Заведующий

Мишина Елена Дмитриевна

д.ф.-м.н., проф.
Публикаций
200
Цитирований
2 317
Индекс Хирша
22
Необходимо авторизоваться.
Коллектив

Научная группа была создана в 2004 году в РТУ МИРЭА под руководством профессора, д.ф.-м.н. Мишиной Елены Дмитриевны, которая занималась исследованием сегнетоэлектрического эффекта в твердотельных тонкопленочных структурах. Для проведения исследований были приобретены первые фемтосекундные лазеры. К работе начали привлекать студентов и аспирантов. В дальнейшем на базе данной группы были сформированы специализированные учебно-научные лаборатории "Фемтосекундная оптика для нанотехнологий" и "Сверхбыстрая динамика ферроиков" при кафедре наноэлектроники РТУ МИРЭА.

  1. Атомно-силовая микроскопия (АСМ)
  2. Генерация оптических гармоник
  3. Метод оптической накачки и зондирования
  4. Монокристальная дифрактометрия
  5. Сканирующая электронная микроскопия (СЭМ)
  6. Спектроскопия методом накачка-зондирование
  7. ТГц спектроскопия (THz spectroscopy)
  8. ТГц спектроскопия во временной области
  9. Фемтосекундная магнитооптическая накачка-зондирование
  10. Эллипсометрия
  11. Нелинейная микроскопия
Елена Мишина
Заведующий
Буряков Арсений М
Арсений Буряков 🥼
Ведущий научный сотрудник
Лавров Сергей Дмитриевич
Сергей Лавров
Ведущий специалист
Брехов Кирилл Алексеевич
Кирилл Брехов
Научный сотрудник
Митетело Николай
Николай Митетело
Научный сотрудник
Горбатова Анастасия Владимировна
Анастасия Горбатова
Младший научный сотрудник
Всего публикаций
200
Всего цитирований
2317
Цитирований на публикацию
11.59
Среднее число публикаций в год
4.76
Годы публикаций
1983-2024 (42 года)
h-index
22
i10-index
64
m-index
0.52
o-index
48
g-index
39
w-index
7
Описание метрик
h-index
Учёный имеет индекс h, если h из его N статей цитируются как минимум h раз каждая, в то время как оставшиеся (N - h) статей цитируются не более чем h раз каждая.
i10-index
Число статей автора, получивших не менее 10 ссылок каждая.
m-index
m-индекс ученого численно равен отношению его h-индекса к количеству лет, прошедших с момента первой публикации.
o-index
Среднее геометрическое h-индекса и числа цитирований наиболее цитируемой статьи ученого.
g-index
Для данного множества статей, отсортированного в порядке убывания количества цитирований, которые получили эти статьи, g-индекс это наибольшее число, такое что g самых цитируемых статей получили (суммарно) не менее g2 цитирований.
w-index
Если w статей ученого имеют не менее 10w цитирований каждая и другие статьи меньше, чем 10(w+1) цитирований, то w-индекс исследователя равен w.

Топ-100

Области наук

10
20
30
40
50
60
70
80
90
Condensed Matter Physics, 81, 40.5%
Condensed Matter Physics
81 публикация, 40.5%
Electronic, Optical and Magnetic Materials, 60, 30%
Electronic, Optical and Magnetic Materials
60 публикаций, 30%
General Physics and Astronomy, 29, 14.5%
General Physics and Astronomy
29 публикаций, 14.5%
Physics and Astronomy (miscellaneous), 28, 14%
Physics and Astronomy (miscellaneous)
28 публикаций, 14%
Materials Chemistry, 24, 12%
Materials Chemistry
24 публикации, 12%
General Materials Science, 20, 10%
General Materials Science
20 публикаций, 10%
Surfaces, Coatings and Films, 18, 9%
Surfaces, Coatings and Films
18 публикаций, 9%
Atomic and Molecular Physics, and Optics, 18, 9%
Atomic and Molecular Physics, and Optics
18 публикаций, 9%
General Chemistry, 15, 7.5%
General Chemistry
15 публикаций, 7.5%
Electrical and Electronic Engineering, 12, 6%
Electrical and Electronic Engineering
12 публикаций, 6%
Surfaces and Interfaces, 12, 6%
Surfaces and Interfaces
12 публикаций, 6%
General Engineering, 9, 4.5%
General Engineering
9 публикаций, 4.5%
Physical and Theoretical Chemistry, 8, 4%
Physical and Theoretical Chemistry
8 публикаций, 4%
Mechanical Engineering, 8, 4%
Mechanical Engineering
8 публикаций, 4%
Mechanics of Materials, 7, 3.5%
Mechanics of Materials
7 публикаций, 3.5%
Metals and Alloys, 6, 3%
Metals and Alloys
6 публикаций, 3%
Multidisciplinary, 5, 2.5%
Multidisciplinary
5 публикаций, 2.5%
Statistical and Nonlinear Physics, 4, 2%
Statistical and Nonlinear Physics
4 публикации, 2%
Instrumentation, 4, 2%
Instrumentation
4 публикации, 2%
Acoustics and Ultrasonics, 4, 2%
Acoustics and Ultrasonics
4 публикации, 2%
Ceramics and Composites, 3, 1.5%
Ceramics and Composites
3 публикации, 1.5%
Biotechnology, 3, 1.5%
Biotechnology
3 публикации, 1.5%
Control and Systems Engineering, 3, 1.5%
Control and Systems Engineering
3 публикации, 1.5%
General Chemical Engineering, 2, 1%
General Chemical Engineering
2 публикации, 1%
Bioengineering, 2, 1%
Bioengineering
2 публикации, 1%
Biomaterials, 2, 1%
Biomaterials
2 публикации, 1%
Radiation, 2, 1%
Radiation
2 публикации, 1%
Organic Chemistry, 1, 0.5%
Organic Chemistry
1 публикация, 0.5%
Biochemistry, 1, 0.5%
Biochemistry
1 публикация, 0.5%
Inorganic Chemistry, 1, 0.5%
Inorganic Chemistry
1 публикация, 0.5%
Spectroscopy, 1, 0.5%
Spectroscopy
1 публикация, 0.5%
Biophysics, 1, 0.5%
Biophysics
1 публикация, 0.5%
Polymers and Plastics, 1, 0.5%
Polymers and Plastics
1 публикация, 0.5%
10
20
30
40
50
60
70
80
90

