Московский государственный технический университет им. Н. Э. Баумана

Технологии функциональных покрытий

Материаловедение Физика конденсированного состояния Нанотехнологии

Заведующий лабораторией

Карцев Алексей Иванович

PhD

Публикаций

Цитирований

568

Индекс Хирша

Необходимо авторизоваться.

Разработка технологии нанесения углеродных алмазоподобных покрытий для повышения физико-механических и медико-биологических характеристик изделий. Компьютерный дизайн материалов.

Ab inito
DFT расчеты
Атомно-слоевое осаждение (Atomic layer deposition)
Вакуумно-термическое напыление
Машинное обучение
Молекулярно-слоевое осаждение (Molecular layer deposition)
Осаждение тонких пленок
Теория конденсированного состояния
Плазменная обработка

Алексей Карцев 🥼 🤝

Заведующий лабораторией

Всего публикаций

Всего цитирований

Цитирований на публикацию

4.83

Среднее число публикаций в год

Годы публикаций

2022-2024 (3 года)

h-index

i10-index

m-index

o-index

g-index

w-index

Описание метрик

h-index

Учёный имеет индекс h, если h из его N статей цитируются как минимум h раз каждая, в то время как оставшиеся (N - h) статей цитируются не более чем h раз каждая.

https://www.pnas.org/doi/full/10.1073/pnas.0507655102

i10-index

Число статей автора, получивших не менее 10 ссылок каждая.

https://scholar.googleblog.com/2011/11/google-scholar-citations-open-to-all.html

m-index

m-индекс ученого численно равен отношению его h-индекса к количеству лет, прошедших с момента первой публикации.

https://harzing.com/publications/white-papers/reflections-on-the-h-index

o-index

Среднее геометрическое h-индекса и числа цитирований наиболее цитируемой статьи ученого.

https://arxiv.org/abs/1511.01545

g-index

Для данного множества статей, отсортированного в порядке убывания количества цитирований, которые получили эти статьи, g-индекс это наибольшее число, такое что g самых цитируемых статей получили (суммарно) не менее g² цитирований.

https://doi.org/10.1007/s11192-006-0144-7

w-index

Если w статей ученого имеют не менее 10w цитирований каждая и другие статьи меньше, чем 10(w+1) цитирований, то w-индекс исследователя равен w.

https://doi.org/10.1002/asi.21276

Топ-100

Области наук

	1 2 3
Electronic, Optical and Magnetic Materials	Electronic, Optical and Magnetic Materials, 3, 50% Electronic, Optical and Magnetic Materials 3 публикации, 50%
Condensed Matter Physics	Condensed Matter Physics, 2, 33.33% Condensed Matter Physics 2 публикации, 33.33%
Surfaces, Coatings and Films	Surfaces, Coatings and Films, 1, 16.67% Surfaces, Coatings and Films 1 публикация, 16.67%
Physical and Theoretical Chemistry	Physical and Theoretical Chemistry, 1, 16.67% Physical and Theoretical Chemistry 1 публикация, 16.67%
Atomic and Molecular Physics, and Optics	Atomic and Molecular Physics, and Optics, 1, 16.67% Atomic and Molecular Physics, and Optics 1 публикация, 16.67%
General Materials Science	General Materials Science, 1, 16.67% General Materials Science 1 публикация, 16.67%
Electrical and Electronic Engineering	Electrical and Electronic Engineering, 1, 16.67% Electrical and Electronic Engineering 1 публикация, 16.67%
General Energy	General Energy, 1, 16.67% General Energy 1 публикация, 16.67%
Radiation	Radiation, 1, 16.67% Radiation 1 публикация, 16.67%
	1 2 3

