том 48 издание 6 страницы 1192-1193

Transient short-circuit photocurrent in ferroelectric semiconductor Sn2P2S6 films

Тип публикацииJournal Article
Дата публикации2006-06-16
scimago Q4
wos Q3
white level БС2
SJR0.183
CiteScore1.4
Impact factor1.8
ISSN10637834, 10906460, 17267498
Electronic, Optical and Magnetic Materials
Condensed Matter Physics
Краткое описание
Transient short-circuit photocurrents in films of the ferroelectric semiconductor Sn2P2S6 are studied in a temperature range that includes the phase transition point. The influence of an external electric field and white-light illumination on the photoelectric response of samples is discussed.
Для доступа к списку цитирований публикации необходимо авторизоваться.
Для доступа к списку профилей, цитирующих публикацию, необходимо авторизоваться.

Топ-30

Журналы

1
Journal of Advanced Dielectrics
1 публикация, 12.5%
Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science
1 публикация, 12.5%
Journal of the European Ceramic Society
1 публикация, 12.5%
Thin Solid Films
1 публикация, 12.5%
RSC Advances
1 публикация, 12.5%
Integrated Ferroelectrics
1 публикация, 12.5%
Ferroelectrics
1 публикация, 12.5%
1

Издатели

1
2
Wiley
2 публикации, 25%
Elsevier
2 публикации, 25%
Taylor & Francis
2 публикации, 25%
World Scientific
1 публикация, 12.5%
Royal Society of Chemistry (RSC)
1 публикация, 12.5%
1
2
  • Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
  • Статистика публикаций обновляется еженедельно.

Вы ученый?

Создайте профиль, чтобы получать персональные рекомендации коллег, конференций и новых статей.
Метрики
8
Поделиться
Цитировать
ГОСТ |
Цитировать
Bogomolov A. A. et al. Transient short-circuit photocurrent in ferroelectric semiconductor Sn2P2S6 films // Physics of the Solid State. 2006. Vol. 48. No. 6. pp. 1192-1193.
ГОСТ со всеми авторами (до 50) Скопировать
Bogomolov A. A., Solnyshkin A. V., Kiselev D. A., Raevskiĭ I. P., Protsenko N., Sandzhiev D. N. Transient short-circuit photocurrent in ferroelectric semiconductor Sn2P2S6 films // Physics of the Solid State. 2006. Vol. 48. No. 6. pp. 1192-1193.
RIS |
Цитировать
TY - JOUR
DO - 10.1134/S1063783406060552
UR - https://doi.org/10.1134/S1063783406060552
TI - Transient short-circuit photocurrent in ferroelectric semiconductor Sn2P2S6 films
T2 - Physics of the Solid State
AU - Bogomolov, A A
AU - Solnyshkin, A. V.
AU - Kiselev, D. A.
AU - Raevskiĭ, I P
AU - Protsenko, N.P
AU - Sandzhiev, D N
PY - 2006
DA - 2006/06/16
PB - Pleiades Publishing
SP - 1192-1193
IS - 6
VL - 48
SN - 1063-7834
SN - 1090-6460
SN - 1726-7498
ER -
BibTex |
Цитировать
BibTex (до 50 авторов) Скопировать
@article{2006_Bogomolov,
author = {A A Bogomolov and A. V. Solnyshkin and D. A. Kiselev and I P Raevskiĭ and N.P Protsenko and D N Sandzhiev},
title = {Transient short-circuit photocurrent in ferroelectric semiconductor Sn2P2S6 films},
journal = {Physics of the Solid State},
year = {2006},
volume = {48},
publisher = {Pleiades Publishing},
month = {jun},
url = {https://doi.org/10.1134/S1063783406060552},
number = {6},
pages = {1192--1193},
doi = {10.1134/S1063783406060552}
}
MLA
Цитировать
Bogomolov, A. A., et al. “Transient short-circuit photocurrent in ferroelectric semiconductor Sn2P2S6 films.” Physics of the Solid State, vol. 48, no. 6, Jun. 2006, pp. 1192-1193. https://doi.org/10.1134/S1063783406060552.
Ошибка в публикации?