Лаборатории фемтосекундной оптики для нанотехнологии
Публикаций
200
Цитирований
2 317
Индекс Хирша
22
Необходимо авторизоваться.
Научная группа была создана в 2004 году в РТУ МИРЭА под руководством профессора, д.ф.-м.н. Мишиной Елены Дмитриевны, которая занималась исследованием сегнетоэлектрического эффекта в твердотельных тонкопленочных структурах. Для проведения исследований были приобретены первые фемтосекундные лазеры. К работе начали привлекать студентов и аспирантов. В дальнейшем на базе данной группы были сформированы специализированные учебно-научные лаборатории "Фемтосекундная оптика для нанотехнологий" и "Сверхбыстрая динамика ферроиков" при кафедре наноэлектроники РТУ МИРЭА.
- Атомно-силовая микроскопия (АСМ)
- Генерация оптических гармоник
- Метод оптической накачки и зондирования
- Монокристальная дифрактометрия
- Сканирующая электронная микроскопия (СЭМ)
- Спектроскопия методом накачка-зондирование
- ТГц спектроскопия (THz spectroscopy)
- ТГц спектроскопия во временной области
- Фемтосекундная магнитооптическая накачка-зондирование
- Эллипсометрия
- Нелинейная микроскопия
Елена Мишина
Заведующий
Наталия Шерстюк
Профессор
Сергей Лавров
Ведущий специалист
Кирилл Брехов
Научный сотрудник
Николай Митетело
Научный сотрудник
Анастасия Горбатова
Младший научный сотрудник
Всего публикаций
200
Всего цитирований
2317
Цитирований на публикацию
11.59
Среднее число публикаций в год
4.76
Годы публикаций
1983-2024 (42 года)
h-index
22
i10-index
64
m-index
0.52
o-index
48
g-index
39
w-index
7
Описание метрик
h-index
Учёный имеет индекс h, если h из его N статей цитируются как минимум h раз каждая, в то время как оставшиеся (N - h) статей цитируются не более чем h раз каждая.
i10-index
Число статей автора, получивших не менее 10 ссылок каждая.
m-index
m-индекс ученого численно равен отношению его h-индекса к количеству лет, прошедших с момента первой публикации.
o-index
Среднее геометрическое h-индекса и числа цитирований наиболее цитируемой статьи ученого.
g-index
Для данного множества статей, отсортированного в порядке убывания количества цитирований, которые получили эти статьи, g-индекс это наибольшее число, такое что g самых цитируемых статей получили (суммарно) не менее g2 цитирований.
w-index
Если w статей ученого имеют не менее 10w цитирований каждая и другие статьи меньше, чем 10(w+1) цитирований, то w-индекс исследователя равен w.
Топ-100
Области наук
Журналы
Цитирующие журналы
Издатели
|
5
10
15
20
25
30
35
40
|
|
|
Pleiades Publishing
38 публикаций, 19%
|
|
|
Elsevier
27 публикаций, 13.5%
|
|
|
AIP Publishing
24 публикации, 12%
|
|
|
Taylor & Francis
23 публикации, 11.5%
|
|
|
Springer Nature
13 публикаций, 6.5%
|
|
|
IOP Publishing
11 публикаций, 5.5%
|
|
|
American Physical Society (APS)
10 публикаций, 5%
|
|
|
American Chemical Society (ACS)
9 публикаций, 4.5%
|
|
|
SPIE-Intl Soc Optical Eng
7 публикаций, 3.5%
|
|
|
Wiley
6 публикаций, 3%
|
|
|
MDPI
6 публикаций, 3%
|
|
|
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
6 публикаций, 3%
|
|
|
Royal Society of Chemistry (RSC)
5 публикаций, 2.5%
|
|
|
Optica Publishing Group
4 публикации, 2%
|
|
|
Japan Society of Applied Physics
