Лаборатория фотоэлектронной спектроскопии квантовых функциональных материалов

Необходимо авторизоваться.

Лаборатория занимается изучением электронной и спиновой структуры новых материалов для пост-кремниевой электроники и квантовых вычислений, таких как топологические изоляторы, сверхпроводники, графен и другие 2D системы, антиферромагнетики.

  1. РФЭС-спектроскопия
  2. ФЭСУР-спектроскопия
  3. Магнитно-силовая микроскопия
  4. Сканирующая туннельная микроскопия

Данный атомно-силовой микроскоп снимает топографию поверхности, способен при низких температурах сканировать площадь поверхностью до 20 микрон, а при комнатной температуре до 25 мк. Среди достоинств: не требует заливки жидкого гелия; рабочий диапазон: 4 - 150 К.

Уникальный вариант сканирующего зондового микроскопа, основанного на эффекте Джоуля-Томсона (медленное протекание газа под действием постоянного перепада давлений сквозь пористую перегородку), предназначенный для измерения топографии проводящих поверхностей и спектроскопии с высоким пространственным разрешением. Данный микроскоп относится к оборудованию в области сверхвысоковакуумных технологий (Ultra High Vacuum), способный достигать уровня вакуума порядка 10^-10 мбар и ниже.

Криостат attoDRY2100, возглавляющий линейку криостатов замкнутого цикла с вертикальной загрузкой, обеспечивает непрерывную базовую температуру 1,65 К, автоматический контроль температуры и магнитного поля в диапазоне от 1,65 К до 300 К и возможность использования сверхпроводящего магнита до 9Т, который позволяет использовать максимальное магнитное поле даже при температуре 300 К с исключительной температурной стабильностью, а также полевое охлаждение образцов без необходимости работы с жидким гелием. Следовательно, это лучший выбор в качестве криостата с регулируемой температурой для любых низкотемпературных экспериментов, будь то измерения магнитотранспорта, конфокальная микроскопия и спектроскопия или сканирующая зондовая микроскопия.

Кирилл Бокай
Старший научный сотрудник
Климовских Илья Игоревич
Илья Климовских
Научный сотрудник
Владимирова Надежда Владимировна
Надежда Владимирова
Младший научный сотрудник
Артем Тарасов 🥼
Младший научный сотрудник
Марк Наумов
Младший научный сотрудник
Всего публикаций
85
Всего цитирований
2628
Цитирований на публикацию
30.92
Среднее число публикаций в год
7.08
Годы публикаций
2013-2024 (12 лет)
h-index
20
i10-index
44
m-index
1.67
o-index
145
g-index
50
w-index
7
Описание метрик
h-index
Учёный имеет индекс h, если h из его N статей цитируются как минимум h раз каждая, в то время как оставшиеся (N - h) статей цитируются не более чем h раз каждая.
i10-index
Число статей автора, получивших не менее 10 ссылок каждая.
m-index
m-индекс ученого численно равен отношению его h-индекса к количеству лет, прошедших с момента первой публикации.
o-index
Среднее геометрическое h-индекса и числа цитирований наиболее цитируемой статьи ученого.
g-index
Для данного множества статей, отсортированного в порядке убывания количества цитирований, которые получили эти статьи, g-индекс это наибольшее число, такое что g самых цитируемых статей получили (суммарно) не менее g2 цитирований.
w-index
Если w статей ученого имеют не менее 10w цитирований каждая и другие статьи меньше, чем 10(w+1) цитирований, то w-индекс исследователя равен w.

Топ-100

Области наук

5
10
15
20
25
General Physics and Astronomy, 22, 25.88%
General Physics and Astronomy
22 публикации, 25.88%
General Materials Science, 18, 21.18%
General Materials Science
18 публикаций, 21.18%
Condensed Matter Physics, 17, 20%
Condensed Matter Physics
17 публикаций, 20%
General Chemistry, 15, 17.65%
General Chemistry
15 публикаций, 17.65%
Physics and Astronomy (miscellaneous), 12, 14.12%
Physics and Astronomy (miscellaneous)
12 публикаций, 14.12%
Electronic, Optical and Magnetic Materials, 11, 12.94%
Electronic, Optical and Magnetic Materials
11 публикаций, 12.94%
Multidisciplinary, 6, 7.06%
Multidisciplinary
6 публикаций, 7.06%
General Engineering, 6, 7.06%
General Engineering
6 публикаций, 7.06%
Philosophy, 6, 7.06%
Philosophy
6 публикаций, 7.06%
Surfaces, Coatings and Films, 5, 5.88%
Surfaces, Coatings and Films
5 публикаций, 5.88%
Mechanical Engineering, 5, 5.88%
Mechanical Engineering
5 публикаций, 5.88%
Surfaces and Interfaces, 4, 4.71%
Surfaces and Interfaces
4 публикации, 4.71%
Mechanics of Materials, 4, 4.71%
Mechanics of Materials
4 публикации, 4.71%
Materials Chemistry, 3, 3.53%
Materials Chemistry
3 публикации, 3.53%
Physical and Theoretical Chemistry, 3, 3.53%
Physical and Theoretical Chemistry
3 публикации, 3.53%
Electrical and Electronic Engineering, 3, 3.53%
Electrical and Electronic Engineering
3 публикации, 3.53%
Catalysis, 2, 2.35%
Catalysis
2 публикации, 2.35%
General Chemical Engineering, 2, 2.35%
General Chemical Engineering
2 публикации, 2.35%
Chemistry (miscellaneous), 2, 2.35%
Chemistry (miscellaneous)
2 публикации, 2.35%
Bioengineering, 2, 2.35%
Bioengineering
2 публикации, 2.35%
Metals and Alloys, 1, 1.18%
Metals and Alloys
1 публикация, 1.18%
Organic Chemistry, 1, 1.18%
Organic Chemistry
1 публикация, 1.18%
Atomic and Molecular Physics, and Optics, 1, 1.18%
Atomic and Molecular Physics, and Optics
1 публикация, 1.18%
General Mathematics, 1, 1.18%
General Mathematics
1 публикация, 1.18%
Computer Science (miscellaneous), 1, 1.18%
Computer Science (miscellaneous)
1 публикация, 1.18%
General Energy, 1, 1.18%
General Energy
1 публикация, 1.18%
5
10
15
20
25

