Pleiades Publishing
Physics of the Solid State
,  том 54 ,  издание 6 ,  страницы 1149-1152

Electron-excited luminescence of SiO 2 layers on silicon

Тип публикации: Journal Article
Дата публикации: 2012-06-05
Pleiades Publishing
SCImago Q4
WOS Q3
БС2
SJR: 0.213
CiteScore: 1.2
Impact factor: 2.4
ISSN: 10637834, 10906460, 17267498
Electronic, Optical and Magnetic Materials
Condensed Matter Physics
Краткое описание
An analysis of cathodoluminescence and electroluminescence spectra of Si-SiO2 structures suggests a conclusion concerning the processes involved in excitation of the luminescence centers generated in the UV spectral region and their localization. The electroluminescence observed in this region of the spectrum is generated in excitation of luminescence centers localized in the immediate vicinity of the Si-SiO2 phase boundary. In the case of cathodoluminescence, the observed emission bands at ∼4.3 and ∼2.7 eV appear in excitation of the luminescence of silylene centers at the Si-SiO2 phase boundary.
Для доступа к списку цитирований публикации необходимо авторизоваться.
 Войти с ORCID
Для доступа к списку профилей, цитирующих публикацию, необходимо авторизоваться.
 Войти с ORCID

Топ-30

Журналы

1
Journal of Luminescence
Journal of Luminescence, 1, 33.33%
Journal of Luminescence
1 публикация, 33.33%
Journal of Applied Physics
Journal of Applied Physics, 1, 33.33%
Journal of Applied Physics
1 публикация, 33.33%
Physics of the Solid State
Physics of the Solid State, 1, 33.33%
Physics of the Solid State
1 публикация, 33.33%
1

Издатели

1
Elsevier
Elsevier, 1, 33.33%
Elsevier
1 публикация, 33.33%
AIP Publishing
AIP Publishing, 1, 33.33%
AIP Publishing
1 публикация, 33.33%
Pleiades Publishing
Pleiades Publishing, 1, 33.33%
Pleiades Publishing
1 публикация, 33.33%
1
  • Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
  • Статистика публикаций обновляется еженедельно.

Вы ученый?

Создайте профиль, чтобы получать персональные рекомендации коллег, конференций и новых статей.
 Войти с ORCID
Метрики
3
Поделиться
Цитировать
ГОСТ |
Цитировать
ГОСТ Скопировать
Baraban A. P. et al. Electron-excited luminescence of SiO 2 layers on silicon // Physics of the Solid State. 2012. Vol. 54. No. 6. pp. 1149-1152.
ГОСТ со всеми авторами (до 50) Скопировать
Baraban A. P., Dmitriev V., PETROV Y. V., Timofeeva K. A. Electron-excited luminescence of SiO 2 layers on silicon // Physics of the Solid State. 2012. Vol. 54. No. 6. pp. 1149-1152.
RIS |
Цитировать
RIS Скопировать
TY - JOUR
DO - 10.1134/S1063783412060066
UR - https://doi.org/10.1134/S1063783412060066
TI - Electron-excited luminescence of SiO 2 layers on silicon
T2 - Physics of the Solid State
AU - Baraban, A P
AU - Dmitriev, V.A.
AU - PETROV, YU. V.
AU - Timofeeva, K A
PY - 2012
DA - 2012/06/05
PB - Pleiades Publishing
SP - 1149-1152
IS - 6
VL - 54
SN - 1063-7834
SN - 1090-6460
SN - 1726-7498
ER -
BibTex |
Цитировать
BibTex (до 50 авторов) Скопировать
@article{2012_Baraban,
author = {A P Baraban and V.A. Dmitriev and YU. V. PETROV and K A Timofeeva},
title = {Electron-excited luminescence of SiO 2 layers on silicon},
journal = {Physics of the Solid State},
year = {2012},
volume = {54},
publisher = {Pleiades Publishing},
month = {jun},
url = {https://doi.org/10.1134/S1063783412060066},
number = {6},
pages = {1149--1152},
doi = {10.1134/S1063783412060066}
}
MLA
Цитировать
MLA Скопировать
Baraban, A. P., et al. “Electron-excited luminescence of SiO 2 layers on silicon.” Physics of the Solid State, vol. 54, no. 6, Jun. 2012, pp. 1149-1152. https://doi.org/10.1134/S1063783412060066.
Ошибка в публикации?