Лаборатория пучково-плазменной инженерии поверхности

Публикаций
0
Цитирований
0
Индекс Хирша
0
Необходимо авторизоваться.

Исследования условий стабильной генерации стационарных и импульсных пучково-плазменных образований; Исследования процессов генерации газо-металлической плазмы и влияния различных факторов на степень неоднородности и параметры создаваемой плазмы; Исследования закономерностей и результатов целенаправленного пучково-плазменного воздействия на поверхность материалов, приводящего к формированию слоев с измененным фазовым составом и структурой, с улучшенными физико-механическими свойствами и эксплуатационными характеристиками.

  1. Микротвердость
  2. Оптическая микроскопия
Антон Тересов
Научный сотрудник
Андрей Леонов
Научный сотрудник
Зайцев Даниил Дмитриевич
Даниил Зайцев 🤝
Инженер
Савчук Михаил Викторович
Михаил Савчук
Младший научный сотрудник
Егоров Артем
Артем Егоров
Младший научный сотрудник
Всего публикаций
6
Всего цитирований
51
Цитирований на публикацию
8.5
Среднее число публикаций в год
1.2
Годы публикаций
2019-2023 (5 лет)
h-index
2
i10-index
2
m-index
0.4
o-index
7
g-index
6
w-index
2
Описание метрик
h-index
Учёный имеет индекс h, если h из его N статей цитируются как минимум h раз каждая, в то время как оставшиеся (N - h) статей цитируются не более чем h раз каждая.
i10-index
Число статей автора, получивших не менее 10 ссылок каждая.
m-index
m-индекс ученого численно равен отношению его h-индекса к количеству лет, прошедших с момента первой публикации.
o-index
Среднее геометрическое h-индекса и числа цитирований наиболее цитируемой статьи ученого.
g-index
Для данного множества статей, отсортированного в порядке убывания количества цитирований, которые получили эти статьи, g-индекс это наибольшее число, такое что g самых цитируемых статей получили (суммарно) не менее g2 цитирований.
w-index
Если w статей ученого имеют не менее 10w цитирований каждая и другие статьи меньше, чем 10(w+1) цитирований, то w-индекс исследователя равен w.

Топ-100

Области наук

1
2
3
Geotechnical Engineering and Engineering Geology, 3, 50%
Geotechnical Engineering and Engineering Geology
3 публикации, 50%
Materials Chemistry, 1, 16.67%
Materials Chemistry
1 публикация, 16.67%
Surfaces, Coatings and Films, 1, 16.67%
Surfaces, Coatings and Films
1 публикация, 16.67%
General Physics and Astronomy, 1, 16.67%
General Physics and Astronomy
1 публикация, 16.67%
Condensed Matter Physics, 1, 16.67%
Condensed Matter Physics
1 публикация, 16.67%
Surfaces and Interfaces, 1, 16.67%
Surfaces and Interfaces
1 публикация, 16.67%
1
2
3

Журналы

1
2
3
Izvestiya vysshikh uchebnykh zavedenii. Fizika
3 публикации, 50%
Russian Physics Journal
1 публикация, 16.67%
Physics of Plasmas
1 публикация, 16.67%
Coatings
1 публикация, 16.67%
1
2
3

Цитирующие журналы

2
4
6
8
10
12
14
Russian Physics Journal
13 цитирований, 25.49%
Журнал не определён, 5, 9.8%
Журнал не определён
5 цитирований, 9.8%
Journal of Surface Investigation
4 цитирования, 7.84%
Physics of Plasmas
4 цитирования, 7.84%
Coatings
4 цитирования, 7.84%
IEEE Transactions on Plasma Science
3 цитирования, 5.88%
Applied Sciences (Switzerland)
3 цитирования, 5.88%
Metals
2 цитирования, 3.92%
Vacuum
2 цитирования, 3.92%
Ceramics International
2 цитирования, 3.92%
Plasma Science and Technology
1 цитирование, 1.96%
Tribology Transactions
1 цитирование, 1.96%
Plasma Sources Science and Technology
1 цитирование, 1.96%
Journal of Materials Engineering and Performance
1 цитирование, 1.96%
Journal of Nano Research
1 цитирование, 1.96%
Physical Mesomechanics
1 цитирование, 1.96%
Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics
1 цитирование, 1.96%
Surface Topography: Metrology and Properties
1 цитирование, 1.96%
Materials
1 цитирование, 1.96%
2
4
6
8
10
12
14