Журналы

1
2
3
4
5
6
7
8
9
JETP Letters
9 публикаций, 10.59%
Physical Review B
9 публикаций, 10.59%
Journal of Experimental and Theoretical Physics
6 публикаций, 7.06%
Horizon. Studies in Phenomenology
6 публикаций, 7.06%
Scientific Reports
5 публикаций, 5.88%
Carbon
4 публикации, 4.71%
ACS Nano
4 публикации, 4.71%
Physics of the Solid State
3 публикации, 3.53%
Applied Surface Science
3 публикации, 3.53%
npj Quantum Materials
2 публикации, 2.35%
Applied Physics Letters
2 публикации, 2.35%
Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics
2 публикации, 2.35%
Communications Physics
2 публикации, 2.35%
2D Materials
2 публикации, 2.35%
Nanoscale
1 публикация, 1.18%
New Journal of Physics
1 публикация, 1.18%
Surfaces and Interfaces
1 публикация, 1.18%
Physical Chemistry Chemical Physics
1 публикация, 1.18%
Journal of Alloys and Compounds
1 публикация, 1.18%
Physical Review Letters
1 публикация, 1.18%
Chemistry of Materials
1 публикация, 1.18%
APL Materials
1 публикация, 1.18%
Journal of Physical Chemistry C
1 публикация, 1.18%
Nanomaterials
1 публикация, 1.18%
Nano Letters
1 публикация, 1.18%
Materials Chemistry and Physics
1 публикация, 1.18%
Nature
1 публикация, 1.18%
Nanotechnology
1 публикация, 1.18%
Physica B: Condensed Matter
1 публикация, 1.18%
AIP Conference Proceedings
1 публикация, 1.18%
Journal of Physical Chemistry Letters
1 публикация, 1.18%
Symmetry
1 публикация, 1.18%
Beilstein Journal of Nanotechnology
1 публикация, 1.18%
Materials Today Advances
1 публикация, 1.18%
Topics in Catalysis
1 публикация, 1.18%
Chemistry - A European Journal
1 публикация, 1.18%
Optical Engineering
1 публикация, 1.18%
Magnetochemistry
1 публикация, 1.18%
Physical Review Research
1 публикация, 1.18%
2022 International Conference Laser Optics, ICLO 2022 - Proceedingss
1 публикация, 1.18%
1
2
3
4
5
6
7
8
9