Журналы

5
10
15
20
Ferroelectrics
20 публикаций, 10%
Applied Physics Letters
11 публикаций, 5.5%
Physics of the Solid State
9 публикаций, 4.5%
Technical Physics Letters
9 публикаций, 4.5%
Surface Science
6 публикаций, 3%
Physical Review B
6 публикаций, 3%
Journal of Applied Physics
5 публикаций, 2.5%
Solid State Communications
5 публикаций, 2.5%
Scientific Reports
5 публикаций, 2.5%
Semiconductors
5 публикаций, 2.5%
Journal Physics D: Applied Physics
4 публикации, 2%
Thin Solid Films
4 публикации, 2%
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
4 публикации, 2%
MRS Advances
4 публикации, 2%
JETP Letters
3 публикации, 1.5%
Optical Materials
3 публикации, 1.5%
Integrated Ferroelectrics
3 публикации, 1.5%
Applied Physics B: Lasers and Optics
3 публикации, 1.5%
AIP Conference Proceedings
3 публикации, 1.5%
Journal of Chemical Physics
2 публикации, 1%
Optics Letters
2 публикации, 1%
Physical Chemistry Chemical Physics
2 публикации, 1%
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes
2 публикации, 1%
Journal of Physics: Conference Series
2 публикации, 1%
Physical Review Letters
2 публикации, 1%
Journal of Physics Condensed Matter
2 публикации, 1%
Crystal Growth and Design
2 публикации, 1%
ACS Photonics
2 публикации, 1%
Journal of Experimental and Theoretical Physics
2 публикации, 1%
Journal of Physical Chemistry B
2 публикации, 1%
Physical Review Applied
2 публикации, 1%
International Journal of Modern Physics B
2 публикации, 1%
Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics
2 публикации, 1%
Progress in Electromagnetics Research Symposium
2 публикации, 1%
2017 IEEE MTT-S International Microwave Workshop Series on Advanced Materials and Processes for RF and THz Applications, IMWS-AMP 2017
2 публикации, 1%
Surfaces and Interfaces
1 публикация, 0.5%
Russian Physics Journal
1 публикация, 0.5%
Advanced Optical Materials
1 публикация, 0.5%
Laser Physics Letters
1 публикация, 0.5%
Quantum Electronics
1 публикация, 0.5%
Journal of Communications Technology and Electronics
1 публикация, 0.5%
Moscow University Physics Bulletin (English Translation of Vestnik Moskovskogo Universiteta, Fizika)
1 публикация, 0.5%
Metals
1 публикация, 0.5%
Physica Status Solidi - Rapid Research Letters
1 публикация, 0.5%
AIP Advances
1 публикация, 0.5%
IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology
1 публикация, 0.5%
Chemistry Letters
1 публикация, 0.5%
Journal of Luminescence
1 публикация, 0.5%
CrystEngComm
1 публикация, 0.5%
Physics of Wave Phenomena
1 публикация, 0.5%
APL Materials
1 публикация, 0.5%
Optics Express
1 публикация, 0.5%
Materials and Design
1 публикация, 0.5%
Chemical Science
1 публикация, 0.5%
Materials Research Bulletin
1 публикация, 0.5%
Small
1 публикация, 0.5%
Nanomaterials
1 публикация, 0.5%
Nano Letters
1 публикация, 0.5%
Review of Scientific Instruments
1 публикация, 0.5%
Journal of Magnetism and Magnetic Materials
1 публикация, 0.5%
Materialia
1 публикация, 0.5%
IEEE Sensors Journal
1 публикация, 0.5%
Physica Status Solidi (B): Basic Research
1 публикация, 0.5%
Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures
1 публикация, 0.5%
Instruments and Experimental Techniques
1 публикация, 0.5%
Scripta Materialia
1 публикация, 0.5%
Crystals
1 публикация, 0.5%
Optics and Spectroscopy (English translation of Optika i Spektroskopiya)
1 публикация, 0.5%
Physics of Metals and Metallography
1 публикация, 0.5%
ACS Omega
1 публикация, 0.5%
Faraday Discussions
1 публикация, 0.5%
High Temperature
1 публикация, 0.5%
Superlattices and Microstructures
1 публикация, 0.5%
Journal of Peptide Science
1 публикация, 0.5%
Biomacromolecules
1 публикация, 0.5%
Russian Microelectronics
1 публикация, 0.5%
Annalen der Physik
1 публикация, 0.5%
Coatings
1 публикация, 0.5%
Applied Physics Express
1 публикация, 0.5%
Journal of the Optical Society of America B: Optical Physics
1 публикация, 0.5%
Progress in Biomedical Optics and Imaging - Proceedings of SPIE
1 публикация, 0.5%
Optical Engineering
1 публикация, 0.5%
Materials
1 публикация, 0.5%
Condensed Matter
1 публикация, 0.5%
Soviet Journal of Quantum Electronics
1 публикация, 0.5%
Optical Sensing and Detection V
1 публикация, 0.5%
5
10
15
20

