of theoretical studies of the energy spectra of excitons moving in semiconductor spherical quantum dots are described. The contributions of the kinetic electron and hole energies, the energy of the Coulomb interaction between an electron and hole, and the energy of the polarization interaction between them to the energy spectrum of an exciton in a quantum dot with a spherical (quantum dot)-(insulator medium) interface is analyzed.
Найдено 
Найдено 

Топ-30

Журналы

1
Journal of Nanoparticle Research
1 публикация, 16.67%
Journal of Nanophotonics
1 публикация, 16.67%
Semiconductors
1 публикация, 16.67%
Himia Fizika ta Tehnologia Poverhni
1 публикация, 16.67%
Russian Chemical Reviews
1 публикация, 16.67%
1

Издатели

1
Springer Nature
1 публикация, 16.67%
SPIE-Intl Soc Optical Eng
1 публикация, 16.67%
Pleiades Publishing
1 публикация, 16.67%
IntechOpen
1 публикация, 16.67%
National Academy of Sciences of Ukraine (Co. LTD Ukrinformnauka) (Publications)
1 публикация, 16.67%
Autonomous Non-profit Organization Editorial Board of the journal Uspekhi Khimii
1 публикация, 16.67%
1
  • Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
  • Статистика публикаций обновляется еженедельно.

Вы ученый?

Создайте профиль, чтобы получать персональные рекомендации коллег, конференций и новых статей.
Метрики
6
Поделиться
Цитировать
ГОСТ |
Цитировать
Pokutnyi S. I. Exciton States in Semiconductor Spherical Nanostructures // Semiconductors. 2005. Vol. 39. No. 9. p. 1066.
ГОСТ со всеми авторами (до 50) Скопировать
Pokutnyi S. I. Exciton States in Semiconductor Spherical Nanostructures // Semiconductors. 2005. Vol. 39. No. 9. p. 1066.
RIS |
Цитировать
TY - JOUR
DO - 10.1134/1.2042600
UR - https://doi.org/10.1134/1.2042600
TI - Exciton States in Semiconductor Spherical Nanostructures
T2 - Semiconductors
AU - Pokutnyi, S I
PY - 2005
DA - 2005/09/19
PB - Pleiades Publishing
SP - 1066
IS - 9
VL - 39
SN - 1063-7826
SN - 1090-6479
SN - 1726-7315
SN - 0941-2751
ER -
BibTex |
Цитировать
BibTex (до 50 авторов) Скопировать
@article{2005_Pokutnyi,
author = {S I Pokutnyi},
title = {Exciton States in Semiconductor Spherical Nanostructures},
journal = {Semiconductors},
year = {2005},
volume = {39},
publisher = {Pleiades Publishing},
month = {sep},
url = {https://doi.org/10.1134/1.2042600},
number = {9},
pages = {1066},
doi = {10.1134/1.2042600}
}
MLA
Цитировать
Pokutnyi, S. I.. “Exciton States in Semiconductor Spherical Nanostructures.” Semiconductors, vol. 39, no. 9, Sep. 2005, p. 1066. https://doi.org/10.1134/1.2042600.