Журналы

	1
Journal of Communications Technology and Electronics	Journal of Communications Technology and Electronics, 1, 16.67% Journal of Communications Technology and Electronics 1 публикация, 16.67%
Journal of Materials Chemistry C	Journal of Materials Chemistry C, 1, 16.67% Journal of Materials Chemistry C 1 публикация, 16.67%
Journal of Physics Condensed Matter	Journal of Physics Condensed Matter, 1, 16.67% Journal of Physics Condensed Matter 1 публикация, 16.67%
Journal of Physical Chemistry C	Journal of Physical Chemistry C, 1, 16.67% Journal of Physical Chemistry C 1 публикация, 16.67%
Optica	Optica, 1, 16.67% Optica 1 публикация, 16.67%
Поверхность Рентгеновские синхротронные и нейтронные исследования	Поверхность Рентгеновские синхротронные и нейтронные исследования, 1, 16.67% Поверхность Рентгеновские синхротронные и нейтронные исследования 1 публикация, 16.67%
	1

Цитирующие журналы

	1 2 3 4
Nanoscale	Nanoscale, 4, 13.79% Nanoscale 4 цитирования, 13.79%
Journal of Physical Chemistry Letters	Journal of Physical Chemistry Letters, 3, 10.34% Journal of Physical Chemistry Letters 3 цитирования, 10.34%
Journal of Materials Chemistry C	Journal of Materials Chemistry C, 2, 6.9% Journal of Materials Chemistry C 2 цитирования, 6.9%
Physical Review Materials	Physical Review Materials, 2, 6.9% Physical Review Materials 2 цитирования, 6.9%
Journal of Physical Chemistry C	Journal of Physical Chemistry C, 2, 6.9% Journal of Physical Chemistry C 2 цитирования, 6.9%
Small	Small, 2, 6.9% Small 2 цитирования, 6.9%
Advances in Optics and Photonics	Advances in Optics and Photonics, 1, 3.45% Advances in Optics and Photonics 1 цитирование, 3.45%
Journal of Surface Investigation	Journal of Surface Investigation, 1, 3.45% Journal of Surface Investigation 1 цитирование, 3.45%
Optics Letters	Optics Letters, 1, 3.45% Optics Letters 1 цитирование, 3.45%
Physical Chemistry Chemical Physics	Physical Chemistry Chemical Physics, 1, 3.45% Physical Chemistry Chemical Physics 1 цитирование, 3.45%
Journal of Alloys and Compounds	Journal of Alloys and Compounds, 1, 3.45% Journal of Alloys and Compounds 1 цитирование, 3.45%
Physical Review Letters	Physical Review Letters, 1, 3.45% Physical Review Letters 1 цитирование, 3.45%
Journal of Physics Condensed Matter	Journal of Physics Condensed Matter, 1, 3.45% Journal of Physics Condensed Matter 1 цитирование, 3.45%
Advanced Functional Materials	Advanced Functional Materials, 1, 3.45% Advanced Functional Materials 1 цитирование, 3.45%
Optics Express	Optics Express, 1, 3.45% Optics Express 1 цитирование, 3.45%
Nanotechnology	Nanotechnology, 1, 3.45% Nanotechnology 1 цитирование, 3.45%
Physical Review B	Physical Review B, 1, 3.45% Physical Review B 1 цитирование, 3.45%
ACS Applied Electronic Materials	ACS Applied Electronic Materials, 1, 3.45% ACS Applied Electronic Materials 1 цитирование, 3.45%
ACS Applied Engineering Materials	ACS Applied Engineering Materials, 1, 3.45% ACS Applied Engineering Materials 1 цитирование, 3.45%
Поверхность Рентгеновские синхротронные и нейтронные исследования	Поверхность Рентгеновские синхротронные и нейтронные исследования, 1, 3.45% Поверхность Рентгеновские синхротронные и нейтронные исследования 1 цитирование, 3.45%
	1 2 3 4