Цитирующие журналы

50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
Physical Review B
481 цитирование, 18.3%
Nano Letters
84 цитирования, 3.2%
JETP Letters
79 цитирований, 3.01%
Physical Review Materials
68 цитирований, 2.59%
Applied Physics Letters
60 цитирований, 2.28%
Physical Review Letters
59 цитирований, 2.25%
Physical Review Research
58 цитирований, 2.21%
Scientific Reports
53 цитирования, 2.02%
Nature Communications
51 цитирование, 1.94%
Journal of Experimental and Theoretical Physics
41 цитирование, 1.56%
2D Materials
38 цитирований, 1.45%
ACS Nano
37 цитирований, 1.41%
Journal of Physical Chemistry Letters
36 цитирований, 1.37%
Journal of Physics Condensed Matter
35 цитирований, 1.33%
Advanced Materials
33 цитирования, 1.26%
Physics of the Solid State
32 цитирования, 1.22%
National Science Review
29 цитирований, 1.1%
npj Quantum Materials
28 цитирований, 1.07%
Advanced Functional Materials
28 цитирований, 1.07%
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
28 цитирований, 1.07%
Journal of Physical Chemistry C
25 цитирований, 0.95%
Nanomaterials
25 цитирований, 0.95%
Nanoscale
24 цитирования, 0.91%
Physica B: Condensed Matter
24 цитирования, 0.91%
Acta Physica Sinica
24 цитирования, 0.91%
ACS applied materials & interfaces
23 цитирования, 0.88%
Chinese Physics B
23 цитирования, 0.88%
Журнал не определён, 22, 0.84%
Журнал не определён
22 цитирования, 0.84%
Journal of Applied Physics
22 цитирования, 0.84%
Journal of Physics and Chemistry of Solids
22 цитирования, 0.84%
Russian Journal of Inorganic Chemistry
20 цитирований, 0.76%
Carbon
19 цитирований, 0.72%
Physical Chemistry Chemical Physics
19 цитирований, 0.72%
Physical Review X
19 цитирований, 0.72%
Symmetry
19 цитирований, 0.72%
Chinese Physics Letters
19 цитирований, 0.72%
npj Computational Materials
18 цитирований, 0.68%
Materials Chemistry and Physics
17 цитирований, 0.65%
Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures
17 цитирований, 0.65%
Journal Physics D: Applied Physics
17 цитирований, 0.65%
Advanced Science
16 цитирований, 0.61%
Applied Surface Science
16 цитирований, 0.61%
Crystallography Reports
16 цитирований, 0.61%
Communications Materials
16 цитирований, 0.61%
Journal of Alloys and Compounds
14 цитирований, 0.53%
New Journal of Physics
13 цитирований, 0.49%
Science China: Physics, Mechanics and Astronomy
13 цитирований, 0.49%
Nature Physics
12 цитирований, 0.46%
Materials Today Advances
12 цитирований, 0.46%
Кристаллография
12 цитирований, 0.46%
Journal of Materials Chemistry C
11 цитирований, 0.42%
Materials Today Physics
11 цитирований, 0.42%
Chemistry of Materials
11 цитирований, 0.42%
APL Materials
11 цитирований, 0.42%
Science advances
11 цитирований, 0.42%
Small
10 цитирований, 0.38%
Nature
10 цитирований, 0.38%
Frontiers of Physics
10 цитирований, 0.38%
ACS Applied Nano Materials
9 цитирований, 0.34%
Physica Status Solidi - Rapid Research Letters
9 цитирований, 0.34%
Nanotechnology
9 цитирований, 0.34%
AIP Conference Proceedings
9 цитирований, 0.34%
Communications Physics
9 цитирований, 0.34%
Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
9 цитирований, 0.34%
Journal of Magnetism and Magnetic Materials
8 цитирований, 0.3%
Nano Research
8 цитирований, 0.3%
Crystals
7 цитирований, 0.27%
Chemical Engineering Journal
7 цитирований, 0.27%
Materials Horizons
6 цитирований, 0.23%
Applied Physics Reviews
6 цитирований, 0.23%
Physics Letters, Section A: General, Atomic and Solid State Physics
6 цитирований, 0.23%
RSC Advances
6 цитирований, 0.23%
npj 2D Materials and Applications
6 цитирований, 0.23%
Computational Materials Science
6 цитирований, 0.23%
AIP Advances
6 цитирований, 0.23%
Journal of Power Sources
6 цитирований, 0.23%
Materials
6 цитирований, 0.23%
Magnetochemistry
6 цитирований, 0.23%
Journal of Physics Materials
6 цитирований, 0.23%
Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America
5 цитирований, 0.19%
Russian Journal of Physical Chemistry A
5 цитирований, 0.19%
Science
5 цитирований, 0.19%
Physica Status Solidi (B): Basic Research
5 цитирований, 0.19%
Progress in Surface Science
5 цитирований, 0.19%
Nature Materials
5 цитирований, 0.19%
FlatChem
5 цитирований, 0.19%
Science Bulletin
5 цитирований, 0.19%
Journal of Energy Storage
5 цитирований, 0.19%
Sensors and Actuators, B: Chemical
5 цитирований, 0.19%
Journal of Superconductivity and Novel Magnetism
5 цитирований, 0.19%
ACS Applied Electronic Materials
5 цитирований, 0.19%
Advanced Theory and Simulations
5 цитирований, 0.19%
Nature Reviews Physics
5 цитирований, 0.19%
Journal of Chemical Physics
4 цитирования, 0.15%
Materials Letters
4 цитирования, 0.15%
Surface Science Reports
4 цитирования, 0.15%
Journal of Solid State Chemistry
4 цитирования, 0.15%
Journal of Physics: Conference Series
4 цитирования, 0.15%
Scientia Sinica: Physica, Mechanica et Astronomica
4 цитирования, 0.15%
CrystEngComm
4 цитирования, 0.15%
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500

