Semiconductors

, том 53 , издание 5 , страницы 624-627

Influence of La Doping on the Transport Properties of Bi1 –xLaxCuSeO Oxyselenides

Тип публикации: Journal Article

Дата публикации: 2019-05-23

Pleiades Publishing

Semiconductors

scimago Q4

wos Q4

БС3

SJR: 0.154

CiteScore: 0.9

Impact factor: 0.6

ISSN: 10637826, 10906479, 17267315, 09412751

DOI: 10.1134/S1063782619050221

Скопировать DOI

Electronic, Optical and Magnetic Materials

Atomic and Molecular Physics, and Optics

Condensed Matter Physics

Краткое описание

The transport properties of p-type oxyselenides with the chemical composition Bi1 –xLaxCuSeO (x = 0.02, 0.04, 0.06) are investigated. An analysis of the temperature dependences of the material resistivity and charge-carrier concentration and mobility show that the substitution of La3+ for Bi3+ ions increases the carrier concentration, presumably, due to the generation of holes as a result of the formation of bismuth vacancies with an increase in the degree of substitution.

Найдено

Топ-30

Журналы

	1
RSC Advances	RSC Advances, 1, 50% RSC Advances 1 публикация, 50%
Applied Surface Science	Applied Surface Science, 1, 50% Applied Surface Science 1 публикация, 50%
	1

Издатели

	1
Royal Society of Chemistry (RSC)	Royal Society of Chemistry (RSC), 1, 50% Royal Society of Chemistry (RSC) 1 публикация, 50%
Elsevier	Elsevier, 1, 50% Elsevier 1 публикация, 50%
	1

Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
Статистика публикаций обновляется еженедельно.

Вы ученый?

Создайте профиль, чтобы получать персональные рекомендации коллег, конференций и новых статей.

Войти с ORCID

Метрики

Цитировать

ГОСТ |

Цитировать

ГОСТ Скопировать

Pankratova D. S. et al. Influence of La Doping on the Transport Properties of Bi1 –xLaxCuSeO Oxyselenides // Semiconductors. 2019. Vol. 53. No. 5. pp. 624-627.

ГОСТ со всеми авторами (до 50) Скопировать

Pankratova D. S., Novitskii A. P., Kuskov K. V., Sergienko I., Leybo D. V., BURKOV A. T., Konstantinov P., Khovaylo V. V. Influence of La Doping on the Transport Properties of Bi1 –xLaxCuSeO Oxyselenides // Semiconductors. 2019. Vol. 53. No. 5. pp. 624-627.

RIS |

Цитировать

RIS Скопировать

TY - JOUR

DO - 10.1134/S1063782619050221

UR - http://link.springer.com/10.1134/S1063782619050221

TI - Influence of La Doping on the Transport Properties of Bi1 –xLaxCuSeO Oxyselenides

T2 - Semiconductors

AU - Pankratova, D S

AU - Novitskii, A P

AU - Kuskov, K V

AU - Sergienko, I.A

AU - Leybo, D V

AU - BURKOV, A. T.

AU - Konstantinov, P.P

AU - Khovaylo, V V

PY - 2019

DA - 2019/05/23

PB - Pleiades Publishing

SP - 624-627

IS - 5

VL - 53

SN - 1063-7826

SN - 1090-6479

SN - 1726-7315

SN - 0941-2751

ER -

BibTex |

Цитировать

BibTex (до 50 авторов) Скопировать

@article{2019_Pankratova,

author = {D S Pankratova and A P Novitskii and K V Kuskov and I.A Sergienko and D V Leybo and A. T. BURKOV and P.P Konstantinov and V V Khovaylo},

title = {Influence of La Doping on the Transport Properties of Bi1 –xLaxCuSeO Oxyselenides},

journal = {Semiconductors},

year = {2019},

volume = {53},

publisher = {Pleiades Publishing},

month = {may},

url = {http://link.springer.com/10.1134/S1063782619050221},

number = {5},

pages = {624--627},

doi = {10.1134/S1063782619050221}

}

MLA

Цитировать

MLA Скопировать

Pankratova, D. S., et al. “Influence of La Doping on the Transport Properties of Bi1 –xLaxCuSeO Oxyselenides.” Semiconductors, vol. 53, no. 5, May. 2019, pp. 624-627. http://link.springer.com/10.1134/S1063782619050221.