Лаборатория фотоэлектронной спектроскопии квантовых функциональных материалов
Публикаций
23
Цитирований
294
Индекс Хирша
10
Необходимо авторизоваться.
Лаборатория занимается изучением электронной и спиновой структуры новых материалов для пост-кремниевой электроники и квантовых вычислений, таких как топологические изоляторы, сверхпроводники, графен и другие 2D системы, антиферромагнетики.
- РФЭС-спектроскопия
- ФЭСУР-спектроскопия
- Магнитно-силовая микроскопия
- Сканирующая туннельная микроскопия
Александр Фролов
Заведующий
Кирилл Бокай
Старший научный сотрудник
Илья Климовских
Научный сотрудник
Антон Сергеев
Инженер
Надежда Владимирова
Младший научный сотрудник
Марк Наумов
Младший научный сотрудник
Арсений Наумов
Студент
Евгений Понамарев
Студент
Всего публикаций
85
Всего цитирований
2628
Цитирований на публикацию
30.92
Среднее число публикаций в год
7.08
Годы публикаций
2013-2024 (12 лет)
h-index
20
i10-index
44
m-index
1.67
o-index
145
g-index
50
w-index
7
Описание метрик
h-index
Учёный имеет индекс h, если h из его N статей цитируются как минимум h раз каждая, в то время как оставшиеся (N - h) статей цитируются не более чем h раз каждая.
i10-index
Число статей автора, получивших не менее 10 ссылок каждая.
m-index
m-индекс ученого численно равен отношению его h-индекса к количеству лет, прошедших с момента первой публикации.
o-index
Среднее геометрическое h-индекса и числа цитирований наиболее цитируемой статьи ученого.
g-index
Для данного множества статей, отсортированного в порядке убывания количества цитирований, которые получили эти статьи, g-индекс это наибольшее число, такое что g самых цитируемых статей получили (суммарно) не менее g2 цитирований.
w-index
Если w статей ученого имеют не менее 10w цитирований каждая и другие статьи меньше, чем 10(w+1) цитирований, то w-индекс исследователя равен w.
Топ-100
Области наук
|
5
10
15
20
25
|
|
|
General Physics and Astronomy
|
General Physics and Astronomy, 22, 25.88%
General Physics and Astronomy
22 публикации, 25.88%
|
|
General Materials Science
|
General Materials Science, 18, 21.18%
General Materials Science
18 публикаций, 21.18%
|
|
Condensed Matter Physics
|
Condensed Matter Physics, 17, 20%
Condensed Matter Physics
17 публикаций, 20%
|
|
General Chemistry
|
General Chemistry, 15, 17.65%
General Chemistry
15 публикаций, 17.65%
|
|
Physics and Astronomy (miscellaneous)
|
Physics and Astronomy (miscellaneous), 12, 14.12%
Physics and Astronomy (miscellaneous)
12 публикаций, 14.12%
|
|
Electronic, Optical and Magnetic Materials
|
Electronic, Optical and Magnetic Materials, 11, 12.94%
Electronic, Optical and Magnetic Materials
11 публикаций, 12.94%
|
|
Multidisciplinary
|
Multidisciplinary, 6, 7.06%
Multidisciplinary
6 публикаций, 7.06%
|
|
General Engineering
|
General Engineering, 6, 7.06%
General Engineering
6 публикаций, 7.06%
|
|
Philosophy
|
Philosophy, 6, 7.06%
Philosophy
6 публикаций, 7.06%
|
|
Surfaces, Coatings and Films
|
Surfaces, Coatings and Films, 5, 5.88%
Surfaces, Coatings and Films
5 публикаций, 5.88%
|
|
Mechanical Engineering
|
Mechanical Engineering, 5, 5.88%
Mechanical Engineering
5 публикаций, 5.88%
|
|
Surfaces and Interfaces
|
Surfaces and Interfaces, 4, 4.71%
Surfaces and Interfaces
4 публикации, 4.71%
|
|
Mechanics of Materials
|
Mechanics of Materials, 4, 4.71%
Mechanics of Materials
4 публикации, 4.71%
|
|
Materials Chemistry
|
Materials Chemistry, 3, 3.53%
Materials Chemistry
3 публикации, 3.53%
|
|
Physical and Theoretical Chemistry
|