Издатели

	1
American Chemical Society (ACS)	American Chemical Society (ACS), 1, 16.67% American Chemical Society (ACS) 1 публикация, 16.67%
Pleiades Publishing	Pleiades Publishing, 1, 16.67% Pleiades Publishing 1 публикация, 16.67%
Royal Society of Chemistry (RSC)	Royal Society of Chemistry (RSC), 1, 16.67% Royal Society of Chemistry (RSC) 1 публикация, 16.67%
Optica Publishing Group	Optica Publishing Group, 1, 16.67% Optica Publishing Group 1 публикация, 16.67%
IOP Publishing	IOP Publishing, 1, 16.67% IOP Publishing 1 публикация, 16.67%
The Russian Academy of Sciences	The Russian Academy of Sciences, 1, 16.67% The Russian Academy of Sciences 1 публикация, 16.67%
	1

Организации из публикаций

	1 2 3 4 5
Московский государственный технический университет им. Н. Э. Баумана	Московский государственный технический университет им. Н. Э. Баумана, 5, 83.33% Московский государственный технический университет им. Н. Э. Баумана 5 публикаций, 83.33%
Российский Университет Дружбы Народов	Российский Университет Дружбы Народов, 4, 66.67% Российский Университет Дружбы Народов 4 публикации, 66.67%
Вычислительный центр ДВО РАН	Вычислительный центр ДВО РАН, 4, 66.67% Вычислительный центр ДВО РАН 4 публикации, 66.67%
Институт радиотехники и электроники имени В.А. Котельникова РАН	Институт радиотехники и электроники имени В.А. Котельникова РАН, 2, 33.33% Институт радиотехники и электроники имени В.А. Котельникова РАН 2 публикации, 33.33%
МИРЭА — Российский технологический университет	МИРЭА — Российский технологический университет, 2, 33.33% МИРЭА — Российский технологический университет 2 публикации, 33.33%
Индийский институт технологии в Харагпуре	Индийский институт технологии в Харагпуре, 2, 33.33% Индийский институт технологии в Харагпуре 2 публикации, 33.33%
Университет Райса	Университет Райса, 2, 33.33% Университет Райса 2 публикации, 33.33%
Индийский научный институт	Индийский научный институт, 1, 16.67% Индийский научный институт 1 публикация, 16.67%
Индийский институт технологии в Гандинагаре	Индийский институт технологии в Гандинагаре, 1, 16.67% Индийский институт технологии в Гандинагаре 1 публикация, 16.67%
Оксфордский университет	Оксфордский университет, 1, 16.67% Оксфордский университет 1 публикация, 16.67%
Национальная ускорительная лаборатория SLAC	Национальная ускорительная лаборатория SLAC, 1, 16.67% Национальная ускорительная лаборатория SLAC 1 публикация, 16.67%
Стэнфордский университет	Стэнфордский университет, 1, 16.67% Стэнфордский университет 1 публикация, 16.67%
Институт квантовой оптики Общества Макса Планка	Институт квантовой оптики Общества Макса Планка, 1, 16.67% Институт квантовой оптики Общества Макса Планка 1 публикация, 16.67%
Мюнхенский университет имени Людвига и Максимилиана	Мюнхенский университет имени Людвига и Максимилиана, 1, 16.67% Мюнхенский университет имени Людвига и Максимилиана 1 публикация, 16.67%
Университет штата Кампинас	Университет штата Кампинас, 1, 16.67% Университет штата Кампинас 1 публикация, 16.67%
Университет Джимма	Университет Джимма, 1, 16.67% Университет Джимма 1 публикация, 16.67%
	1 2 3 4 5

Страны из публикаций

	1 2 3 4 5 6
Россия	Россия, 6, 100% Россия 6 публикаций, 100%
США	США, 3, 50% США 3 публикации, 50%
Индия	Индия, 2, 33.33% Индия 2 публикации, 33.33%
Страна не определена	Страна не определена, 1, 16.67% Страна не определена 1 публикация, 16.67%
Германия	Германия, 1, 16.67% Германия 1 публикация, 16.67%
Бразилия	Бразилия, 1, 16.67% Бразилия 1 публикация, 16.67%
Великобритания	Великобритания, 1, 16.67% Великобритания 1 публикация, 16.67%
Эфиопия	Эфиопия, 1, 16.67% Эфиопия 1 публикация, 16.67%
	1 2 3 4 5 6