Цитируемые журналы

100
200
300
400
500
600
700
800
Physical Review B
712 цитирований, 21.27%
Physical Review Letters
346 цитирований, 10.33%
Science
119 цитирований, 3.55%
Nature Communications
111 цитирований, 3.32%
Nature Physics
98 цитирований, 2.93%
Nature
97 цитирований, 2.9%
Nano Letters
76 цитирований, 2.27%
Scientific Reports
70 цитирований, 2.09%
Nature Materials
68 цитирований, 2.03%
Applied Physics Letters
63 цитирования, 1.88%
Reviews of Modern Physics
62 цитирования, 1.85%
ACS Nano
58 цитирований, 1.73%
Journal of Physical Chemistry C
42 цитирования, 1.25%
New Journal of Physics
39 цитирований, 1.16%
JETP Letters
39 цитирований, 1.16%
Surface Science
38 цитирований, 1.14%
Physics of the Solid State
37 цитирований, 1.11%
Nature Nanotechnology
34 цитирования, 1.02%
Physical Review X
34 цитирования, 1.02%
Journal of Applied Physics
34 цитирования, 1.02%
2D Materials
33 цитирования, 0.99%
Journal of Alloys and Compounds
32 цитирования, 0.96%
Journal of Physics Condensed Matter
31 цитирование, 0.93%
Journal of Experimental and Theoretical Physics
28 цитирований, 0.84%
Science advances
28 цитирований, 0.84%
Journal of the Electrochemical Society
24 цитирования, 0.72%
Chemistry of Materials
24 цитирования, 0.72%
Physical Review Materials
24 цитирования, 0.72%
Журнал не определён, 22, 0.66%
Журнал не определён
22 цитирования, 0.66%
APL Materials
22 цитирования, 0.66%
Advanced Materials
20 цитирований, 0.6%
Physical Chemistry Chemical Physics
18 цитирований, 0.54%
Applied Surface Science
18 цитирований, 0.54%
Journal of Physical Chemistry Letters
18 цитирований, 0.54%
Journal of Computational Chemistry
16 цитирований, 0.48%
Solid State Communications
16 цитирований, 0.48%
Chinese Physics Letters
16 цитирований, 0.48%
Carbon
15 цитирований, 0.45%
Journal of Chemical Physics
15 цитирований, 0.45%
npj Quantum Materials
15 цитирований, 0.45%
Physical Review A
15 цитирований, 0.45%
Electrochimica Acta
15 цитирований, 0.45%
Nanotechnology
14 цитирований, 0.42%
Nature Reviews Physics
14 цитирований, 0.42%
Physical Review Research
14 цитирований, 0.42%
Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America
13 цитирований, 0.39%
Ultramicroscopy
13 цитирований, 0.39%
Journal of Crystal Growth
13 цитирований, 0.39%
National Science Review
12 цитирований, 0.36%
Journal of Physics C Solid State Physics
12 цитирований, 0.36%
Computer Physics Communications
11 цитирований, 0.33%
Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena
11 цитирований, 0.33%
CrystEngComm
10 цитирований, 0.3%
Reports on Progress in Physics
10 цитирований, 0.3%
Journal of Materials Chemistry A
10 цитирований, 0.3%
Annual Review of Condensed Matter Physics
10 цитирований, 0.3%
Journal of Power Sources
9 цитирований, 0.27%
Journal of the Physical Society of Japan
9 цитирований, 0.27%
Sensors and Actuators, B: Chemical
9 цитирований, 0.27%
Journal of the American Chemical Society
8 цитирований, 0.24%
AIP Advances
8 цитирований, 0.24%
Review of Scientific Instruments
8 цитирований, 0.24%
Journal of Magnetism and Magnetic Materials
8 цитирований, 0.24%
Journal of Physical Chemistry B
8 цитирований, 0.24%
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment
8 цитирований, 0.24%
Physica B: Condensed Matter
8 цитирований, 0.24%
Journal of Electroanalytical Chemistry
8 цитирований, 0.24%
Nanoscale
7 цитирований, 0.21%
ACS applied materials & interfaces
7 цитирований, 0.21%
Computational Materials Science
7 цитирований, 0.21%
Journal of Materials Chemistry C
7 цитирований, 0.21%
Journal Physics D: Applied Physics
7 цитирований, 0.21%
Journal of Physics and Chemistry of Solids
7 цитирований, 0.21%
Journal of Physics F Metal Physics
7 цитирований, 0.21%
Physica Status Solidi - Rapid Research Letters
6 цитирований, 0.18%
Solid State Ionics
6 цитирований, 0.18%
Chemical Reviews
6 цитирований, 0.18%
Journal of Synchrotron Radiation
6 цитирований, 0.18%
Nature Electronics
6 цитирований, 0.18%
Analytical Chemistry
6 цитирований, 0.18%
Atomic Data and Nuclear Data Tables
6 цитирований, 0.18%
Journal of Vacuum Science and Technology B
6 цитирований, 0.18%
RSC Advances
5 цитирований, 0.15%
Surface Science Spectra
5 цитирований, 0.15%
Journal of Applied Crystallography
5 цитирований, 0.15%
Semiconductors
5 цитирований, 0.15%
Europhysics Letters
5 цитирований, 0.15%
Ferroelectrics
5 цитирований, 0.15%
npj Computational Materials
5 цитирований, 0.15%
The Journal of Physical Chemistry
5 цитирований, 0.15%
Physics Letters, Section A: General, Atomic and Solid State Physics
4 цитирования, 0.12%
Nanomaterials
4 цитирования, 0.12%
Nature Chemistry
4 цитирования, 0.12%
Journal of Chemical Thermodynamics
4 цитирования, 0.12%
Thin Solid Films
4 цитирования, 0.12%
Physics Today
4 цитирования, 0.12%
Langmuir
4 цитирования, 0.12%
Surface Science Reports
3 цитирования, 0.09%
Journal of Solid State Chemistry
3 цитирования, 0.09%
Acta Materialia
3 цитирования, 0.09%
100
200
300
400
500
600
700
800

Издатели

5
10
15
20
Pleiades Publishing
20 публикаций, 23.53%
Elsevier
12 публикаций, 14.12%
Springer Nature
11 публикаций, 12.94%
American Physical Society (APS)
11 публикаций, 12.94%
American Chemical Society (ACS)
8 публикаций, 9.41%
Saint Petersburg State University
6 публикаций, 7.06%
AIP Publishing
4 публикации, 4.71%
IOP Publishing
4 публикации, 4.71%
MDPI
3 публикации, 3.53%
Royal Society of Chemistry (RSC)
2 публикации, 2.35%
Wiley
1 публикация, 1.18%
Beilstein-Institut
1 публикация, 1.18%
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
1 публикация, 1.18%
SPIE-Intl Soc Optical Eng
1 публикация, 1.18%
5
10
15
20