3 публикации, 1.5%
|
|
|
World Scientific
2 публикации, 1%
|
|
|
Oxford University Press
1 публикация, 0.5%
|
|
|
5
10
15
20
25
30
35
40
|
Организации из публикаций
Страны из публикаций
|
20
40
60
80
100
120
140
160
180
|
|
|
Россия
|
Россия, 175, 87.5%
Россия
175 публикаций, 87.5%
|
|
Нидерланды
|
Нидерланды, 42, 21%
Нидерланды
42 публикации, 21%
|
|
Страна не определена
|
Страна не определена, 19, 9.5%
Страна не определена
19 публикаций, 9.5%
|
|
Молдова
|
Молдова, 15, 7.5%
Молдова
15 публикаций, 7.5%
|
|
Япония
|
Япония, 15, 7.5%
Япония
15 публикаций, 7.5%
|
|
Франция
|
Франция, 10, 5%
Франция
10 публикаций, 5%
|
|
Китай
|
Китай, 9, 4.5%
Китай
9 публикаций, 4.5%
|
|
Португалия
|
Португалия, 9, 4.5%
Португалия
9 публикаций, 4.5%
|
|
Германия
|
Германия, 8, 4%
Германия
8 публикаций, 4%
|
|
США
|
США, 8, 4%
США
8 публикаций, 4%
|
|
Израиль
|
Израиль, 6, 3%
Израиль
6 публикаций, 3%
|
|
Беларусь
|
Беларусь, 3, 1.5%
Беларусь
3 публикации, 1.5%
|
|
Италия
|
Италия, 3, 1.5%
Италия
3 публикации, 1.5%
|
|
Бельгия
|
Бельгия, 2, 1%
Бельгия
2 публикации, 1%
|
|
Великобритания
|
Великобритания, 2, 1%
Великобритания
2 публикации, 1%
|
|
Испания
|
Испания, 2, 1%
Испания
2 публикации, 1%
|
|
Турция
|
Турция, 2, 1%
Турция
2 публикации, 1%
|
|
Греция
|
Греция, 1, 0.5%
Греция
1 публикация, 0.5%
|
|
Канада
|
Канада, 1, 0.5%
Канада
1 публикация, 0.5%
|
|
Норвегия
|
Норвегия, 1, 0.5%
Норвегия
1 публикация, 0.5%
|
|
Швеция
|
Швеция, 1, 0.5%
Швеция
1 публикация, 0.5%
|
|
СССР
|
СССР, 1, 0.5%
СССР
1 публикация, 0.5%
|
|
20
40
60
80
100
120
140
160
180
|
Цитирующие организации
Цитирующие страны
- Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
- Статистика пересчитывается раз в сутки.
Направления исследований
Электротехника, электронная техника, информационные технологии
+
Исследование возможности оптического управления состоянием намагниченности и поляризации в материалах при помощи фемтосекундных лазерных импульсов путем когерентного квантового контроля магнонов и фононов для нового поколения электронных устройств высокоскоростной обработки и хранения информации.
Дефекты в двумерных полупроводниках
+
Исследование влияния дефектов различных типов на электронные и оптические свойства двумерных полупроводников и устройств на их основе. Для достижения заданной цели в ходе выполнения проекта разрабатывались методы создания двумерных полупроводников на основе дихалькогенидов переходных металлов (ДПМ) переменного состава и переменной толщины, а также методы создания дефектов различных типов. Проводились работы по поиску новых 2D полупроводников, гетероструктур на их основе и разрабатывались методы их получения. Исследовались оптические свойства (спектры отражения и поглощения, люминесценции при однофотонной и двухфотонной накачке, генерации второй гармоники) в полученных образцах в зависимости от фазового состава, политипов и толщины, а также наличия дефектов. Исследовалась экспериментально и теоретически кинетика релаксации фотовозбужденных носителей заряда в широком временном диапазоне. Исследовались экситонные и транспортные свойства, а также возможности создания на основе монослоев ДПМ устройств электроники.