Цитирующие организации

	1 2 3 4 5 6
Вычислительный центр ДВО РАН	Вычислительный центр ДВО РАН, 6, 20.69% Вычислительный центр ДВО РАН 6 цитирований, 20.69%
Индийский институт технологии в Харагпуре	Индийский институт технологии в Харагпуре, 6, 20.69% Индийский институт технологии в Харагпуре 6 цитирований, 20.69%
Московский государственный технический университет им. Н. Э. Баумана	Московский государственный технический университет им. Н. Э. Баумана, 5, 17.24% Московский государственный технический университет им. Н. Э. Баумана 5 цитирований, 17.24%
МИРЭА — Российский технологический университет	МИРЭА — Российский технологический университет, 5, 17.24% МИРЭА — Российский технологический университет 5 цитирований, 17.24%
Российский Университет Дружбы Народов	Российский Университет Дружбы Народов, 4, 13.79% Российский Университет Дружбы Народов 4 цитирования, 13.79%
Индийский институт технологии в Джамму	Индийский институт технологии в Джамму, 3, 10.34% Индийский институт технологии в Джамму 3 цитирования, 10.34%
Технический университет Чалмерса	Технический университет Чалмерса, 3, 10.34% Технический университет Чалмерса 3 цитирования, 10.34%
Организация не определена	Организация не определена, 2, 6.9% Организация не определена 2 цитирования, 6.9%
Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»	Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», 2, 6.9% Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» 2 цитирования, 6.9%
Институт радиотехники и электроники имени В.А. Котельникова РАН	Институт радиотехники и электроники имени В.А. Котельникова РАН, 2, 6.9% Институт радиотехники и электроники имени В.А. Котельникова РАН 2 цитирования, 6.9%
Индийский научный институт	Индийский научный институт, 2, 6.9% Индийский научный институт 2 цитирования, 6.9%
Индийский институт технологии в Гандинагаре	Индийский институт технологии в Гандинагаре, 2, 6.9% Индийский институт технологии в Гандинагаре 2 цитирования, 6.9%
Университет Бахр-Дара	Университет Бахр-Дара, 2, 6.9% Университет Бахр-Дара 2 цитирования, 6.9%
Научно-технологический университет имени короля Абдаллы	Научно-технологический университет имени короля Абдаллы, 1, 3.45% Научно-технологический университет имени короля Абдаллы 1 цитирование, 3.45%
Делийский университет	Делийский университет, 1, 3.45% Делийский университет 1 цитирование, 3.45%
Индийский институт технологии (Бенаресский индуистский университет) в Варанаси	Индийский институт технологии (Бенаресский индуистский университет) в Варанаси, 1, 3.45% Индийский институт технологии (Бенаресский индуистский университет) в Варанаси 1 цитирование, 3.45%
Технологический университет имени Насир ад-Дина Туси	Технологический университет имени Насир ад-Дина Туси, 1, 3.45% Технологический университет имени Насир ад-Дина Туси 1 цитирование, 3.45%
Университет Шахеда	Университет Шахеда, 1, 3.45% Университет Шахеда 1 цитирование, 3.45%
Университет Гренобль-Альпы	Университет Гренобль-Альпы, 1, 3.45% Университет Гренобль-Альпы 1 цитирование, 3.45%
Нанкинский университет аэронавтики и астронавтики	Нанкинский университет аэронавтики и астронавтики, 1, 3.45% Нанкинский университет аэронавтики и астронавтики 1 цитирование, 3.45%
Нанкинский университет почты и телекоммуникаций	Нанкинский университет почты и телекоммуникаций, 1, 3.45% Нанкинский университет почты и телекоммуникаций 1 цитирование, 3.45%
