Semiconductors

, том 47 , издание 13 , страницы 1711-1714

Diagnostics of γ-irradiated Si-SiO2 structures by the cathodoluminescence method

Тип публикации: Journal Article

Дата публикации: 2013-12-16

Pleiades Publishing

Semiconductors

scimago Q4

wos Q4

БС3

SJR: 0.154

CiteScore: 0.9

Impact factor: 0.6

ISSN: 10637826, 10906479, 17267315, 09412751

DOI: 10.1134/S1063782613130022

Скопировать DOI

Electronic, Optical and Magnetic Materials

Atomic and Molecular Physics, and Optics

Condensed Matter Physics

Краткое описание

The specific features of application of the cathodoluminescence (CL) method for the diagnostics of Si-SiO2 structures, related to the possibility of forming luminescence centers directly when recording CL spectra, are considered. The CL efficiency is shown by the example of the effect of γ irradiation on the properties of Si-SiO2. A model of the breakup of Si-OH groups in the oxide layer as a result of γ irradiation is proposed and confirmed by independent electrical measurements.

Найдено

4 цитирования

Петров Юрий

🤝

к.ф.-м.н.

89 публикаций, 749 цитирований

Индекс Хирша: 15

Санкт-Петербургский государственный университет

Области научных интересов

Гелиевая ионная микроскопия

Люминесценция

Наноматериалы

Электронная микроскопия

Топ-30

Журналы

	1 2
Optics and Spectroscopy (English translation of Optika i Spektroskopiya)	Optics and Spectroscopy (English translation of Optika i Spektroskopiya), 2, 25% Optics and Spectroscopy (English translation of Optika i Spektroskopiya) 2 публикации, 25%
Technical Physics Letters	Technical Physics Letters, 2, 25% Technical Physics Letters 2 публикации, 25%
Journal of Luminescence	Journal of Luminescence, 1, 12.5% Journal of Luminescence 1 публикация, 12.5%
Journal of Applied Physics	Journal of Applied Physics, 1, 12.5% Journal of Applied Physics 1 публикация, 12.5%
Thin Solid Films	Thin Solid Films, 1, 12.5% Thin Solid Films 1 публикация, 12.5%
Crystallography Reports	Crystallography Reports, 1, 12.5% Crystallography Reports 1 публикация, 12.5%
	1 2

Издатели

	1 2 3 4 5
Pleiades Publishing	Pleiades Publishing, 5, 62.5% Pleiades Publishing 5 публикаций, 62.5%
Elsevier	Elsevier, 2, 25% Elsevier 2 публикации, 25%
AIP Publishing	AIP Publishing, 1, 12.5% AIP Publishing 1 публикация, 12.5%
	1 2 3 4 5

Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
Статистика публикаций обновляется еженедельно.

Вы ученый?

Создайте профиль, чтобы получать персональные рекомендации коллег, конференций и новых статей.

Войти с ORCID

Метрики

Цитировать

ГОСТ |

Цитировать

ГОСТ Скопировать

Baraban A. P. et al. Diagnostics of γ-irradiated Si-SiO2 structures by the cathodoluminescence method // Semiconductors. 2013. Vol. 47. No. 13. pp. 1711-1714.

ГОСТ со всеми авторами (до 50) Скопировать

Baraban A. P., Dmitriev V., PETROV Y. V., Timofeeva K. A. Diagnostics of γ-irradiated Si-SiO2 structures by the cathodoluminescence method // Semiconductors. 2013. Vol. 47. No. 13. pp. 1711-1714.

RIS |

Цитировать

RIS Скопировать

TY - JOUR

DO - 10.1134/S1063782613130022

UR - https://doi.org/10.1134/S1063782613130022

TI - Diagnostics of γ-irradiated Si-SiO2 structures by the cathodoluminescence method

T2 - Semiconductors

AU - Baraban, A P

AU - Dmitriev, V.A.

AU - PETROV, YU. V.

AU - Timofeeva, K A

PY - 2013

DA - 2013/12/16

PB - Pleiades Publishing

SP - 1711-1714

IS - 13

VL - 47

SN - 1063-7826

SN - 1090-6479

SN - 1726-7315

SN - 0941-2751

ER -

BibTex |

Цитировать

BibTex (до 50 авторов) Скопировать

@article{2013_Baraban,

author = {A P Baraban and V.A. Dmitriev and YU. V. PETROV and K A Timofeeva},

title = {Diagnostics of γ-irradiated Si-SiO2 structures by the cathodoluminescence method},

journal = {Semiconductors},

year = {2013},

volume = {47},

publisher = {Pleiades Publishing},

month = {dec},

url = {https://doi.org/10.1134/S1063782613130022},

number = {13},

pages = {1711--1714},

doi = {10.1134/S1063782613130022}

}

MLA

Цитировать

MLA Скопировать

Baraban, A. P., et al. “Diagnostics of γ-irradiated Si-SiO2 structures by the cathodoluminescence method.” Semiconductors, vol. 47, no. 13, Dec. 2013, pp. 1711-1714. https://doi.org/10.1134/S1063782613130022.