Цитирующие журналы

20
40
60
80
100
120
140
Журнал не определён, 128, 5.52%
Журнал не определён
128 цитирований, 5.52%
Physical Review B
128 цитирований, 5.52%
Applied Physics Letters
100 цитирований, 4.32%
Ferroelectrics
97 цитирований, 4.19%
Journal of Applied Physics
62 цитирования, 2.68%
Physics of the Solid State
39 цитирований, 1.68%
ACS applied materials & interfaces
37 цитирований, 1.6%
Physical Chemistry Chemical Physics
31 цитирование, 1.34%
Optics Express
31 цитирование, 1.34%
Journal Physics D: Applied Physics
30 цитирований, 1.29%
Nanomaterials
26 цитирований, 1.12%
Journal of the Optical Society of America B: Optical Physics
26 цитирований, 1.12%
Scientific Reports
25 цитирований, 1.08%
Physical Review Letters
24 цитирования, 1.04%
Quantum Electronics
22 цитирования, 0.95%
Advanced Materials
22 цитирования, 0.95%
Surface Science
21 цитирование, 0.91%
AIP Conference Proceedings
21 цитирование, 0.91%
Optics Letters
19 цитирований, 0.82%
Advanced Optical Materials
18 цитирований, 0.78%
JETP Letters
18 цитирований, 0.78%
Journal of Physical Chemistry C
18 цитирований, 0.78%
Crystal Growth and Design
18 цитирований, 0.78%
Technical Physics Letters
18 цитирований, 0.78%
ACS Nano
17 цитирований, 0.73%
Russian Technological Journal
17 цитирований, 0.73%
Journal of Physics Condensed Matter
16 цитирований, 0.69%
High Temperature
16 цитирований, 0.69%
Nature Communications
15 цитирований, 0.65%
Physics of Wave Phenomena
15 цитирований, 0.65%
Journal of Physical Chemistry B
15 цитирований, 0.65%
Physical Review Applied
14 цитирований, 0.6%
Materials
14 цитирований, 0.6%
Applied Physics Reviews
13 цитирований, 0.56%
Journal of Alloys and Compounds
13 цитирований, 0.56%
Journal of Magnetism and Magnetic Materials
13 цитирований, 0.56%
Crystals
13 цитирований, 0.56%
Journal of Chemical Physics
12 цитирований, 0.52%
Advanced Functional Materials
12 цитирований, 0.52%
Small
12 цитирований, 0.52%
Nano Letters
12 цитирований, 0.52%
ACS Photonics
12 цитирований, 0.52%
Thin Solid Films
12 цитирований, 0.52%
Langmuir
12 цитирований, 0.52%
Nanoscale
11 цитирований, 0.47%
RSC Advances
11 цитирований, 0.47%
Journal of Materials Chemistry C
11 цитирований, 0.47%
Optical Materials
11 цитирований, 0.47%
Semiconductors
11 цитирований, 0.47%
Chemical Society Reviews
11 цитирований, 0.47%
APL Materials
10 цитирований, 0.43%
Integrated Ferroelectrics
10 цитирований, 0.43%
Chemical Reviews
10 цитирований, 0.43%
Ceramics International
10 цитирований, 0.43%
Optics and Spectroscopy (English translation of Optika i Spektroskopiya)
10 цитирований, 0.43%
Journal of Peptide Science
10 цитирований, 0.43%
MRS Advances
10 цитирований, 0.43%
Advanced Science
9 цитирований, 0.39%
Physica Status Solidi (B): Basic Research
9 цитирований, 0.39%
Angewandte Chemie - International Edition
9 цитирований, 0.39%
Angewandte Chemie
9 цитирований, 0.39%
Journal of Physics: Conference Series
8 цитирований, 0.35%
Chemistry of Materials
8 цитирований, 0.35%
Journal of Molecular Modeling
8 цитирований, 0.35%
ACS Omega
8 цитирований, 0.35%
Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics
8 цитирований, 0.35%
Journal of Optics (United Kingdom)
8 цитирований, 0.35%
Journal of the Electrochemical Society
7 цитирований, 0.3%
AIP Advances
7 цитирований, 0.3%
IOP Conference Series: Materials Science and Engineering
7 цитирований, 0.3%
Applied Physics B: Lasers and Optics
7 цитирований, 0.3%
Solid State Communications
7 цитирований, 0.3%
Macromolecular Rapid Communications
7 цитирований, 0.3%
Journal of Crystal Growth
7 цитирований, 0.3%
Electrochimica Acta
7 цитирований, 0.3%
Progress in Materials Science
7 цитирований, 0.3%
Annalen der Physik
7 цитирований, 0.3%
Molecules
6 цитирований, 0.26%
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes
6 цитирований, 0.26%
Bioactive Materials
6 цитирований, 0.26%
Journal of Communications Technology and Electronics
6 цитирований, 0.26%
Journal of Raman Spectroscopy
6 цитирований, 0.26%
IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control
6 цитирований, 0.26%
Physica Status Solidi - Rapid Research Letters
6 цитирований, 0.26%
Optics and Laser Technology
6 цитирований, 0.26%
Applied Surface Science
6 цитирований, 0.26%
Journal of Materials Chemistry A
6 цитирований, 0.26%
Nanotechnology
6 цитирований, 0.26%
Technical Physics
6 цитирований, 0.26%
Acta Physica Sinica
6 цитирований, 0.26%
Journal of Electroanalytical Chemistry
6 цитирований, 0.26%
Crystallography Reports
6 цитирований, 0.26%
Vibrational Spectroscopy
6 цитирований, 0.26%
Surface Science Reports
5 цитирований, 0.22%
Journal of the American Chemical Society
5 цитирований, 0.22%
Physics Reports
5 цитирований, 0.22%
Research
5 цитирований, 0.22%
CrystEngComm
5 цитирований, 0.22%
Science
5 цитирований, 0.22%
Materials Research Bulletin
5 цитирований, 0.22%
20
40
60
80
100
120
140