Автономный университет Барселоны	Автономный университет Барселоны, 1, 3.45% Автономный университет Барселоны 1 цитирование, 3.45%
Национальный институт материаловедения	Национальный институт материаловедения, 1, 3.45% Национальный институт материаловедения 1 цитирование, 3.45%
Шанхайский университет	Шанхайский университет, 1, 3.45% Шанхайский университет 1 цитирование, 3.45%
Национальная лаборатория имени Лоуренса в Беркли	Национальная лаборатория имени Лоуренса в Беркли, 1, 3.45% Национальная лаборатория имени Лоуренса в Беркли 1 цитирование, 3.45%
Университет Райса	Университет Райса, 1, 3.45% Университет Райса 1 цитирование, 3.45%
Университет Модены и Реджо-Эмилии	Университет Модены и Реджо-Эмилии, 1, 3.45% Университет Модены и Реджо-Эмилии 1 цитирование, 3.45%
Шаньдунский университет Цзянжу	Шаньдунский университет Цзянжу, 1, 3.45% Шаньдунский университет Цзянжу 1 цитирование, 3.45%
Национальная ускорительная лаборатория SLAC	Национальная ускорительная лаборатория SLAC, 1, 3.45% Национальная ускорительная лаборатория SLAC 1 цитирование, 3.45%
Стэнфордский университет	Стэнфордский университет, 1, 3.45% Стэнфордский университет 1 цитирование, 3.45%
Университет штата Аризона	Университет штата Аризона, 1, 3.45% Университет штата Аризона 1 цитирование, 3.45%
Аньянский педагогический университет	Аньянский педагогический университет, 1, 3.45% Аньянский педагогический университет 1 цитирование, 3.45%
Северо-Восточный университет	Северо-Восточный университет, 1, 3.45% Северо-Восточный университет 1 цитирование, 3.45%
Университет Южного Иллинойса в Карбондейле	Университет Южного Иллинойса в Карбондейле, 1, 3.45% Университет Южного Иллинойса в Карбондейле 1 цитирование, 3.45%
Барселонский институт науки и технологий	Барселонский институт науки и технологий, 1, 3.45% Барселонский институт науки и технологий 1 цитирование, 3.45%
Федеральный университет ABC	Федеральный университет ABC, 1, 3.45% Федеральный университет ABC 1 цитирование, 3.45%
Университет штата Кампинас	Университет штата Кампинас, 1, 3.45% Университет штата Кампинас 1 цитирование, 3.45%
Вроцлавский университет естественных и технических наук	Вроцлавский университет естественных и технических наук, 1, 3.45% Вроцлавский университет естественных и технических наук 1 цитирование, 3.45%
Каталонский институт нанонауки и нанотехнологий	Каталонский институт нанонауки и нанотехнологий, 1, 3.45% Каталонский институт нанонауки и нанотехнологий 1 цитирование, 3.45%
Каталонский институт научных исследований и повышения квалификации	Каталонский институт научных исследований и повышения квалификации, 1, 3.45% Каталонский институт научных исследований и повышения квалификации 1 цитирование, 3.45%
Университет Коннектикута	Университет Коннектикута, 1, 3.45% Университет Коннектикута 1 цитирование, 3.45%
Университет Джимма	Университет Джимма, 1, 3.45% Университет Джимма 1 цитирование, 3.45%
Брненский технический университет	Брненский технический университет, 1, 3.45% Брненский технический университет 1 цитирование, 3.45%
Университет Монпелье	Университет Монпелье, 1, 3.45% Университет Монпелье 1 цитирование, 3.45%
Университет Тулуза III - Поль Сабатье	Университет Тулуза III - Поль Сабатье, 1, 3.45% Университет Тулуза III - Поль Сабатье 1 цитирование, 3.45%
Институт Нееля	Институт Нееля, 1, 3.45% Институт Нееля 1 цитирование, 3.45%
Университет штата Калифорния, Нортридж	Университет штата Калифорния, Нортридж, 1, 3.45% Университет штата Калифорния, Нортридж 1 цитирование, 3.45%