Physical and Theoretical Chemistry, 3, 3.53%
Physical and Theoretical Chemistry
3 публикации, 3.53%
|
|
Electrical and Electronic Engineering
|
Electrical and Electronic Engineering, 3, 3.53%
Electrical and Electronic Engineering
3 публикации, 3.53%
|
|
Catalysis
|
Catalysis, 2, 2.35%
Catalysis
2 публикации, 2.35%
|
|
General Chemical Engineering
|
General Chemical Engineering, 2, 2.35%
General Chemical Engineering
2 публикации, 2.35%
|
|
Chemistry (miscellaneous)
|
Chemistry (miscellaneous), 2, 2.35%
Chemistry (miscellaneous)
2 публикации, 2.35%
|
|
Bioengineering
|
Bioengineering, 2, 2.35%
Bioengineering
2 публикации, 2.35%
|
|
Metals and Alloys
|
Metals and Alloys, 1, 1.18%
Metals and Alloys
1 публикация, 1.18%
|
|
Organic Chemistry
|
Organic Chemistry, 1, 1.18%
Organic Chemistry
1 публикация, 1.18%
|
|
Atomic and Molecular Physics, and Optics
|
Atomic and Molecular Physics, and Optics, 1, 1.18%
Atomic and Molecular Physics, and Optics
1 публикация, 1.18%
|
|
General Mathematics
|
General Mathematics, 1, 1.18%
General Mathematics
1 публикация, 1.18%
|
|
Computer Science (miscellaneous)
|
Computer Science (miscellaneous), 1, 1.18%
Computer Science (miscellaneous)
1 публикация, 1.18%
|
|
General Energy
|
General Energy, 1, 1.18%
General Energy
1 публикация, 1.18%
|
|
5
10
15
20
25
|
Журналы
Цитирующие журналы
Цитируемые журналы
Издатели
|
5
10
15
20
|
|
|
Pleiades Publishing
20 публикаций, 23.53%
|
|
|
Elsevier
12 публикаций, 14.12%
|
|
|
Springer Nature
11 публикаций, 12.94%
|
|
|
American Physical Society (APS)
11 публикаций, 12.94%
|
|
|
American Chemical Society (ACS)
8 публикаций, 9.41%
|
|
|
Saint Petersburg State University
6 публикаций, 7.06%
|
|
|
AIP Publishing
4 публикации, 4.71%
|
|
|
IOP Publishing
4 публикации, 4.71%
|
|
|
MDPI
3 публикации, 3.53%
|
|
|
Royal Society of Chemistry (RSC)
2 публикации, 2.35%
|
|
|
Wiley
1 публикация, 1.18%
|
|
|
Beilstein-Institut
1 публикация, 1.18%
|
|
|
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
1 публикация, 1.18%
|
|
|
SPIE-Intl Soc Optical Eng
1 публикация, 1.18%
|
|
|
5
10
15
20
|
Организации из публикаций
Страны из публикаций
|
10
20
30
40
50
60
70
80
90
|
|
|
Россия
|
Россия, 83, 97.65%
Россия
83 публикации, 97.65%
|
|
Испания
|
Испания, 32, 37.65%
Испания
32 публикации, 37.65%
|
|
Германия
|
Германия, 29, 34.12%
Германия
29 публикаций, 34.12%
|
|
Италия
|
Италия, 18, 21.18%
Италия
18 публикаций, 21.18%
|
|
Япония
|
Япония, 14, 16.47%
Япония
14 публикаций, 16.47%
|
|
Азербайджан
|
Азербайджан, 10, 11.76%
Азербайджан
10 публикаций, 11.76%
|
|
Бельгия
|
Бельгия, 5, 5.88%
Бельгия
5 публикаций, 5.88%
|
|
Страна не определена
|
Страна не определена, 4, 4.71%
Страна не определена
4 публикации, 4.71%
|
|
Австрия
|
Австрия, 4, 4.71%
Австрия
4 публикации, 4.71%
|
|
Швейцария
|
Швейцария, 4, 4.71%
Швейцария
4 публикации, 4.71%
|
|
США
|
США, 3, 3.53%
США
3 публикации, 3.53%
|
|
Швеция
|
Швеция, 3, 3.53%
Швеция
3 публикации, 3.53%
|
|
Ирландия
|
Ирландия, 2, 2.35%
Ирландия
2 публикации, 2.35%
|
|
Финляндия
|
Финляндия, 2, 2.35%
Финляндия
2 публикации, 2.35%
|
|
Армения
|
Армения, 1, 1.18%
Армения
1 публикация, 1.18%
|
|
Великобритания
|
Великобритания, 1, 1.18%
Великобритания
1 публикация, 1.18%
|
|
Хорватия
|
Хорватия, 1, 1.18%
Хорватия
1 публикация, 1.18%
|
|
Чехия
|
Чехия, 1, 1.18%
Чехия
1 публикация, 1.18%
|
|
10
20
30
40
50
60
70
80
90
|
Цитирующие организации
Цитирующие страны
- Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
- Статистика пересчитывается раз в сутки.
