JETP Letters

, том 100 , издание 1 , страницы 55-58

Structural and electrical characteristics of a hyperdoped silicon surface layer with deep donor sulfur states

Тип публикации: Journal Article

Дата публикации: 2014-09-12

Pleiades Publishing

JETP Letters

scimago Q3

wos Q3

БС1

SJR: 0.312

CiteScore: 2.3

Impact factor: 1.3

ISSN: 00213640, 10906487

DOI: 10.1134/S0021364014130062

Скопировать DOI

Physics and Astronomy (miscellaneous)

Краткое описание

Inhomogeneous hyperdoping of a 100-nm-thick silicon surface layer with sulfur atoms at concentrations above 2 × 1021 cm−3 was obtained via its femtosecond laser ablation in a sulfur-containing organic solvent. Infrared transmission spectroscopy reveals distinct interband absorption peaks of donor sulfur states, which are absent in the initial crystalline silicon, and a broad absorption band of free carriers with a concentration of ∼1018 cm−3. The rather low free-carrier concentration is related to equilibrium room-temperature ionization of localized donor sulfur states, preserving their nondegenerate character owing to the strong electronion binding in the donor states.

Найдено

1 цитирование

Болдырев Кирилл

🥼 🤝

к.ф.-м.н., доц.

137 публикаций, 1 408 цитирований, 17 рецензий

Индекс Хирша: 21

Московский физико-технический институт

Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»

Институт спектроскопии РАН

Области научных интересов

Алмаз

1 цитирование

Леднев Василий

🤝

к.ф.-м.н.

137 публикаций, 1 776 цитирований, 112 рецензий

Индекс Хирша: 22

Институт общей физики имени А.М. Прохорова РАН

Области научных интересов

Аналитическая химия

Спектроскопия КР (Рамановская)

Топ-30

Журналы

	1
Optical Materials Express	Optical Materials Express, 1, 12.5% Optical Materials Express 1 публикация, 12.5%
ACS Applied Electronic Materials	ACS Applied Electronic Materials, 1, 12.5% ACS Applied Electronic Materials 1 публикация, 12.5%
Journal of Nanoparticle Research	Journal of Nanoparticle Research, 1, 12.5% Journal of Nanoparticle Research 1 публикация, 12.5%
Materials Today Nano	Materials Today Nano, 1, 12.5% Materials Today Nano 1 публикация, 12.5%
Particle and Particle Systems Characterization	Particle and Particle Systems Characterization, 1, 12.5% Particle and Particle Systems Characterization 1 публикация, 12.5%
ACS Applied Nano Materials	ACS Applied Nano Materials, 1, 12.5% ACS Applied Nano Materials 1 публикация, 12.5%
Nanoscale	Nanoscale, 1, 12.5% Nanoscale 1 публикация, 12.5%
Journal of Experimental and Theoretical Physics	Journal of Experimental and Theoretical Physics, 1, 12.5% Journal of Experimental and Theoretical Physics 1 публикация, 12.5%
	1

Издатели

	1 2
American Chemical Society (ACS)	American Chemical Society (ACS), 2, 25% American Chemical Society (ACS) 2 публикации, 25%
Optica Publishing Group	Optica Publishing Group, 1, 12.5% Optica Publishing Group 1 публикация, 12.5%
Springer Nature	Springer Nature, 1, 12.5% Springer Nature 1 публикация, 12.5%
Elsevier	Elsevier, 1, 12.5% Elsevier 1 публикация, 12.5%
Wiley	Wiley, 1, 12.5% Wiley 1 публикация, 12.5%
Royal Society of Chemistry (RSC)	Royal Society of Chemistry (RSC), 1, 12.5% Royal Society of Chemistry (RSC) 1 публикация, 12.5%
Pleiades Publishing	Pleiades Publishing, 1, 12.5% Pleiades Publishing 1 публикация, 12.5%
	1 2

Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
Статистика публикаций обновляется еженедельно.

Вы ученый?

Создайте профиль, чтобы получать персональные рекомендации коллег, конференций и новых статей.

Войти с ORCID

Метрики

Цитировать

ГОСТ |

Цитировать

ГОСТ Скопировать

Ionin A. A. et al. Structural and electrical characteristics of a hyperdoped silicon surface layer with deep donor sulfur states // JETP Letters. 2014. Vol. 100. No. 1. pp. 55-58.

ГОСТ со всеми авторами (до 50) Скопировать

Ionin A. A., Kudryashov S. I., Makarov S., Melnik N. N., Rudenko A. A., Saltuganov P. N., Seleznev L. V., Sinitsyn D. V., Timkin I. A., Khmelnitskiy R. A. Structural and electrical characteristics of a hyperdoped silicon surface layer with deep donor sulfur states // JETP Letters. 2014. Vol. 100. No. 1. pp. 55-58.

RIS |

Цитировать

RIS Скопировать

TY - JOUR

DO - 10.1134/S0021364014130062

UR - https://doi.org/10.1134/S0021364014130062

TI - Structural and electrical characteristics of a hyperdoped silicon surface layer with deep donor sulfur states

T2 - JETP Letters

AU - Ionin, A. A.

AU - Kudryashov, S. I.

AU - Makarov, S.V.

AU - Melnik, N. N.

AU - Rudenko, A. A.

AU - Saltuganov, P N

AU - Seleznev, L V

AU - Sinitsyn, D V

AU - Timkin, I A

AU - Khmelnitskiy, R A

PY - 2014

DA - 2014/09/12

PB - Pleiades Publishing

SP - 55-58

IS - 1

VL - 100

SN - 0021-3640

SN - 1090-6487

ER -

BibTex |

Цитировать

BibTex (до 50 авторов) Скопировать

@article{2014_Ionin,

author = {A. A. Ionin and S. I. Kudryashov and S.V. Makarov and N. N. Melnik and A. A. Rudenko and P N Saltuganov and L V Seleznev and D V Sinitsyn and I A Timkin and R A Khmelnitskiy},

title = {Structural and electrical characteristics of a hyperdoped silicon surface layer with deep donor sulfur states},

journal = {JETP Letters},

year = {2014},

volume = {100},

publisher = {Pleiades Publishing},

month = {sep},

url = {https://doi.org/10.1134/S0021364014130062},

number = {1},

pages = {55--58},

doi = {10.1134/S0021364014130062}

}

MLA

Цитировать

MLA Скопировать

Ionin, A. A., et al. “Structural and electrical characteristics of a hyperdoped silicon surface layer with deep donor sulfur states.” JETP Letters, vol. 100, no. 1, Sep. 2014, pp. 55-58. https://doi.org/10.1134/S0021364014130062.