Издатели

5
10
15
20
25
30
35
40
Pleiades Publishing
38 публикаций, 19%
Elsevier
27 публикаций, 13.5%
AIP Publishing
24 публикации, 12%
Taylor & Francis
23 публикации, 11.5%
Springer Nature
13 публикаций, 6.5%
IOP Publishing
11 публикаций, 5.5%
American Physical Society (APS)
10 публикаций, 5%
American Chemical Society (ACS)
9 публикаций, 4.5%
SPIE-Intl Soc Optical Eng
7 публикаций, 3.5%
Wiley
6 публикаций, 3%
MDPI
6 публикаций, 3%
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
6 публикаций, 3%
Royal Society of Chemistry (RSC)
5 публикаций, 2.5%
Optica Publishing Group
4 публикации, 2%
Japan Society of Applied Physics
3 публикации, 1.5%
World Scientific
2 публикации, 1%
Oxford University Press
1 публикация, 0.5%
5
10
15
20
25
30
35
40

Организации из публикаций

20
40
60
80
100
120
140
160
МИРЭА — Российский технологический университет
151 публикация, 75.5%
Институт радиотехники и электроники имени В.А. Котельникова РАН
49 публикаций, 24.5%
Университет Неймегена
40 публикаций, 20%
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
33 публикации, 16.5%
Организация не определена, 24, 12%
Организация не определена
24 публикации, 12%
Институт общей физики имени А.М. Прохорова РАН
19 публикаций, 9.5%
Сайтамский университет
15 публикаций, 7.5%
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники
14 публикаций, 7%
Южный научный центр РАН
14 публикаций, 7%
Объединенный институт высоких температур РАН
13 публикаций, 6.5%
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
11 публикаций, 5.5%
Институт кристаллографии имени А. В. Шубникова
9 публикаций, 4.5%
Университет Лилля
7 публикаций, 3.5%
Академия наук Молдовы
7 публикаций, 3.5%
Авейруский университет
7 публикаций, 3.5%
Университет Тель-Авива
6 публикаций, 3%
Техасский университет в Остине
6 публикаций, 3%
Университет Валансьена
6 публикаций, 3%
Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
5 публикаций, 2.5%
Шанхайский институт керамики Китайской академии наук
5 публикаций, 2.5%
Научно-исследовательский институт физических проблем им Ф. В. Лукина
4 публикации, 2%
Московский физико-технический институт
3 публикации, 1.5%
Московский государственный технический университет им. Н. Э. Баумана
3 публикации, 1.5%
Институт физики микроструктур РАН
3 публикации, 1.5%
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН
3 публикации, 1.5%
Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина
3 публикации, 1.5%
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского
3 публикации, 1.5%
Институт математических проблем биологии РАН
3 публикации, 1.5%
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению
3 публикации, 1.5%
Университет Калабрии
3 публикации, 1.5%
Гёттингенский университет имени Георга Августа
3 публикации, 1.5%
Университет Сидзуока
3 публикации, 1.5%
Институт прикладной физики имени А. В. Гапонова-Грехова РАН
2 публикации, 1%
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"
2 публикации, 1%
Тверской государственный университет
2 публикации, 1%
Университет Китайской академии наук
2 публикации, 1%
Шанхайский технологический институт
2 публикации, 1%
Национальный университет Тайваня
2 публикации, 1%
Университет Нинбо
2 публикации, 1%
Автономный университет Мадрида
2 публикации, 1%
Рурский университет
2 публикации, 1%
Университет Коимбры
2 публикации, 1%
Сколковский институт науки и технологий
1 публикация, 0.5%
Институт химии твердого тела и механохимии СО РАН
1 публикация, 0.5%
Курчатовский комплекс "Кристаллография и Фотоника"
1 публикация, 0.5%
Институт спектроскопии РАН
1 публикация, 0.5%
Университет ИТМО
1 публикация, 0.5%
Национальный Исследовательский Томский Политехнический Университет
1 публикация, 0.5%
Южный федеральный университет
1 публикация, 0.5%
Вычислительный центр ДВО РАН
1 публикация, 0.5%
Центральный научно-исследовательский институт конструкционных материалов „Прометей“ имени И. В. Горынина
1 публикация, 0.5%
ПАО Сбербанк
1 публикация, 0.5%
Стамбульский технический университет
1 публикация, 0.5%
Университет Сабанджи
1 публикация, 0.5%
Институт Вейцмана
1 публикация, 0.5%
Королевский технологический институт
1 публикация, 0.5%
Имперский колледж Лондона
1 публикация, 0.5%
Шанхайский университет
1 публикация, 0.5%
Ливерпульский университет
1 публикация, 0.5%
Университет Тромсё - Арктический университет Норвегии
1 публикация, 0.5%
Антверпенский университет
1 публикация, 0.5%
Университет Райса
1 публикация, 0.5%
Национальный университет Цинхуа
1 публикация, 0.5%
Токийский столичный университет
1 публикация, 0.5%
Университет Западной Виргинии
1 публикация, 0.5%
Афинский политехнический университет
1 публикация, 0.5%
Кёльнский университет
1 публикация, 0.5%
Институт физико-химических исследований
1 публикация, 0.5%
Koninklijke Philips N.V. (Филипс)
1 публикация, 0.5%
Институт электроники, микроэлектроники и нанотехнологий
1 публикация, 0.5%
Оттавский университет
1 публикация, 0.5%
Национальная физическая лаборатория
1 публикация, 0.5%
Молдавский государственный университет
1 публикация, 0.5%
Университет Жана Монне
1 публикация, 0.5%
20
40
60
80
100
120
140
160

