A Hard Oxide Semiconductor with A Direct and Narrow Bandgap and Switchable p-n Electrical Conduction
Тип публикации: Journal Article
Дата публикации: 2014-10-27
scimago Q1
Tоп 10% SciMago
wos Q1
white level БС1
SJR: 8.851
CiteScore: 39.4
Impact factor: 26.8
ISSN: 09359648, 15214095
PubMed ID:
25348375
General Materials Science
Mechanical Engineering
Mechanics of Materials
Краткое описание
An oxide semiconductor (perovskite-type Mn2 O3 ) is reported which has a narrow and direct bandgap of 0.45 eV and a high Vickers hardness of 15 GPa. All the known materials with similar electronic band structures (e.g., InSb, PbTe, PbSe, PbS, and InAs) play crucial roles in the semiconductor industry. The perovskite-type Mn2 O3 described is much stronger than the above semiconductors and may find useful applications in different semiconductor devices, e.g., in IR detectors.
Найдено
Ничего не найдено, попробуйте изменить настройки фильтра.
Для доступа к списку цитирований публикации необходимо авторизоваться.
Топ-30
Журналы
|
1
2
3
4
|
|
|
Journal of Applied Physics
4 публикации, 8%
|
|
|
Chemistry of Materials
3 публикации, 6%
|
|
|
Applied Physics Letters
3 публикации, 6%
|
|
|
Inorganic Chemistry
3 публикации, 6%
|
|
|
Journal of Materials Chemistry C
3 публикации, 6%
|
|
|
Nature Communications
2 публикации, 4%
|
|
|
Journal of Physical Chemistry C
2 публикации, 4%
|
|
|
Journal of the American Chemical Society
2 публикации, 4%
|
|
|
Dalton Transactions
2 публикации, 4%
|
|
|
Journal of Materials Chemistry A
2 публикации, 4%
|
|
|
Physical Review B
1 публикация, 2%
|
|
|
Nature Chemistry
1 публикация, 2%
|
|
|
Advanced Science
1 публикация, 2%
|
|
|
Crystals
1 публикация, 2%
|
|
|
Materials Performance and Characterization
1 публикация, 2%
|
|
|
Journal of Materials Research
1 публикация, 2%
|
|
|
Scientific Reports
1 публикация, 2%
|
|
|
Journal of Materials Science
1 публикация, 2%
|
|
|
Superconductor Science and Technology
1 публикация, 2%
|
|
|
Journal Physics D: Applied Physics
1 публикация, 2%
|
|
|
Polyhedron
1 публикация, 2%
|
|
|
Materials Chemistry and Physics
1 публикация, 2%
|
|
|
ChemInform
1 публикация, 2%
|
|
|
Angewandte Chemie - International Edition
1 публикация, 2%
|
|
|
Angewandte Chemie
1 публикация, 2%
|
|
|
Langmuir
1 публикация, 2%
|
|
|
CrystEngComm
1 публикация, 2%
|
|
|
Nanoscale
1 публикация, 2%
|
|
|
Journal of Raman Spectroscopy
1 публикация, 2%
|
|
|
Journal of Alloys and Compounds
1 публикация, 2%
|
|
|
1
2
3
4
|
Издатели
|
2
4
6
8
10
12
|
|
|
American Chemical Society (ACS)
11 публикаций, 22%
|
|
|
Royal Society of Chemistry (RSC)
10 публикаций, 20%
|
|
|
Springer Nature
7 публикаций, 14%
|
|
|
AIP Publishing
7 публикаций, 14%
|
|
|
Wiley
5 публикаций, 10%
|
|
|
Elsevier
3 публикации, 6%
|
|
|
IOP Publishing
2 публикации, 4%
|
|
|
American Physical Society (APS)
1 публикация, 2%
|
|
|
MDPI
1 публикация, 2%
|
|
|
ASTM International
1 публикация, 2%
|
|
|
Oxford University Press
1 публикация, 2%
|
|
|
Acta Physica Sinica, Chinese Physical Society and Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences
1 публикация, 2%
|
|
|
2
4
6
8
10
12
|
- Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
- Статистика публикаций обновляется еженедельно.
Вы ученый?
Создайте профиль, чтобы получать персональные рекомендации коллег, конференций и новых статей.
Войти с ORCID
Метрики
50
Всего цитирований:
50
Цитирований c 2025:
4
(8%)
Цитировать
ГОСТ |
RIS |
BibTex |
MLA
Цитировать
ГОСТ
Скопировать
Ovsyannikov S. V. et al. A Hard Oxide Semiconductor with A Direct and Narrow Bandgap and Switchable p-n Electrical Conduction // Advanced Materials. 2014. Vol. 26. No. 48. pp. 8185-8191.
ГОСТ со всеми авторами (до 50)
Скопировать
Ovsyannikov S. V., Karkin A. E., Morozova N. V., Shchennikov V. V., Bykova E., Abakumov A. M., Tsirlin A. A., Glazyrin K., Dubrovinsky L. A Hard Oxide Semiconductor with A Direct and Narrow Bandgap and Switchable p-n Electrical Conduction // Advanced Materials. 2014. Vol. 26. No. 48. pp. 8185-8191.
Цитировать
RIS
Скопировать
TY - JOUR
DO - 10.1002/adma.201403304
UR - https://doi.org/10.1002/adma.201403304
TI - A Hard Oxide Semiconductor with A Direct and Narrow Bandgap and Switchable p-n Electrical Conduction
T2 - Advanced Materials
AU - Ovsyannikov, S. V.
AU - Karkin, Alexander E.
AU - Morozova, Natalia V
AU - Shchennikov, Vladimir V.
AU - Bykova, E.
AU - Abakumov, Artem M.
AU - Tsirlin, A. A.
AU - Glazyrin, K.
AU - Dubrovinsky, L.
PY - 2014
DA - 2014/10/27
PB - Wiley
SP - 8185-8191
IS - 48
VL - 26
PMID - 25348375
SN - 0935-9648
SN - 1521-4095
ER -
Цитировать
BibTex (до 50 авторов)
Скопировать
@article{2014_Ovsyannikov,
author = {S. V. Ovsyannikov and Alexander E. Karkin and Natalia V Morozova and Vladimir V. Shchennikov and E. Bykova and Artem M. Abakumov and A. A. Tsirlin and K. Glazyrin and L. Dubrovinsky},
title = {A Hard Oxide Semiconductor with A Direct and Narrow Bandgap and Switchable p-n Electrical Conduction},
journal = {Advanced Materials},
year = {2014},
volume = {26},
publisher = {Wiley},
month = {oct},
url = {https://doi.org/10.1002/adma.201403304},
number = {48},
pages = {8185--8191},
doi = {10.1002/adma.201403304}
}
Цитировать
MLA
Скопировать
Ovsyannikov, S. V., et al. “A Hard Oxide Semiconductor with A Direct and Narrow Bandgap and Switchable p-n Electrical Conduction.” Advanced Materials, vol. 26, no. 48, Oct. 2014, pp. 8185-8191. https://doi.org/10.1002/adma.201403304.
Ошибка в публикации?
Профили