Modulation of intersubband light absorption and interband photoluminescence in double GaAs/AlGaAs quantum wells under strong lateral electric fields
Тип публикации: Journal Article
Дата публикации: 2016-11-05
scimago Q4
wos Q4
БС3
SJR: 0.154
CiteScore: 0.9
Impact factor: 0.6
ISSN: 10637826, 10906479, 17267315, 09412751
Electronic, Optical and Magnetic Materials
Atomic and Molecular Physics, and Optics
Condensed Matter Physics
Краткое описание
The effect of a lateral electric field on the mid-infrared absorption and interband photoluminescence spectra in double tunnel-coupled GaAs/AlGaAs quantum wells is studied. The results obtained are explained by the redistribution of hot electrons between quantum wells and changes in the space charge in the structure. The hot carrier temperature is determined by analyzing the intersubband light absorption and interband photoluminescence modulation spectra under strong lateral electric fields.
Найдено
Ничего не найдено, попробуйте изменить настройки фильтра.
Найдено
Ничего не найдено, попробуйте изменить настройки фильтра.
Топ-30
Журналы
|
1
2
|
|
|
Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures
2 публикации, 20%
|
|
|
Semiconductors
1 публикация, 10%
|
|
|
Micro and Nanostructures
1 публикация, 10%
|
|
|
Low Temperature Physics
1 публикация, 10%
|
|
|
Journal of Luminescence
1 публикация, 10%
|
|
|
Journal of Physics: Conference Series
1 публикация, 10%
|
|
|
Physics of the Solid State
1 публикация, 10%
|
|
|
Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
1 публикация, 10%
|
|
|
Journal of Modern Optics
1 публикация, 10%
|
|
|
1
2
|
Издатели
|
1
2
3
4
|
|
|
Elsevier
4 публикации, 40%
|
|
|
Pleiades Publishing
2 публикации, 20%
|
|
|
AIP Publishing
1 публикация, 10%
|
|
|
IOP Publishing
1 публикация, 10%
|
|
|
National Academy of Sciences of Ukraine - Institute of Semiconductor Physics
1 публикация, 10%
|
|
|
Taylor & Francis
1 публикация, 10%
|
|
|
1
2
3
4
|
- Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
- Статистика публикаций обновляется еженедельно.
Вы ученый?
Создайте профиль, чтобы получать персональные рекомендации коллег, конференций и новых статей.
Метрики
10
Всего цитирований:
10
Цитирований c 2024:
1
(10%)
Самый цитирующий журнал
Цитирований в журнале:
2
Цитировать
ГОСТ |
RIS |
BibTex |
MLA
Цитировать
ГОСТ
Скопировать
Balagula R. M. et al. Modulation of intersubband light absorption and interband photoluminescence in double GaAs/AlGaAs quantum wells under strong lateral electric fields // Semiconductors. 2016. Vol. 50. No. 11. pp. 1425-1430.
ГОСТ со всеми авторами (до 50)
Скопировать
Balagula R. M., Vinnichenko M. Ya., Makhov I. S., FIRSOV D. A., VOROBJEV L. E. Modulation of intersubband light absorption and interband photoluminescence in double GaAs/AlGaAs quantum wells under strong lateral electric fields // Semiconductors. 2016. Vol. 50. No. 11. pp. 1425-1430.
Цитировать
RIS
Скопировать
TY - JOUR
DO - 10.1134/S106378261611004X
UR - https://doi.org/10.1134/S106378261611004X
TI - Modulation of intersubband light absorption and interband photoluminescence in double GaAs/AlGaAs quantum wells under strong lateral electric fields
T2 - Semiconductors
AU - Balagula, R M
AU - Vinnichenko, M Ya
AU - Makhov, I S
AU - FIRSOV, D. A.
AU - VOROBJEV, L. E.
PY - 2016
DA - 2016/11/05
PB - Pleiades Publishing
SP - 1425-1430
IS - 11
VL - 50
SN - 1063-7826
SN - 1090-6479
SN - 1726-7315
SN - 0941-2751
ER -
Цитировать
BibTex (до 50 авторов)
Скопировать
@article{2016_Balagula,
author = {R M Balagula and M Ya Vinnichenko and I S Makhov and D. A. FIRSOV and L. E. VOROBJEV},
title = {Modulation of intersubband light absorption and interband photoluminescence in double GaAs/AlGaAs quantum wells under strong lateral electric fields},
journal = {Semiconductors},
year = {2016},
volume = {50},
publisher = {Pleiades Publishing},
month = {nov},
url = {https://doi.org/10.1134/S106378261611004X},
number = {11},
pages = {1425--1430},
doi = {10.1134/S106378261611004X}
}
Цитировать
MLA
Скопировать
Balagula, R. M., et al. “Modulation of intersubband light absorption and interband photoluminescence in double GaAs/AlGaAs quantum wells under strong lateral electric fields.” Semiconductors, vol. 50, no. 11, Nov. 2016, pp. 1425-1430. https://doi.org/10.1134/S106378261611004X.
Профили