Страны из публикаций

20
40
60
80
100
120
140
160
180
Россия, 175, 87.5%
Россия
175 публикаций, 87.5%
Нидерланды, 42, 21%
Нидерланды
42 публикации, 21%
Страна не определена, 19, 9.5%
Страна не определена
19 публикаций, 9.5%
Молдова, 15, 7.5%
Молдова
15 публикаций, 7.5%
Япония, 15, 7.5%
Япония
15 публикаций, 7.5%
Франция, 10, 5%
Франция
10 публикаций, 5%
Китай, 9, 4.5%
Китай
9 публикаций, 4.5%
Португалия, 9, 4.5%
Португалия
9 публикаций, 4.5%
Германия, 8, 4%
Германия
8 публикаций, 4%
США, 8, 4%
США
8 публикаций, 4%
Израиль, 6, 3%
Израиль
6 публикаций, 3%
Беларусь, 3, 1.5%
Беларусь
3 публикации, 1.5%
Италия, 3, 1.5%
Италия
3 публикации, 1.5%
Бельгия, 2, 1%
Бельгия
2 публикации, 1%
Великобритания, 2, 1%
Великобритания
2 публикации, 1%
Испания, 2, 1%
Испания
2 публикации, 1%
Турция, 2, 1%
Турция
2 публикации, 1%
Греция, 1, 0.5%
Греция
1 публикация, 0.5%
Канада, 1, 0.5%
Канада
1 публикация, 0.5%
Норвегия, 1, 0.5%
Норвегия
1 публикация, 0.5%
Швеция, 1, 0.5%
Швеция
1 публикация, 0.5%
СССР, 1, 0.5%
СССР
1 публикация, 0.5%
20
40
60
80
100
120
140
160
180

Цитирующие организации

50
100
150
200
250
300
Организация не определена, 253, 10.92%
Организация не определена
253 цитирования, 10.92%
МИРЭА — Российский технологический университет
149 цитирований, 6.43%
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
106 цитирований, 4.57%
Университет Тель-Авива
57 цитирований, 2.46%
Авейруский университет
54 цитирования, 2.33%
Институт общей физики имени А.М. Прохорова РАН
49 цитирований, 2.11%
Университет Неймегена
48 цитирований, 2.07%
Институт радиотехники и электроники имени В.А. Котельникова РАН
47 цитирований, 2.03%
Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина
46 цитирований, 1.99%
Университет Китайской академии наук
31 цитирование, 1.34%
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники
30 цитирований, 1.29%
Институт кристаллографии имени А. В. Шубникова
30 цитирований, 1.29%
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
29 цитирований, 1.25%
Южный научный центр РАН
28 цитирований, 1.21%
Нанкинский университет
23 цитирования, 0.99%
Объединенный институт высоких температур РАН
22 цитирования, 0.95%
Институт математических проблем биологии РАН
22 цитирования, 0.95%
Фуданьский университет
21 цитирование, 0.91%
Техасский университет в Остине
21 цитирование, 0.91%
Московский физико-технический институт
20 цитирований, 0.86%
Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
17 цитирований, 0.73%
Федеральный университет ABC
17 цитирований, 0.73%
Кембриджский университет
16 цитирований, 0.69%
Университет штата Пенсильвания
16 цитирований, 0.69%
Университетский колледж Дублина
16 цитирований, 0.69%
Московский государственный технический университет им. Н. Э. Баумана
15 цитирований, 0.65%
Чжэцзянский университет
15 цитирований, 0.65%
Холоновский технологический институт
15 цитирований, 0.65%
Национальный институт передовых промышленных наук и технологий
15 цитирований, 0.65%
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"
14 цитирований, 0.6%
Пекинская национальная лаборатория молекулярных наук
14 цитирований, 0.6%
Университет Париж-Сакле
14 цитирований, 0.6%
Институт прикладной математики имени М. В. Келдыша РАН
13 цитирований, 0.56%
Пекинский университет
13 цитирований, 0.56%
Сидяньский университет
13 цитирований, 0.56%
Шанхайский институт керамики Китайской академии наук
13 цитирований, 0.56%
Университет Тохоку
13 цитирований, 0.56%
Институт химии Китайской академии наук
13 цитирований, 0.56%
Лимерикский университет
13 цитирований, 0.56%
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского
12 цитирований, 0.52%
Южный федеральный университет
12 цитирований, 0.52%
Федеральная политехническая школа Лозанны
12 цитирований, 0.52%
Технический университет Эйндховена
12 цитирований, 0.52%
Институт физики Китайской академии наук
12 цитирований, 0.52%
Институт прикладной физики имени А. В. Гапонова-Грехова РАН
11 цитирований, 0.47%
Томский Государственный Университет
11 цитирований, 0.47%
Сианьский университет Цзяотун
11 цитирований, 0.47%
Швейцарская высшая техническая школа Цюриха
11 цитирований, 0.47%
Оксфордский университет
11 цитирований, 0.47%
Университет Арканзаса в Фейетвилле
11 цитирований, 0.47%
Курчатовский комплекс "Кристаллография и Фотоника"
10 цитирований, 0.43%
Бэйханский университет
10 цитирований, 0.43%
Северо-западный политехнический университет
10 цитирований, 0.43%
Наньянский технологический университет
10 цитирований, 0.43%
Токийский университет
10 цитирований, 0.43%
Университет Лилля
10 цитирований, 0.43%
Университет Миссури
10 цитирований, 0.43%
Аспирантура и университетский центр Городского университета Нью-Йорка
10 цитирований, 0.43%
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН
9 цитирований, 0.39%
Институт Вейцмана
9 цитирований, 0.39%
Университет электронных наук и технологий Китая
9 цитирований, 0.39%
Лёвенский католический университет
9 цитирований, 0.39%
Шанхайский университет
9 цитирований, 0.39%
Национальный университет Сингапура
9 цитирований, 0.39%
Токийский технологический институт
9 цитирований, 0.39%
Корейский институт передовых технологий
9 цитирований, 0.39%
Калифорнийский университет в Беркли
9 цитирований, 0.39%
Шаньдунский университет
9 цитирований, 0.39%
Ок-Риджская национальная лаборатория
9 цитирований, 0.39%
Тринити-колледж (Дублин)
9 цитирований, 0.39%
Колледж Хантера
9 цитирований, 0.39%
Казанский научный центр РАН
8 цитирований, 0.35%
Казанский Федеральный Университет
8 цитирований, 0.35%
Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»
8 цитирований, 0.35%
Индийский научный институт
8 цитирований, 0.35%
Хуачжунский университет науки и технологии
8 цитирований, 0.35%
Университет Цзилинь
8 цитирований, 0.35%
Юго-Восточный университет
8 цитирований, 0.35%
Университет имени Сунь Ятсена
8 цитирований, 0.35%
European Synchrotron Radiation Facility
8 цитирований, 0.35%
Норвежский университет науки и технологий
8 цитирований, 0.35%
Тяньцзиньский университет
8 цитирований, 0.35%
Массачусетский технологический институт
8 цитирований, 0.35%
Университет Сонгюнгван
8 цитирований, 0.35%
Университет науки и технологий Китая
8 цитирований, 0.35%
Гёттингенский университет имени Георга Августа
8 цитирований, 0.35%
Институт физико-химических исследований
8 цитирований, 0.35%
Университет Васэда
8 цитирований, 0.35%
Сайтамский университет
8 цитирований, 0.35%
Институт физики микроструктур РАН
7 цитирований, 0.3%
Университет ИТМО
7 цитирований, 0.3%
Санкт-Петербургский государственный университет
7 цитирований, 0.3%
Петербургский институт ядерной физики имени Б. П. Константинова
7 цитирований, 0.3%
Казанский физико-технический институт имени Е. К. Завойского КазНЦ РАН
7 цитирований, 0.3%
Пекинский технологический институт
7 цитирований, 0.3%
Университет Цинхуа
7 цитирований, 0.3%
Манчестерский университет
7 цитирований, 0.3%
Национальная лаборатория имени Лоуренса в Беркли
7 цитирований, 0.3%
Аргоннская национальная лаборатория
7 цитирований, 0.3%
Университет Ёнсе
7 цитирований, 0.3%
50
100
150
200
250
300

