Exchange enhancement of the g factor in InAs/AlSb heterostructures
Тип публикации: Journal Article
Дата публикации: 2008-07-10
SCImago Q4
WOS Q4
БС3
SJR: 0.177
CiteScore: 0.9
Impact factor: 0.6
ISSN: 10637826, 10906479, 17267315, 09412751
Electronic, Optical and Magnetic Materials
Atomic and Molecular Physics, and Optics
Condensed Matter Physics
Краткое описание
The evolution of the Shubnikov-de Haas oscillations in InAs/AlSb heterostructures with twodimensional electron gas in InAs quantum wells 12–18 nm wide with considerable variation in the electron concentration (3–8) × 1011 cm−2 due to the effect of negative persistent photoconductivity is studied. The values of the effective Landé factor for electrons g* = −(15–35) are determined. It is shown that the value of the g* factor increases as the quantum well width increases.
Найдено
Ничего не найдено, попробуйте изменить настройки фильтра.
Для доступа к списку цитирований публикации необходимо авторизоваться.
Для доступа к списку профилей, цитирующих публикацию, необходимо авторизоваться.
Топ-30
Журналы
|
1
2
3
4
5
6
|
|
|
Semiconductors
6 публикаций, 17.65%
|
|
|
Physical Review B
6 публикаций, 17.65%
|
|
|
Physical Review Letters
4 публикации, 11.76%
|
|
|
Journal of Physics Condensed Matter
4 публикации, 11.76%
|
|
|
Journal of Applied Physics
3 публикации, 8.82%
|
|
|
Journal of Physics: Conference Series
1 публикация, 2.94%
|
|
|
Semiconductor Science and Technology
1 публикация, 2.94%
|
|
|
Materials for Quantum Technology
1 публикация, 2.94%
|
|
|
Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures
1 публикация, 2.94%
|
|
|
Nanoscale
1 публикация, 2.94%
|
|
|
Journal of Communications Technology and Electronics
1 публикация, 2.94%
|
|
|
Journal of Experimental and Theoretical Physics
1 публикация, 2.94%
|
|
|
JETP Letters
1 публикация, 2.94%
|
|
|
Science
1 публикация, 2.94%
|
|
|
Solid State Phenomena
1 публикация, 2.94%
|
|
|
Solid State Physics: Advances in Research and Applications
1 публикация, 2.94%
|
|
|
1
2
3
4
5
6
|
Издатели
|
2
4
6
8
10
|
|
|
American Physical Society (APS)
10 публикаций, 29.41%
|
|
|
Pleiades Publishing
9 публикаций, 26.47%
|
|
|
IOP Publishing
7 публикаций, 20.59%
|
|
|
AIP Publishing
3 публикации, 8.82%
|
|
|
Elsevier
2 публикации, 5.88%
|
|
|
Royal Society of Chemistry (RSC)
1 публикация, 2.94%
|
|
|
American Association for the Advancement of Science (AAAS)
1 публикация, 2.94%
|
|
|
Trans Tech Publications
1 публикация, 2.94%
|
|
|
2
4
6
8
10
|
- Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
- Статистика публикаций обновляется еженедельно.
Вы ученый?
Создайте профиль, чтобы получать персональные рекомендации коллег, конференций и новых статей.
Войти с ORCID
Метрики
34
Всего цитирований:
34
Цитирований c 2025:
3
(8.82%)
Цитировать
ГОСТ |
RIS |
BibTex |
MLA
Цитировать
ГОСТ
Скопировать
Aleshkin V. et al. Exchange enhancement of the g factor in InAs/AlSb heterostructures // Semiconductors. 2008. Vol. 42. No. 7. pp. 828-833.
ГОСТ со всеми авторами (до 50)
Скопировать
Aleshkin V., Gavrilenko V. I., Ikonnikov A. V., Krishtopenko S. S., Sadofyev Y., Spirin K. E. Exchange enhancement of the g factor in InAs/AlSb heterostructures // Semiconductors. 2008. Vol. 42. No. 7. pp. 828-833.
Цитировать
RIS
Скопировать
TY - JOUR
DO - 10.1134/S1063782608070129
UR - https://doi.org/10.1134/S1063782608070129
TI - Exchange enhancement of the g factor in InAs/AlSb heterostructures
T2 - Semiconductors
AU - Aleshkin, V. Ya.
AU - Gavrilenko, V. I.
AU - Ikonnikov, A V
AU - Krishtopenko, S. S.
AU - Sadofyev, Yu.G
AU - Spirin, K. E.
PY - 2008
DA - 2008/07/10
PB - Pleiades Publishing
SP - 828-833
IS - 7
VL - 42
SN - 1063-7826
SN - 1090-6479
SN - 1726-7315
SN - 0941-2751
ER -
Цитировать
BibTex (до 50 авторов)
Скопировать
@article{2008_Aleshkin,
author = {V. Ya. Aleshkin and V. I. Gavrilenko and A V Ikonnikov and S. S. Krishtopenko and Yu.G Sadofyev and K. E. Spirin},
title = {Exchange enhancement of the g factor in InAs/AlSb heterostructures},
journal = {Semiconductors},
year = {2008},
volume = {42},
publisher = {Pleiades Publishing},
month = {jul},
url = {https://doi.org/10.1134/S1063782608070129},
number = {7},
pages = {828--833},
doi = {10.1134/S1063782608070129}
}
Цитировать
MLA
Скопировать
Aleshkin, V. Ya., et al. “Exchange enhancement of the g factor in InAs/AlSb heterostructures.” Semiconductors, vol. 42, no. 7, Jul. 2008, pp. 828-833. https://doi.org/10.1134/S1063782608070129.
Профили
Ошибка в публикации?