	1 2 3 4 5 6

Цитирующие страны

	1 2 3 4 5 6 7 8
Россия	Россия, 8, 27.59% Россия 8 цитирований, 27.59%
Страна не определена	Страна не определена, 6, 20.69% Страна не определена 6 цитирований, 20.69%
США	США, 6, 20.69% США 6 цитирований, 20.69%
Индия	Индия, 6, 20.69% Индия 6 цитирований, 20.69%
Китай	Китай, 4, 13.79% Китай 4 цитирования, 13.79%
Швеция	Швеция, 3, 10.34% Швеция 3 цитирования, 10.34%
Эфиопия	Эфиопия, 3, 10.34% Эфиопия 3 цитирования, 10.34%
Бразилия	Бразилия, 2, 6.9% Бразилия 2 цитирования, 6.9%
Франция	Франция, 1, 3.45% Франция 1 цитирование, 3.45%
Иран	Иран, 1, 3.45% Иран 1 цитирование, 3.45%
Испания	Испания, 1, 3.45% Испания 1 цитирование, 3.45%
Италия	Италия, 1, 3.45% Италия 1 цитирование, 3.45%
Польша	Польша, 1, 3.45% Польша 1 цитирование, 3.45%
Саудовская Аравия	Саудовская Аравия, 1, 3.45% Саудовская Аравия 1 цитирование, 3.45%
Чехия	Чехия, 1, 3.45% Чехия 1 цитирование, 3.45%
Япония	Япония, 1, 3.45% Япония 1 цитирование, 3.45%
	1 2 3 4 5 6 7 8

Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
Статистика пересчитывается раз в сутки.

Направления исследований

Алмазоподобные покрытия

Разработка и исследование углеродных алмазоподобных покрытий для деталей эндопротезов для повышения их физико-механических и медико-биологических характеристик. Одной из основных задач проекта является создание научно-технического задела для разработки промышленной технологии производства отечественных эндопротезов, превосходящих по качеству импортные аналоги. В рамках проекта будут проведены исследования процессов формирования алмазоподобных углеродных покрытий, их структуры, а также зависимость характеристик поверхности с покрытием от параметров структуры поверхностного алмазоподобного слоя.

Квазидвумерные магнетики

Используя передовые методы компьютерного дизайна материалов, предполагается разработать новые двумерные графеноподобные структуры, сочетающие в себе уникальные электронные свойства и обладающие высокой магнитной анизотропией, и на основе сравнительного анализа их магнитных и электронных свойств выбрать наиболее технологически пригодные для применения в различных отраслях электронной промышленности, ориентированных на изготовление устройств магнитной записи и обработки информации. Поскольку возможность регулирования свойств данных двухмерных соединений путем допирования и изменения подложки, на которой они выращиваются, позволяет производить материалы с требуемыми для потребителей свойствами, то актуальным является проведение теоретических комплексных исследований их электронных и магнитных структур с выявлением трендов их изменений. Такие исследования позволят на основе первопринципного моделирования различных чистых и допированных двумерных материалов с графеноподобной структурой, выращенных на различных подложках, обосновать требования к магнитным и электронным свойствам этих материалов для применения в спинтронике и электронике. Эти результаты будут методологической основой для разработки научно обоснованных технологий получения широкой номенклатуры новых двумерных магнитных материалов, а также изучения и определения влияния примесей и дефектов на их конечные магнитные и электронные свойства. Это, в свою очередь, расширит область применения данных материалов в технике и производстве наноустройств, например, таких как элементы памяти спинтроники и поверхностей с высокой плотностью магнитной записи.