Цитирующие страны

50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
Россия, 462, 19.94%
Россия
462 цитирования, 19.94%
Китай, 330, 14.24%
Китай
330 цитирований, 14.24%
США, 274, 11.83%
США
274 цитирования, 11.83%
Страна не определена, 200, 8.63%
Страна не определена
200 цитирований, 8.63%
Германия, 115, 4.96%
Германия
115 цитирований, 4.96%
Франция, 82, 3.54%
Франция
82 цитирования, 3.54%
Япония, 79, 3.41%
Япония
79 цитирований, 3.41%
Великобритания, 78, 3.37%
Великобритания
78 цитирований, 3.37%
Израиль, 78, 3.37%
Израиль
78 цитирований, 3.37%
Индия, 78, 3.37%
Индия
78 цитирований, 3.37%
Нидерланды, 74, 3.19%
Нидерланды
74 цитирования, 3.19%
Португалия, 67, 2.89%
Португалия
67 цитирований, 2.89%
Республика Корея, 45, 1.94%
Республика Корея
45 цитирований, 1.94%
Италия, 41, 1.77%
Италия
41 цитирование, 1.77%
Ирландия, 38, 1.64%
Ирландия
38 цитирований, 1.64%
Бразилия, 32, 1.38%
Бразилия
32 цитирования, 1.38%
Швейцария, 29, 1.25%
Швейцария
29 цитирований, 1.25%
Канада, 28, 1.21%
Канада
28 цитирований, 1.21%
Испания, 26, 1.12%
Испания
26 цитирований, 1.12%
Польша, 25, 1.08%
Польша
25 цитирований, 1.08%
Сингапур, 19, 0.82%
Сингапур
19 цитирований, 0.82%
Украина, 18, 0.78%
Украина
18 цитирований, 0.78%
Австралия, 18, 0.78%
Австралия
18 цитирований, 0.78%
Бельгия, 16, 0.69%
Бельгия
16 цитирований, 0.69%
Швеция, 15, 0.65%
Швеция
15 цитирований, 0.65%
Молдова, 13, 0.56%
Молдова
13 цитирований, 0.56%
Беларусь, 10, 0.43%
Беларусь
10 цитирований, 0.43%
Норвегия, 10, 0.43%
Норвегия
10 цитирований, 0.43%
Турция, 10, 0.43%
Турция
10 цитирований, 0.43%
Иран, 9, 0.39%
Иран
9 цитирований, 0.39%
Австрия, 8, 0.35%
Австрия
8 цитирований, 0.35%
Мексика, 8, 0.35%
Мексика
8 цитирований, 0.35%
Саудовская Аравия, 8, 0.35%
Саудовская Аравия
8 цитирований, 0.35%
Чехия, 8, 0.35%
Чехия
8 цитирований, 0.35%
Дания, 7, 0.3%
Дания
7 цитирований, 0.3%
Финляндия, 7, 0.3%
Финляндия
7 цитирований, 0.3%
Румыния, 6, 0.26%
Румыния
6 цитирований, 0.26%
Греция, 5, 0.22%
Греция
5 цитирований, 0.22%
Малайзия, 5, 0.22%
Малайзия
5 цитирований, 0.22%
Вьетнам, 4, 0.17%
Вьетнам
4 цитирования, 0.17%
Египет, 4, 0.17%
Египет
4 цитирования, 0.17%
Пакистан, 4, 0.17%
Пакистан
4 цитирования, 0.17%
Словения, 4, 0.17%
Словения
4 цитирования, 0.17%
ЮАР, 4, 0.17%
ЮАР
4 цитирования, 0.17%
Алжир, 3, 0.13%
Алжир
3 цитирования, 0.13%
Венгрия, 3, 0.13%
Венгрия
3 цитирования, 0.13%
Новая Зеландия, 3, 0.13%
Новая Зеландия
3 цитирования, 0.13%
Аргентина, 2, 0.09%
Аргентина
2 цитирования, 0.09%
Бангладеш, 2, 0.09%
Бангладеш
2 цитирования, 0.09%
Болгария, 2, 0.09%
Болгария
2 цитирования, 0.09%
Индонезия, 2, 0.09%
Индонезия
2 цитирования, 0.09%
Ирак, 2, 0.09%
Ирак
2 цитирования, 0.09%
Латвия, 2, 0.09%
Латвия
2 цитирования, 0.09%
Люксембург, 2, 0.09%
Люксембург
2 цитирования, 0.09%
Нигерия, 2, 0.09%
Нигерия
2 цитирования, 0.09%
Пуэрто-Рико, 2, 0.09%
Пуэрто-Рико
2 цитирования, 0.09%
Таиланд, 2, 0.09%
Таиланд
2 цитирования, 0.09%
СССР, 2, 0.09%
СССР
2 цитирования, 0.09%
Казахстан, 1, 0.04%
Казахстан
1 цитирование, 0.04%
Армения, 1, 0.04%
Армения
1 цитирование, 0.04%
Гонконг (САР), 1, 0.04%
Гонконг (САР)
1 цитирование, 0.04%
Грузия, 1, 0.04%
Грузия
1 цитирование, 0.04%
Иордания, 1, 0.04%
Иордания
1 цитирование, 0.04%
Катар, 1, 0.04%
Катар
1 цитирование, 0.04%
Колумбия, 1, 0.04%
Колумбия
1 цитирование, 0.04%
Куба, 1, 0.04%
Куба
1 цитирование, 0.04%
Марокко, 1, 0.04%
Марокко
1 цитирование, 0.04%
ОАЭ, 1, 0.04%
ОАЭ
1 цитирование, 0.04%
Палестина, 1, 0.04%
Палестина
1 цитирование, 0.04%
Словакия, 1, 0.04%
Словакия
1 цитирование, 0.04%
Тунис, 1, 0.04%
Тунис
1 цитирование, 0.04%
Уругвай, 1, 0.04%
Уругвай
1 цитирование, 0.04%
Филиппины, 1, 0.04%
Филиппины
1 цитирование, 0.04%
Чили, 1, 0.04%
Чили
1 цитирование, 0.04%
Эквадор, 1, 0.04%
Эквадор
1 цитирование, 0.04%
Тайвань, 1, 0.04%
Тайвань
1 цитирование, 0.04%
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
  • Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
  • Статистика пересчитывается раз в сутки.