Организации из публикаций

10
20
30
40
50
60
70
Санкт-Петербургский государственный университет
66 публикаций, 77.65%
Международный физический центр Доностия
28 публикаций, 32.94%
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
26 публикаций, 30.59%
Университет Страны Басков
26 публикаций, 30.59%
Институт геологии и минералогии имени В.С. Соболева СО РАН
25 публикаций, 29.41%
Центр физики материалов
25 публикаций, 29.41%
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
23 публикации, 27.06%
Новосибирский Государственный Университет
23 публикации, 27.06%
Берлинский центр материалов и энергии имени Гельмгольца
23 публикации, 27.06%
Политехнический университет Валенсии
21 публикация, 24.71%
Томский Государственный Университет
20 публикаций, 23.53%
Московский физико-технический институт
17 публикаций, 20%
Элеттра Синхротрон Триест
17 публикаций, 20%
Баскский научный фонд
13 публикаций, 15.29%
Университет Хиросимы
13 публикаций, 15.29%
Институт физики Министерства науки и образования республики Азербайджан
10 публикаций, 11.76%
Институт общей физики имени А.М. Прохорова РАН
9 публикаций, 10.59%
Кемеровский государственный университет
9 публикаций, 10.59%
Азербайджанский государственный университет нефти и промышленности
9 публикаций, 10.59%
Институт катализа и неорганической химии имени академика М.Нагиева Министерства науки и образования республики Азербайджан
9 публикаций, 10.59%
Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН
8 публикаций, 9.41%
Федеральный исследовательский центр химической физики им. Н.Н. Семёнова РАН
7 публикаций, 8.24%
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН
7 публикаций, 8.24%
Бакинский государственный университет
7 публикаций, 8.24%
Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
6 публикаций, 7.06%
Институт физики твердого тела РАН
6 публикаций, 7.06%
Российский квантовый центр
6 публикаций, 7.06%
Институт Лейбница по исследованию твердого тела и материалов
5 публикаций, 5.88%
Антверпенский университет
5 публикаций, 5.88%
Институт нанотехнологий IMDEA
5 публикаций, 5.88%
Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН
4 публикации, 4.71%
Институт физики молекул и кристаллов УФИЦ РАН
4 публикации, 4.71%
Уфимский федеральный исследовательский центр РАН
4 публикации, 4.71%
Институт Пауля Шеррера
4 публикации, 4.71%
Институт физики микроструктур Общества Макса Планка
4 публикации, 4.71%
Институт им. Фрица Габера Общества Макса Планка
4 публикации, 4.71%
Университет Иоганна Кеплера в Линце
4 публикации, 4.71%
Институт радиотехники и электроники имени В.А. Котельникова РАН
3 публикации, 3.53%
Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН
3 публикации, 3.53%
Сколковский институт науки и технологий
2 публикации, 2.35%
Институт Международный томографический центр СО РАН
2 публикации, 2.35%
Институт химии твердого тела УрО РАН
2 публикации, 2.35%
Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН
2 публикации, 2.35%
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"
2 публикации, 2.35%
Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики имени Н. Л. Духова
2 публикации, 2.35%
Московский государственный технологический университет «СТАНКИН»
2 публикации, 2.35%
ALBA синхротрон
2 публикации, 2.35%
Лундский университет
2 публикации, 2.35%
Центр им. Гельмгольца Дрезден-Россендорф
2 публикации, 2.35%
Автономный университет Мадрида
2 публикации, 2.35%
Тринити-колледж (Дублин)
2 публикации, 2.35%
Организация не определена, 1, 1.18%
Организация не определена
1 публикация, 1.18%
Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
1 публикация, 1.18%
Институт биохимической физики им. Н.М. Эмануэля РАН
1 публикация, 1.18%
Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН
1 публикация, 1.18%
Институт физических проблем им. П.Л. Капицы РАН
1 публикация, 1.18%
Институт ядерных исследований РАН
1 публикация, 1.18%
Институт теоретической физики им. Л.Д. Ландау РАН
1 публикация, 1.18%
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
1 публикация, 1.18%
Институт автоматики и электрометрии СО РАН
1 публикация, 1.18%
Институт физики металлов имени М. Н. Михеева УрО РАН
1 публикация, 1.18%
МИРЭА — Российский технологический университет
1 публикация, 1.18%
JSC "GIREDMET" - State Research and Design Institute of Rare Metals Industry of the State Corporation "Rosatom"
1 публикация, 1.18%
Ереванский государственный университет
1 публикация, 1.18%
Федеральная политехническая школа Лозанны
1 публикация, 1.18%
Свободный университет Берлина
1 публикация, 1.18%
Стокгольмский университет
1 публикация, 1.18%
Университет Аалто
1 публикация, 1.18%
Дрезденский технический университет
1 публикация, 1.18%
Университет Оулу
1 публикация, 1.18%
Манчестерский университет
1 публикация, 1.18%
Национальная лаборатория имени Лоуренса в Беркли
1 публикация, 1.18%
Массачусетский технологический институт
1 публикация, 1.18%
Институт прикладной физики Нелло Каррары
1 публикация, 1.18%
Калифорнийский университет в Лос-Анджелесе
1 публикация, 1.18%
Институт преобразования химической энергии Общества Макса Планка
1 публикация, 1.18%
Кёльнский университет
1 публикация, 1.18%
Институт физики Чешской академии наук
1 публикация, 1.18%
Университет Эрлангена — Нюрнберга
1 публикация, 1.18%
Вюрцбургский университет имени Юлиуса Максимилиана
1 публикация, 1.18%
Японское агентство по атомной энергии
1 публикация, 1.18%
Потсдамский университет
1 публикация, 1.18%
Юлихский исследовательский центр
1 публикация, 1.18%
Токийский университет
1 публикация, 1.18%
Институт молекулярных наук
1 публикация, 1.18%
Мадридский институт материаловедения
1 публикация, 1.18%
10
20
30
40
50
60
70

Страны из публикаций

10
20
30
40
50
60
70
80
90
Россия, 83, 97.65%
Россия
83 публикации, 97.65%
Испания, 32, 37.65%
Испания
32 публикации, 37.65%
Германия, 29, 34.12%
Германия
29 публикаций, 34.12%
Италия, 18, 21.18%
Италия
18 публикаций, 21.18%
Япония, 14, 16.47%
Япония
14 публикаций, 16.47%
Азербайджан, 10, 11.76%
Азербайджан
10 публикаций, 11.76%
Бельгия, 5, 5.88%
Бельгия
5 публикаций, 5.88%
Страна не определена, 4, 4.71%
Страна не определена
4 публикации, 4.71%
Австрия, 4, 4.71%
Австрия
4 публикации, 4.71%
Швейцария, 4, 4.71%
Швейцария
4 публикации, 4.71%
США, 3, 3.53%
США
3 публикации, 3.53%
Швеция, 3, 3.53%
Швеция
3 публикации, 3.53%
Ирландия, 2, 2.35%
Ирландия
2 публикации, 2.35%
Финляндия, 2, 2.35%
Финляндия
2 публикации, 2.35%
Армения, 1, 1.18%
Армения
1 публикация, 1.18%
Великобритания, 1, 1.18%
Великобритания
1 публикация, 1.18%
Хорватия, 1, 1.18%
Хорватия
1 публикация, 1.18%
Чехия, 1, 1.18%
Чехия
1 публикация, 1.18%
10
20
30
40
50
60
70
80
90

