том 53 издание 9 страницы 1266-1271

Evolution of the Impurity Photoconductivity in CdHgTe Epitaxial Films with Temperature

Тип публикацииJournal Article
Дата публикации2019-09-03
SCImago Q4
WOS Q4
БС3
SJR0.177
CiteScore0.9
Impact factor0.6
ISSN10637826, 10906479, 17267315, 09412751
Electronic, Optical and Magnetic Materials
Atomic and Molecular Physics, and Optics
Condensed Matter Physics
Краткое описание
The photoconductivity spectra of epitaxial CdHgTe films are investigated by Fourier-transform spectroscopy at various temperatures. Features associated with both the interband absorption and ionization of impurity/defect states are found in the spectra. Their evolution with temperature is traced. The temperatures of “vanishing” of the impurity features are determined, which makes it possible to assess the acceptor concentration in the structures under study using the electroneutrality equation.
Для доступа к списку цитирований публикации необходимо авторизоваться.
Для доступа к списку профилей, цитирующих публикацию, необходимо авторизоваться.

Топ-30

Журналы

1
JETP Letters
1 публикация, 50%
Semiconductor Science and Technology
1 публикация, 50%
1

Издатели

1
Pleiades Publishing
1 публикация, 50%
IOP Publishing
1 публикация, 50%
1
  • Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
  • Статистика публикаций обновляется еженедельно.

Вы ученый?

Создайте профиль, чтобы получать персональные рекомендации коллег, конференций и новых статей.
 Войти с ORCID
Метрики
2
Поделиться
Цитировать
ГОСТ |
Цитировать
Uaman Svetikova T. A. et al. Evolution of the Impurity Photoconductivity in CdHgTe Epitaxial Films with Temperature // Semiconductors. 2019. Vol. 53. No. 9. pp. 1266-1271.
ГОСТ со всеми авторами (до 50) Скопировать
Uaman Svetikova T. A., Ikonnikov A. V., Rumyantsev V. V., Kozlov D. V., Chernichkin V. I., Galeeva A. V., Varavin V., Mikhailov N. N., DVORETSKII S. A., MOROZOV S., Gavrilenko V. I. Evolution of the Impurity Photoconductivity in CdHgTe Epitaxial Films with Temperature // Semiconductors. 2019. Vol. 53. No. 9. pp. 1266-1271.
RIS |
Цитировать
TY - JOUR
DO - 10.1134/S1063782619090240
UR - https://doi.org/10.1134/S1063782619090240
TI - Evolution of the Impurity Photoconductivity in CdHgTe Epitaxial Films with Temperature
T2 - Semiconductors
AU - Uaman Svetikova, T A
AU - Ikonnikov, A V
AU - Rumyantsev, V. V.
AU - Kozlov, D. V.
AU - Chernichkin, V I
AU - Galeeva, A V
AU - Varavin, V.S.
AU - Mikhailov, N. N.
AU - DVORETSKII, S. A.
AU - MOROZOV, S.V.
AU - Gavrilenko, V. I.
PY - 2019
DA - 2019/09/03
PB - Pleiades Publishing
SP - 1266-1271
IS - 9
VL - 53
SN - 1063-7826
SN - 1090-6479
SN - 1726-7315
SN - 0941-2751
ER -
BibTex |
Цитировать
BibTex (до 50 авторов) Скопировать
@article{2019_Uaman Svetikova,
author = {T A Uaman Svetikova and A V Ikonnikov and V. V. Rumyantsev and D. V. Kozlov and V I Chernichkin and A V Galeeva and V.S. Varavin and N. N. Mikhailov and S. A. DVORETSKII and S.V. MOROZOV and V. I. Gavrilenko},
title = {Evolution of the Impurity Photoconductivity in CdHgTe Epitaxial Films with Temperature},
journal = {Semiconductors},
year = {2019},
volume = {53},
publisher = {Pleiades Publishing},
month = {sep},
url = {https://doi.org/10.1134/S1063782619090240},
number = {9},
pages = {1266--1271},
doi = {10.1134/S1063782619090240}
}
MLA
Цитировать
Uaman Svetikova, T. A., et al. “Evolution of the Impurity Photoconductivity in CdHgTe Epitaxial Films with Temperature.” Semiconductors, vol. 53, no. 9, Sep. 2019, pp. 1266-1271. https://doi.org/10.1134/S1063782619090240.
Ошибка в публикации?