Нелинейные эффекты в ферроидных материалах в поле мощных пикосекундных терагерцовых импульсов
+
Определение условий и физических механизмов удаленного сверхбыстрого переключения состояния двухбитовой системы пикосекундным терагерцовым импульсом с целью создания платформы для малодиссипативных функциональных элементов устройств информационных технологий, оперирующих на терагерцовых частотах.
Переключение ферроиков (сегнетоэлектриков, мультиферроиков, ферро-, ферри-, антиферромагнетиков) между двумя устойчивыми битовыми состояниями является основным принципом современной технологии хранения данных. Для большинства применений важнейшими параметрами являеются рассеяние тепла на устройстве, и их быстродействие. Поиск концептуально нового способа управления ферроидным состоянием среды с минимально возможной выработкой тепла и в течение кратчайшего времени является новой проблемой в фундаментальных исследованиях конденсированных сред. Такое управление может быть достигнуто только при помощи коротких электромагнитных импульсов. При этом переключение, инициируемое импульсом с энергией фотонов в миллиэлектронвольтах и субпикосекундной длительности, то есть почти однократным импульсом ТГц излучения, обещает самый быстрый и наименее диссипативный способ управления ферроидным параметром порядка. Процессы переключения являются принципиально нелинейными, требуется разработка способов перевода системы в ангармонический режим.
В связи с этим в проекте предполагается решить следующие актуальные задачи:
1. Экспериментальное определение условий и наблюдение процессов возбуждения ангармонизма сегнетоэлектрического и магнитного параметров порядка терагерцовым импульсом.
2. Экспериментальное и теоретическое определение условий перехода режима возбуждения терагерцовым импульсом ангармонических фононов и магнонов в режим переключения соответствующего параметра порядка.
3. Определение энергоэдиссипации в исследуемых процессах.
Влияние эффектов плазмонного оптического усиления на характеристики устройств опто- и наноэлектроники на основе двумерных графеноподобных полупроводниковых структур
+
Разработка физических и технологических основ создания новых высокоэффективных поляризационно-чувствительных устройств для нано- и оптоэлектроники (фотодетекторов и фототранзисторов) на основе графеноподобных полупроводников.
- моделирование характеристик упорядоченных плазмонных структур, расположенных на двумерных графеноподобных полупроводниках и оценка оптимальных параметров для создания на их основе высокоэффективных устройств наноэлектроники;
- разработка технологических приемов и методик создания упорядоченных плазмонных структур на поверхности двумерных графеноподобных полупроводников и создание на их основе фотодетекторов и фототранзисторов;
- экспериментальное исследование основных рабочих характеристик созданных экспериментальных устройств: вольт-амперные характеристики, подвижность носителей заряда, фотопроводимость, спектральная фоточувствительность, наличие резонансных оптических пиков, поляризационная чувствительность;
Интегрированные магнитоэлектрические молекулярные системы
+
Разработка и создание магнитоэлектрических материалов на основе молекулярных и металлорганических координационных полимеров, которые могут представлять собой альтернативу активно исследуемым в настоящее время однофазным и многофазным магнитоэлектрическим системам, в частности на основе оксидов переходных металлов. Для успешной реализации проекта предложены многоступенчатая стратегия разработки и синтеза передовых магнитоэлектрических молекулярных систем, а также инновационный подход к исследованию синтезированных материалов.
Управляемые спинтронные гибридные ТГц излучатели и детекторы
+
Разработка физических и технологических основ создания новых высокоэффективных спинтронных излучателей ТГц диапазона обладающих возможностью управления терагерцовой поляризацией за счет использования спиновых эффектов в (гетеро)структрах магнитный/немагнитный материал.