Цитирующие организации

20
40
60
80
100
120
140
160
Организация не определена, 160, 6.09%
Организация не определена
160 цитирований, 6.09%
Санкт-Петербургский государственный университет
151 цитирование, 5.75%
Международный физический центр Доностия
90 цитирований, 3.42%
Университет Страны Басков
86 цитирований, 3.27%
Университет Китайской академии наук
73 цитирования, 2.78%
Нанкинский университет
71 цитирование, 2.7%
Ок-Риджская национальная лаборатория
69 цитирований, 2.63%
Университет Цинхуа
67 цитирований, 2.55%
Центр совместных инноваций передовых микроструктур
62 цитирования, 2.36%
Томский Государственный Университет
61 цитирование, 2.32%
Центр физики материалов
61 цитирование, 2.32%
Южный университет науки и технологий
55 цитирований, 2.09%
Политехнический университет Валенсии
53 цитирования, 2.02%
Университет науки и технологий Китая
48 цитирований, 1.83%
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
47 цитирований, 1.79%
Университет штата Пенсильвания
47 цитирований, 1.79%
Пекинский университет
46 цитирований, 1.75%
Фуданьский университет
46 цитирований, 1.75%
Баскский научный фонд
46 цитирований, 1.75%
Институт Лейбница по исследованию твердого тела и материалов
43 цитирования, 1.64%
Институт физики Китайской академии наук
43 цитирования, 1.64%
Берлинский центр материалов и энергии имени Гельмгольца
43 цитирования, 1.64%
Институт геологии и минералогии имени В.С. Соболева СО РАН
39 цитирований, 1.48%
Университет Хиросимы
39 цитирований, 1.48%
Дрезденский технический университет
36 цитирований, 1.37%
Новосибирский Государственный Университет
35 цитирований, 1.33%
Бакинский государственный университет
35 цитирований, 1.33%
Институт катализа и неорганической химии имени академика М.Нагиева Министерства науки и образования республики Азербайджан
35 цитирований, 1.33%
Шанхайский технологический университет
34 цитирования, 1.29%
Московский физико-технический институт
33 цитирования, 1.26%
Пекинская академия квантовых информационных наук
32 цитирования, 1.22%
Массачусетский технологический институт
31 цитирование, 1.18%
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
30 цитирований, 1.14%
Эймсская лаборатория
30 цитирований, 1.14%
Калифорнийский университет в Лос-Анджелесе
30 цитирований, 1.14%
Китайский народный университет
29 цитирований, 1.1%
Элеттра Синхротрон Триест
29 цитирований, 1.1%
Национальный институт материаловедения
28 цитирований, 1.07%
Шаньдунский университет
28 цитирований, 1.07%
Юлихский исследовательский центр
28 цитирований, 1.07%
Токийский университет
28 цитирований, 1.07%
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН
27 цитирований, 1.03%
Азербайджанский государственный университет нефти и промышленности
27 цитирований, 1.03%
Оксфордский университет
26 цитирований, 0.99%
Ратгерский университет
26 цитирований, 0.99%
Университет штата Айова
25 цитирований, 0.95%
Вюрцбургский университет имени Юлиуса Максимилиана
24 цитирования, 0.91%
Институт физики Министерства науки и образования республики Азербайджан
23 цитирования, 0.88%
Университет имени Сунь Ятсена
23 цитирования, 0.88%
Национальная лаборатория имени Лоуренса в Беркли
23 цитирования, 0.88%
Лаборатория материалов озера Суншань
23 цитирования, 0.88%
Институт физико-химических исследований
23 цитирования, 0.88%
Институт Вейцмана
22 цитирования, 0.84%
Гарвардский университет
22 цитирования, 0.84%
Техасский университет в Остине
22 цитирования, 0.84%
Национальный университет Ченг Кунг
21 цитирование, 0.8%
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"
20 цитирований, 0.76%
Пекинский технологический институт
20 цитирований, 0.76%
Северо-Восточный университет
20 цитирований, 0.76%
Университет Тохоку
20 цитирований, 0.76%
Институт нанотехнологий IMDEA
20 цитирований, 0.76%
Чунцинский университет
19 цитирований, 0.72%
Бэйханский университет
18 цитирований, 0.68%
Институт химической физики твердых тел Общества Макса Планка
18 цитирований, 0.68%
Институт физики твердого тела РАН
17 цитирований, 0.65%
Шанхайский университет Цзяотун
17 цитирований, 0.65%
Институт Пауля Шеррера
17 цитирований, 0.65%
Амстердамский университет
17 цитирований, 0.65%
Шанхайский институт микросистем и информационных технологий, Китайская академия наук
17 цитирований, 0.65%
Институт общей физики имени А.М. Прохорова РАН
16 цитирований, 0.61%
Наньянский технологический университет
16 цитирований, 0.61%
Шаньсийский педагогический университет
16 цитирований, 0.61%
Национальный университет Сингапура
16 цитирований, 0.61%
Институт физики микроструктур Общества Макса Планка
16 цитирований, 0.61%
Иллинойсский университет в Урбане-Шампейне
16 цитирований, 0.61%
Университет Иоганна Кеплера в Линце
16 цитирований, 0.61%
Университет Теннесси
16 цитирований, 0.61%
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
15 цитирований, 0.57%
Брукхейвенская национальная лаборатория
15 цитирований, 0.57%
Гонконгский университет
15 цитирований, 0.57%
Институт полупроводников Китайской академии наук
15 цитирований, 0.57%
Майнцский университет имени Иоганна Гутенберга
15 цитирований, 0.57%
Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН
14 цитирований, 0.53%
Уханьский университет
14 цитирований, 0.53%
Стэнфордский университет
14 цитирований, 0.53%
Вашингтонский университет
14 цитирований, 0.53%
Автономный университет Мадрида
14 цитирований, 0.53%
Институт физики, Академия Синика
14 цитирований, 0.53%
Национальный университет Тайваня
13 цитирований, 0.49%
Аргоннская национальная лаборатория
13 цитирований, 0.49%
Университет Монаша
13 цитирований, 0.49%
Национальный институт стандартов и технологий
13 цитирований, 0.49%
Кемеровский государственный университет
12 цитирований, 0.46%
Пекинский педагогический университет
12 цитирований, 0.46%
ALBA синхротрон
12 цитирований, 0.46%
Свободный университет Берлина
12 цитирований, 0.46%
Шанхайский университет
12 цитирований, 0.46%
Токийский технологический институт
12 цитирований, 0.46%
Принстонский университет
12 цитирований, 0.46%
Лос-Аламосская национальная лаборатория
12 цитирований, 0.46%
20
40
60
80
100
120
140
160