Цитируемые журналы

2
4
6
8
10
12
Surface and Coatings Technology
11 цитирований, 20.37%
Coatings
4 цитирования, 7.41%
Russian Physics Journal
3 цитирования, 5.56%
Physics of Plasmas
3 цитирования, 5.56%
Journal of Physics: Conference Series
2 цитирования, 3.7%
IOP Conference Series: Materials Science and Engineering
2 цитирования, 3.7%
Vacuum
2 цитирования, 3.7%
Journal Physics D: Applied Physics
2 цитирования, 3.7%
Plasma Physics Reports
2 цитирования, 3.7%
Wear
2 цитирования, 3.7%
Surfaces and Interfaces
1 цитирование, 1.85%
Tribology Letters
1 цитирование, 1.85%
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms
1 цитирование, 1.85%
Journal of Alloys and Compounds
1 цитирование, 1.85%
Plasma Sources Science and Technology
1 цитирование, 1.85%
Metals
1 цитирование, 1.85%
Acta Materialia
1 цитирование, 1.85%
High Temperature Material Processes
1 цитирование, 1.85%
Materials Science and Engineering C
1 цитирование, 1.85%
Tribology International
1 цитирование, 1.85%
Review of Scientific Instruments
1 цитирование, 1.85%
Instruments and Experimental Techniques
1 цитирование, 1.85%
Materiali in Tehnologije
1 цитирование, 1.85%
Physical Mesomechanics
1 цитирование, 1.85%
Thin Solid Films
1 цитирование, 1.85%
Metal Science and Heat Treatment
1 цитирование, 1.85%
International Journal of Refractory Metals and Hard Materials
1 цитирование, 1.85%
Materials Today: Proceedings
1 цитирование, 1.85%
Materials Science & Engineering A: Structural Materials: Properties, Microstructure and Processing
1 цитирование, 1.85%
Technical Physics Letters
1 цитирование, 1.85%
Metal Working and Material Science
1 цитирование, 1.85%
2
4
6
8
10
12

Издатели

1
2
3
Tomsk State University
3 публикации, 50%
Springer Nature
1 публикация, 16.67%
MDPI
1 публикация, 16.67%
AIP Publishing
1 публикация, 16.67%
1
2
3

Организации из публикаций

1
2
3
4
5
6
Институт сильноточной электроники СО РАН
6 публикаций, 100%
Национальный Исследовательский Томский Политехнический Университет
2 публикации, 33.33%
Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера СО РАН
1 публикация, 16.67%
1
2
3
4
5
6