- определение оптимальных структурных и геометрических параметров создаваемых спинтронных излучателей и детекторов для достижения наибольшей эффективности их работы за счет использования оптических и ТГц интерференционных эффектов;
- разработка технологических приемов и методик создания управляемых терагерцовых излучателей на основе гибридных материалов: двумерные дихалькогениды переходных металлов/магнитная (спинтронная) структура;
- экспериментальное исследование рабочих характеристик созданных образцов экспериментальных спинтронных генераторов и детекторов ТГц излучения: амплитуда и ширина спектра генерируемого ТГц излучения, параметры управления направлением поляризации ТГц излучения, амплитудой и шириной генерируемого ТГц излучения, спектральная чувствительность, отношение сигнал-шум.
Публикации и патенты
Найдено
Ничего не найдено, попробуйте изменить настройки фильтра.
Андрей Сергеевич Елшин, Елена Дмитриевна Мишина, Анастасия Павловна Шестакова
RU174220U1,
2017
Галиб Бариевич Галиев, Евгений Александрович Климов, Алексей Николаевич Клочков, Петр Павлович Мальцев, Сергей Сергеевич Пушкарев, Арсений Михайлович Буряков, Елена Дмитриевна Мишина, Динар Ильгамович Хусяинов
RU2610222C1,
2017
Елена Дмитриевна Мишина, Сергей Владимирович Семин, Наталия Эдуардовна Шерстюк, Сергей Дмитриевич Лавров
RU2515341C2,
2014
Елена Дмитриевна Мишина (RU), Елена Дмитриевна Мишина, Наталия Эдуардовна Шерстюк (RU), Наталия Эдуардовна Шерстюк, Михаил Александрович Кузнецов (RU), Михаил Александрович Кузнецов, Никита Александрович Ильин (RU), Никита Александрович Ильин
RU2359253C1,
2009
Елена Дмитриевна Мишина (RU), Елена Дмитриевна Мишина, нин Андрей Анатольевич Фед (RU), Андрей Анатольевич Федянин, Натали Эдуардовна Шерстюк (RU), Наталия Эдуардовна Шерстюк, Никита Александрович Ильин (RU), Никита Александрович Ильин, Александр Александрович Зайцев (RU), Александр Александрович Зайцев, Александр Сергеевич Сигов (RU), Александр Сергеевич Сигов, Владимир Михайлович Мухортов (RU), Владимир Михайлович Мухортов, Юрий Илларионович Головко (RU), et. al.
RU2006138686A,
2008
Елена Дмитриевна Мишина (RU), Елена Дмитриевна Мишина, нин Андрей Анатольевич Фед (RU), Андрей Анатольевич Федянин, Натали Эдуардовна Шерстюк (RU), Наталия Эдуардовна Шерстюк, Никита Александрович Ильин (RU), Никита Александрович Ильин, Александр Александрович Зайцев (RU), Александр Александрович Зайцев, Александр Сергеевич Сигов (RU), Александр Сергеевич Сигов, Владимир Михайлович Мухортов (RU), Владимир Михайлович Мухортов, Юрий Илларионович Головко (RU), et. al.
RU2341817C2,
2008
Вадим Олегович Вальднер (RU), Вадим Олегович Вальднер, Елена Дмитриевна Мишина (RU), Елена Дмитриевна Мишина, Натали Эдуардовна Шерстюк (RU), Наталия Эдуардовна Шерстюк, Кирилл Сергеевич Напольский (RU), Кирилл Сергеевич Напольский
RU2329094C1,
2008
нин Андрей Анатольевич Фед (RU), Андрей Анатольевич Федянин, Натали Эдуардовна Шерстюк (RU), Наталия Эдуардовна Шерстюк, Елена Дмитриевна Мишина (RU), Елена Дмитриевна Мишина, Вадим Олегович Вальднер (RU), Вадим Олегович Вальднер, Александр Александрович Зайцев (RU), Александр Александрович Зайцев, Галина Александровна Цирлина (RU), Галина Александровна Цирлина, Тать на Викторовна Долгова (RU), Татьяна Викторовна Долгова, Антон Игоревич Майдыковский (RU), et. al.
RU2308552C1,
2007
Адрес лаборатории
пр. Вернадского, 78, Москва
Необходимо авторизоваться.