Цитирующие страны

100
200
300
400
500
600
700
800
Китай, 713, 27.13%
Китай
713 цитирований, 27.13%
США, 373, 14.19%
США
373 цитирования, 14.19%
Россия, 259, 9.86%
Россия
259 цитирований, 9.86%
Германия, 234, 8.9%
Германия
234 цитирования, 8.9%
Страна не определена, 213, 8.11%
Страна не определена
213 цитирований, 8.11%
Испания, 153, 5.82%
Испания
153 цитирования, 5.82%
Япония, 135, 5.14%
Япония
135 цитирований, 5.14%
Великобритания, 76, 2.89%
Великобритания
76 цитирований, 2.89%
Италия, 72, 2.74%
Италия
72 цитирования, 2.74%
Индия, 71, 2.7%
Индия
71 цитирование, 2.7%
Азербайджан, 54, 2.05%
Азербайджан
54 цитирования, 2.05%
Франция, 48, 1.83%
Франция
48 цитирований, 1.83%
Швейцария, 41, 1.56%
Швейцария
41 цитирование, 1.56%
Республика Корея, 40, 1.52%
Республика Корея
40 цитирований, 1.52%
Австралия, 36, 1.37%
Австралия
36 цитирований, 1.37%
Сингапур, 35, 1.33%
Сингапур
35 цитирований, 1.33%
Швеция, 35, 1.33%
Швеция
35 цитирований, 1.33%
Польша, 28, 1.07%
Польша
28 цитирований, 1.07%
Австрия, 23, 0.88%
Австрия
23 цитирования, 0.88%
Израиль, 23, 0.88%
Израиль
23 цитирования, 0.88%
Нидерланды, 23, 0.88%
Нидерланды
23 цитирования, 0.88%
Чехия, 22, 0.84%
Чехия
22 цитирования, 0.84%
Бразилия, 20, 0.76%
Бразилия
20 цитирований, 0.76%
Иран, 20, 0.76%
Иран
20 цитирований, 0.76%
Канада, 15, 0.57%
Канада
15 цитирований, 0.57%
Бельгия, 14, 0.53%
Бельгия
14 цитирований, 0.53%
Дания, 14, 0.53%
Дания
14 цитирований, 0.53%
Саудовская Аравия, 9, 0.34%
Саудовская Аравия
9 цитирований, 0.34%
Ирландия, 8, 0.3%
Ирландия
8 цитирований, 0.3%
Мексика, 8, 0.3%
Мексика
8 цитирований, 0.3%
Бангладеш, 7, 0.27%
Бангладеш
7 цитирований, 0.27%
Вьетнам, 7, 0.27%
Вьетнам
7 цитирований, 0.27%
Гонконг (САР), 7, 0.27%
Гонконг (САР)
7 цитирований, 0.27%
Финляндия, 7, 0.27%
Финляндия
7 цитирований, 0.27%
Украина, 6, 0.23%
Украина
6 цитирований, 0.23%
Турция, 6, 0.23%
Турция
6 цитирований, 0.23%
Египет, 5, 0.19%
Египет
5 цитирований, 0.19%
Марокко, 5, 0.19%
Марокко
5 цитирований, 0.19%
Хорватия, 5, 0.19%
Хорватия
5 цитирований, 0.19%
Эквадор, 5, 0.19%
Эквадор
5 цитирований, 0.19%
Аргентина, 4, 0.15%
Аргентина
4 цитирования, 0.15%
Венгрия, 4, 0.15%
Венгрия
4 цитирования, 0.15%
Норвегия, 4, 0.15%
Норвегия
4 цитирования, 0.15%
Венесуэла, 3, 0.11%
Венесуэла
3 цитирования, 0.11%
Пакистан, 3, 0.11%
Пакистан
3 цитирования, 0.11%
Румыния, 3, 0.11%
Румыния
3 цитирования, 0.11%
Тайвань, 3, 0.11%
Тайвань
3 цитирования, 0.11%
Португалия, 2, 0.08%
Португалия
2 цитирования, 0.08%
Болгария, 2, 0.08%
Болгария
2 цитирования, 0.08%
Колумбия, 2, 0.08%
Колумбия
2 цитирования, 0.08%
Литва, 2, 0.08%
Литва
2 цитирования, 0.08%
Малайзия, 2, 0.08%
Малайзия
2 цитирования, 0.08%
Непал, 2, 0.08%
Непал
2 цитирования, 0.08%
Чили, 2, 0.08%
Чили
2 цитирования, 0.08%
ЮАР, 2, 0.08%
ЮАР
2 цитирования, 0.08%
Беларусь, 1, 0.04%
Беларусь
1 цитирование, 0.04%
Алжир, 1, 0.04%
Алжир
1 цитирование, 0.04%
Грузия, 1, 0.04%
Грузия
1 цитирование, 0.04%
Индонезия, 1, 0.04%
Индонезия
1 цитирование, 0.04%
Куба, 1, 0.04%
Куба
1 цитирование, 0.04%
Латвия, 1, 0.04%
Латвия
1 цитирование, 0.04%
Новая Зеландия, 1, 0.04%
Новая Зеландия
1 цитирование, 0.04%
ОАЭ, 1, 0.04%
ОАЭ
1 цитирование, 0.04%
Оман, 1, 0.04%
Оман
1 цитирование, 0.04%
Словакия, 1, 0.04%
Словакия
1 цитирование, 0.04%
Таиланд, 1, 0.04%
Таиланд
1 цитирование, 0.04%
Узбекистан, 1, 0.04%
Узбекистан
1 цитирование, 0.04%
Филиппины, 1, 0.04%
Филиппины
1 цитирование, 0.04%
100
200
300
400
500
600
700
800
  • Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
  • Статистика пересчитывается раз в сутки.