Направления исследований

Электротехника, электронная техника, информационные технологии

+
Исследование возможности оптического управления состоянием намагниченности и поляризации в материалах при помощи фемтосекундных лазерных импульсов путем когерентного квантового контроля магнонов и фононов для нового поколения электронных устройств высокоскоростной обработки и хранения информации.

Дефекты в двумерных полупроводниках

+
Исследование влияния дефектов различных типов на электронные и оптические свойства двумерных полупроводников и устройств на их основе. Для достижения заданной цели в ходе выполнения проекта разрабатывались методы создания двумерных полупроводников на основе дихалькогенидов переходных металлов (ДПМ) переменного состава и переменной толщины, а также методы создания дефектов различных типов. Проводились работы по поиску новых 2D полупроводников, гетероструктур на их основе и разрабатывались методы их получения. Исследовались оптические свойства (спектры отражения и поглощения, люминесценции при однофотонной и двухфотонной накачке, генерации второй гармоники) в полученных образцах в зависимости от фазового состава, политипов и толщины, а также наличия дефектов. Исследовалась экспериментально и теоретически кинетика релаксации фотовозбужденных носителей заряда в широком временном диапазоне. Исследовались экситонные и транспортные свойства, а также возможности создания на основе монослоев ДПМ устройств электроники.

Нелинейные эффекты в ферроидных материалах в поле мощных пикосекундных терагерцовых импульсов

+
Определение условий и физических механизмов удаленного сверхбыстрого переключения состояния двухбитовой системы пикосекундным терагерцовым импульсом с целью создания платформы для малодиссипативных функциональных элементов устройств информационных технологий, оперирующих на терагерцовых частотах. Переключение ферроиков (сегнетоэлектриков, мультиферроиков, ферро-, ферри-, антиферромагнетиков) между двумя устойчивыми битовыми состояниями является основным принципом современной технологии хранения данных. Для большинства применений важнейшими параметрами являеются рассеяние тепла на устройстве, и их быстродействие. Поиск концептуально нового способа управления ферроидным состоянием среды с минимально возможной выработкой тепла и в течение кратчайшего времени является новой проблемой в фундаментальных исследованиях конденсированных сред. Такое управление может быть достигнуто только при помощи коротких электромагнитных импульсов. При этом переключение, инициируемое импульсом с энергией фотонов в миллиэлектронвольтах и субпикосекундной длительности, то есть почти однократным импульсом ТГц излучения, обещает самый быстрый и наименее диссипативный способ управления ферроидным параметром порядка. Процессы переключения являются принципиально нелинейными, требуется разработка способов перевода системы в ангармонический режим. В связи с этим в проекте предполагается решить следующие актуальные задачи: 1. Экспериментальное определение условий и наблюдение процессов возбуждения ангармонизма сегнетоэлектрического и магнитного параметров порядка терагерцовым импульсом. 2. Экспериментальное и теоретическое определение условий перехода режима возбуждения терагерцовым импульсом ангармонических фононов и магнонов в режим переключения соответствующего параметра порядка. 3. Определение энергоэдиссипации в исследуемых процессах.