Направления исследований
Ферро- и антиферромагнитные, а также сверхпроводящие 4f соединения
+
Соединения редкоземельных элементов имеют большое прикладное значение, включая использование таких материалов в качестве источников постоянного магнитного поля в генераторах энергии и электродвигателях, для хранения информации, а также в электронике и спинтронике. Огромное количество работ посвящено изучению необычных свойств 4f материалов касательно их объема, при этом процессами, протекающими на границах раздела, фактически пренебрегают. Между тем, свойства поверхности и интерфейсов могут сильно отличаться от объемных свойств материалов, и это следует учитывать при создании новых функциональных структур нанометровых размеров. Исследования направлены на понимание того, чем определяется электронная структура и поведение магнитных моментов вблизи поверхностей и интерфейсов в зависимости от характеристик материалов, формирующих интерфейс.
Графен-содержащие и другие 2D системы
+
В настоящее время имеется значительное число работ, посвященных исследованию особенностей электронной структуры графена в области точки Дирака и созданию электронных и спиновых устройств на основе графена. При этом использование графена в качестве активного элемента электроники, спинтроники и квантовых вычислений до сих пор остается сильно ограниченным ввиду необходимости модификации электронной структуры графена. Недавно было показано, что контакты графена с магнитными и/или тяжелыми металлами приводят к образованию уникальных особенностей в электронной и спиновой текстуре, позволяющей реализовать целый набор эффектов (квантовый аномальный и спиновый эффекты Холла, спин-торк эффект и др.). В связи с этим, задачей лаборатории является изучение электронной и спиновой структуры графена при контакте с различными материалами, а также выращенного на различных подложках, в том числе полупроводниковых (например, SiC-6H) с перспективой создания прототипов устройств. Помимо этого, будут изучены такие перспективные двумерные системы как черный фосфор (black phosphorus), ультратонкие пленки Bi, проявляющие топологические свойства.
Магнитные и немагнитные топологические изоляторы
+
Топологические изоляторы (ТИ) привлекают интерес благодаря особенностям электронной структуры и ряду новых физических эффектов, недавно открытых для данных объектов. Благодаря спиновой поляризации и топологической защищенности поверхностных состояний ТИ представляют собой очень эффективную систему для применений в спинтронике и квантовых компьютерах. Недавнее открытие фазы собственного магнитного топологического изолятора в материалах на основе (Mn(Bi,Sb)2Te4)((Bi,Sb)2Te3)n, а также EuSn2As2 позволило объединить магнетизм и топологию в одном соединении и наблюдать квантовый аномальный эффект Холла при достаточно высоких температурах. Такие материалы являются объемными ферромагнетиками или антиферромагнетиками в зависимости от стехиометрии и легирования. На базе данных материалов и наблюдаемых уникальных эффектах уже теоретически предложены десятки прототипов устройств. Однако для эффективного применения магнитных топологических изоляторов в устройствах необходимо решить ряд задач. Большой интерес вызывает возможность использования топологически -защищённых состояний в технологии сверхпроводящих кубитов. Предсказано, что, в условиях наведённой сверхпроводимости, на поверхность поверхности топологического изолятора может возникают содержать фермионы майорановского типа, которые будут иметь неабелеву статистику. При этом, кубиты на основе таких состояний рассматриваются как защищённые от локальных источников декогеренции, следовательно, экспериментальная реализация такой системы представляет собой важную исследовательскую задачу.
Публикации и патенты
Найдено
Ничего не найдено, попробуйте изменить настройки фильтра.
Александр Михайлович Шикин, Анна Алексеевна Рыбкина, Артем Геннадиевич Рыбкин, Илья Игоревич Климовских, Пётр Николаевич Скирдков
RU2677564C1,
2019
Адрес лаборатории
Долгопрудный, Институтский переулок, 9
Необходимо авторизоваться.