Страны из публикаций

1
2
3
4
5
6
Россия, 6, 100%
Россия
6 публикаций, 100%
1
2
3
4
5
6

Цитирующие организации

5
10
15
20
25
Институт сильноточной электроники СО РАН
24 цитирования, 47.06%
Организация не определена, 8, 15.69%
Организация не определена
8 цитирований, 15.69%
Томский Государственный Университет
5 цитирований, 9.8%
Национальный Исследовательский Томский Политехнический Университет
5 цитирований, 9.8%
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
5 цитирований, 9.8%
Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера СО РАН
4 цитирования, 7.84%
Санкт-Петербургский горный университет
2 цитирования, 3.92%
Санкт-Петербургский государственный университет
2 цитирования, 3.92%
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН
1 цитирование, 1.96%
Московский государственный технологический университет «СТАНКИН»
1 цитирование, 1.96%
Сибирский государственный индустриальный университет
1 цитирование, 1.96%
Казахский национальный университет имени аль-Фараби
1 цитирование, 1.96%
Казахский национальный исследовательский технический университет имени К.И. Сатпаева
1 цитирование, 1.96%
Сибирский государственный университет науки и технологий им. М.Ф. Решетнева
1 цитирование, 1.96%
Уфимский университет науки и технологий
1 цитирование, 1.96%
Университет Ататюрка
1 цитирование, 1.96%
Университет Бу-Али Сина
1 цитирование, 1.96%
Вьетнамская академия науки и технологий
1 цитирование, 1.96%
Ханойский университет науки и технологий
1 цитирование, 1.96%
Университет Китайской академии наук
1 цитирование, 1.96%
Харбинский политехнический университет
1 цитирование, 1.96%
Университет Гюмюшхане
1 цитирование, 1.96%
Научный Университет Малайзии
1 цитирование, 1.96%
Центральный южный университет
1 цитирование, 1.96%
Пенджабский инженерный колледж
1 цитирование, 1.96%
Уханьский текстильный университет
1 цитирование, 1.96%
Технологический университет Дунгуана
1 цитирование, 1.96%
Тайбэйский национальный технологический университет
1 цитирование, 1.96%
Университет Южного Китая
1 цитирование, 1.96%
Оклендский технологический университет
1 цитирование, 1.96%
Ланьчжоуский институт химической физики Китайской академии наук
1 цитирование, 1.96%
Институт физики плазмы Китайской академии наук
1 цитирование, 1.96%
Институт физики твердого тела Китайской академии наук
1 цитирование, 1.96%
Технический университет Либерец
1 цитирование, 1.96%
Университет Невады, Рино
1 цитирование, 1.96%
5
10
15
20
25

Цитирующие страны

5
10
15
20
25
30
35
40
Россия, 37, 72.55%
Россия
37 цитирований, 72.55%
Китай, 7, 13.73%
Китай
7 цитирований, 13.73%
США, 2, 3.92%
США
2 цитирования, 3.92%
Страна не определена, 1, 1.96%
Страна не определена
1 цитирование, 1.96%
Казахстан, 1, 1.96%
Казахстан
1 цитирование, 1.96%
Беларусь, 1, 1.96%
Беларусь
1 цитирование, 1.96%
Вьетнам, 1, 1.96%
Вьетнам
1 цитирование, 1.96%
Индия, 1, 1.96%
Индия
1 цитирование, 1.96%
Иран, 1, 1.96%
Иран
1 цитирование, 1.96%
Малайзия, 1, 1.96%
Малайзия
1 цитирование, 1.96%
Новая Зеландия, 1, 1.96%
Новая Зеландия
1 цитирование, 1.96%
Турция, 1, 1.96%
Турция
1 цитирование, 1.96%
Чехия, 1, 1.96%
Чехия
1 цитирование, 1.96%
5
10
15
20
25
30
35
40
  • Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
  • Статистика пересчитывается раз в сутки.

Направления исследований

Грант в форме субсидии № 075-15-2021-1348 (15.СИН.21.0001)

+
Грант в форме субсидии № 075-15-2021-1348 (15.СИН.21.0001) для обеспечения реализации мероприятий Федеральной научно-технической программы развития синхротронных и нейтронных исследований и исследовательской инфраструктуры на 2019 - 2027 годы по теме «In situ методы синхротронных исследований многослойных функциональных структур с уникальными параметрами и свойствами, созданных пучково-плазменной инженерией поверхности» (2021-2023 гг.)

Публикации и патенты

Владимир Викторович Денисов, Юлия Александровна Денисова, Эдуард Леонидович Варданян, Андрей Андреевич Леонов, Алмаз Юнирович Назаров, Александр Николаевич Шмаков, Владислав Викторович Яковлев
RU2776247C1, 2022
Владимир Викторович Денисов, Владимир Ефимович Овчаренко, Антон Дмитриевич Тересов, Константин Вениаминович Иванов, Николай Николаевич Коваль
RU2736288C1, 2020
Владимир Викторович Денисов, Николай Николаевич Коваль, Владимир Николаевич Девятков, Павел Владимирович Москвин, Антон Дмитриевич Тересов
RU2725788C1, 2020

Адрес лаборатории

Академический пр., 2/3, Томск, Томская обл.
Необходимо авторизоваться.