Влияние эффектов плазмонного оптического усиления на характеристики устройств опто- и наноэлектроники на основе двумерных графеноподобных полупроводниковых структур

+
Разработка физических и технологических основ создания новых высокоэффективных поляризационно-чувствительных устройств для нано- и оптоэлектроники (фотодетекторов и фототранзисторов) на основе графеноподобных полупроводников. - моделирование характеристик упорядоченных плазмонных структур, расположенных на двумерных графеноподобных полупроводниках и оценка оптимальных параметров для создания на их основе высокоэффективных устройств наноэлектроники; - разработка технологических приемов и методик создания упорядоченных плазмонных структур на поверхности двумерных графеноподобных полупроводников и создание на их основе фотодетекторов и фототранзисторов; - экспериментальное исследование основных рабочих характеристик созданных экспериментальных устройств: вольт-амперные характеристики, подвижность носителей заряда, фотопроводимость, спектральная фоточувствительность, наличие резонансных оптических пиков, поляризационная чувствительность;

Интегрированные магнитоэлектрические молекулярные системы

+
Разработка и создание магнитоэлектрических материалов на основе молекулярных и металлорганических координационных полимеров, которые могут представлять собой альтернативу активно исследуемым в настоящее время однофазным и многофазным магнитоэлектрическим системам, в частности на основе оксидов переходных металлов. Для успешной реализации проекта предложены многоступенчатая стратегия разработки и синтеза передовых магнитоэлектрических молекулярных систем, а также инновационный подход к исследованию синтезированных материалов.

Управляемые спинтронные гибридные ТГц излучатели и детекторы

+
Разработка физических и технологических основ создания новых высокоэффективных спинтронных излучателей ТГц диапазона обладающих возможностью управления терагерцовой поляризацией за счет использования спиновых эффектов в (гетеро)структрах магнитный/немагнитный материал. - определение оптимальных структурных и геометрических параметров создаваемых спинтронных излучателей и детекторов для достижения наибольшей эффективности их работы за счет использования оптических и ТГц интерференционных эффектов; - разработка технологических приемов и методик создания управляемых терагерцовых излучателей на основе гибридных материалов: двумерные дихалькогениды переходных металлов/магнитная (спинтронная) структура; - экспериментальное исследование рабочих характеристик созданных образцов экспериментальных спинтронных генераторов и детекторов ТГц излучения: амплитуда и ширина спектра генерируемого ТГц излучения, параметры управления направлением поляризации ТГц излучения, амплитудой и шириной генерируемого ТГц излучения, спектральная чувствительность, отношение сигнал-шум.

Публикации и патенты

Андрей Сергеевич Елшин, Елена Дмитриевна Мишина, Анастасия Павловна Шестакова
RU174220U1, 2017
Галиб Бариевич Галиев, Евгений Александрович Климов, Алексей Николаевич Клочков, Петр Павлович Мальцев, Сергей Сергеевич Пушкарев, Арсений Михайлович Буряков, Елена Дмитриевна Мишина, Динар Ильгамович Хусяинов
RU2610222C1, 2017
Елена Дмитриевна Мишина, Сергей Владимирович Семин, Наталия Эдуардовна Шерстюк, Сергей Дмитриевич Лавров
RU2515341C2, 2014
Елена Дмитриевна Мишина (RU), Елена Дмитриевна Мишина, Наталия Эдуардовна Шерстюк (RU), Наталия Эдуардовна Шерстюк, Михаил Александрович Кузнецов (RU), Михаил Александрович Кузнецов, Никита Александрович Ильин (RU), Никита Александрович Ильин
RU2359253C1, 2009
Елена Дмитриевна Мишина (RU), Елена Дмитриевна Мишина, нин Андрей Анатольевич Фед (RU), Андрей Анатольевич Федянин, Натали Эдуардовна Шерстюк (RU), Наталия Эдуардовна Шерстюк, Никита Александрович Ильин (RU), Никита Александрович Ильин, Александр Александрович Зайцев (RU), Александр Александрович Зайцев, Александр Сергеевич Сигов (RU), Александр Сергеевич Сигов, Владимир Михайлович Мухортов (RU), Владимир Михайлович Мухортов, Юрий Илларионович Головко (RU), et. al.
RU2006138686A, 2008
Елена Дмитриевна Мишина (RU), Елена Дмитриевна Мишина, нин Андрей Анатольевич Фед (RU), Андрей Анатольевич Федянин, Натали Эдуардовна Шерстюк (RU), Наталия Эдуардовна Шерстюк, Никита Александрович Ильин (RU), Никита Александрович Ильин, Александр Александрович Зайцев (RU), Александр Александрович Зайцев, Александр Сергеевич Сигов (RU), Александр Сергеевич Сигов, Владимир Михайлович Мухортов (RU), Владимир Михайлович Мухортов, Юрий Илларионович Головко (RU), et. al.
RU2341817C2, 2008
Вадим Олегович Вальднер (RU), Вадим Олегович Вальднер, Елена Дмитриевна Мишина (RU), Елена Дмитриевна Мишина, Натали Эдуардовна Шерстюк (RU), Наталия Эдуардовна Шерстюк, Кирилл Сергеевич Напольский (RU), Кирилл Сергеевич Напольский
RU2329094C1, 2008
нин Андрей Анатольевич Фед (RU), Андрей Анатольевич Федянин, Натали Эдуардовна Шерстюк (RU), Наталия Эдуардовна Шерстюк, Елена Дмитриевна Мишина (RU), Елена Дмитриевна Мишина, Вадим Олегович Вальднер (RU), Вадим Олегович Вальднер, Александр Александрович Зайцев (RU), Александр Александрович Зайцев, Галина Александровна Цирлина (RU), Галина Александровна Цирлина, Тать на Викторовна Долгова (RU), Татьяна Викторовна Долгова, Антон Игоревич Майдыковский (RU), et. al.
RU2308552C1, 2007

Партнёры

Адрес лаборатории

пр. Вернадского, 78, Москва
Необходимо авторизоваться.