Направления исследований

Ферро- и антиферромагнитные, а также сверхпроводящие 4f соединения

+
Ферро- и антиферромагнитные, а также сверхпроводящие 4f соединения
Соединения редкоземельных элементов имеют большое прикладное значение, включая использование таких материалов в качестве источников постоянного магнитного поля в генераторах энергии и электродвигателях, для хранения информации, а также в электронике и спинтронике. Огромное количество работ посвящено изучению необычных свойств 4f материалов касательно их объема, при этом процессами, протекающими на границах раздела, фактически пренебрегают. Между тем, свойства поверхности и интерфейсов могут сильно отличаться от объемных свойств материалов, и это следует учитывать при создании новых функциональных структур нанометровых размеров. Исследования направлены на понимание того, чем определяется электронная структура и поведение магнитных моментов вблизи поверхностей и интерфейсов в зависимости от характеристик материалов, формирующих интерфейс.

Графен-содержащие и другие 2D системы

+
Графен-содержащие и другие 2D системы
В настоящее время имеется значительное число работ, посвященных исследованию особенностей электронной структуры графена в области точки Дирака и созданию электронных и спиновых устройств на основе графена. При этом использование графена в качестве активного элемента электроники, спинтроники и квантовых вычислений до сих пор остается сильно ограниченным ввиду необходимости модификации электронной структуры графена. Недавно было показано, что контакты графена с магнитными и/или тяжелыми металлами приводят к образованию уникальных особенностей в электронной и спиновой текстуре, позволяющей реализовать целый набор эффектов (квантовый аномальный и спиновый эффекты Холла, спин-торк эффект и др.). В связи с этим, задачей лаборатории является изучение электронной и спиновой структуры графена при контакте с различными материалами, а также выращенного на различных подложках, в том числе полупроводниковых (например, SiC-6H) с перспективой создания прототипов устройств. Помимо этого, будут изучены такие перспективные двумерные системы как черный фосфор (black phosphorus), ультратонкие пленки Bi, проявляющие топологические свойства.

Магнитные и немагнитные топологические изоляторы

+
Магнитные и немагнитные топологические изоляторы
Топологические изоляторы (ТИ) привлекают интерес благодаря особенностям электронной структуры и ряду новых физических эффектов, недавно открытых для данных объектов. Благодаря спиновой поляризации и топологической защищенности поверхностных состояний ТИ представляют собой очень эффективную систему для применений в спинтронике и квантовых компьютерах. Недавнее открытие фазы собственного магнитного топологического изолятора в материалах на основе (Mn(Bi,Sb)2Te4)((Bi,Sb)2Te3)n, а также EuSn2As2 позволило объединить магнетизм и топологию в одном соединении и наблюдать квантовый аномальный эффект Холла при достаточно высоких температурах. Такие материалы являются объемными ферромагнетиками или антиферромагнетиками в зависимости от стехиометрии и легирования. На базе данных материалов и наблюдаемых уникальных эффектах уже теоретически предложены десятки прототипов устройств. Однако для эффективного применения магнитных топологических изоляторов в устройствах необходимо решить ряд задач. Большой интерес вызывает возможность использования топологически -защищённых состояний в технологии сверхпроводящих кубитов. Предсказано, что, в условиях наведённой сверхпроводимости, на поверхность поверхности топологического изолятора может возникают содержать фермионы майорановского типа, которые будут иметь неабелеву статистику. При этом, кубиты на основе таких состояний рассматриваются как защищённые от локальных источников декогеренции, следовательно, экспериментальная реализация такой системы представляет собой важную исследовательскую задачу.

Публикации и патенты

Александр Михайлович Шикин, Анна Алексеевна Рыбкина, Артем Геннадиевич Рыбкин, Илья Игоревич Климовских, Пётр Николаевич Скирдков
RU2677564C1, 2019

Партнёры

Адрес лаборатории

Долгопрудный, Институтский переулок, 9
Необходимо авторизоваться.