Basic principles of STT-MRAM cell operation in memory arrays
Тип публикации: Journal Article
Дата публикации: 2013-02-01
scimago Q1
wos Q2
white level БС1
SJR: 0.65
CiteScore: 6.4
Impact factor: 3.2
ISSN: 00223727, 13616463
Surfaces, Coatings and Films
Electronic, Optical and Magnetic Materials
Condensed Matter Physics
Acoustics and Ultrasonics
Найдено
Ничего не найдено, попробуйте изменить настройки фильтра.
Для доступа к списку цитирований публикации необходимо авторизоваться.
Для доступа к списку профилей, цитирующих публикацию, необходимо авторизоваться.
Топ-30
Журналы
|
5
10
15
20
25
30
35
|
|
|
Physical Review Applied
32 публикации, 7.02%
|
|
|
Applied Physics Letters
27 публикаций, 5.92%
|
|
|
Physical Review B
25 публикаций, 5.48%
|
|
|
Journal of Applied Physics
23 публикации, 5.04%
|
|
|
IEEE Transactions on Magnetics
23 публикации, 5.04%
|
|
|
IEEE Transactions on Electron Devices
15 публикаций, 3.29%
|
|
|
Journal of Magnetism and Magnetic Materials
12 публикаций, 2.63%
|
|
|
AIP Advances
11 публикаций, 2.41%
|
|
|
IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems
8 публикаций, 1.75%
|
|
|
Scientific Reports
7 публикаций, 1.54%
|
|
|
Journal Physics D: Applied Physics
7 публикаций, 1.54%
|
|
|
IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems
7 публикаций, 1.54%
|
|
|
Advanced Electronic Materials
6 публикаций, 1.32%
|
|
|
ACS Nano
6 публикаций, 1.32%
|
|
|
ACS applied materials & interfaces
5 публикаций, 1.1%
|
|
|
IEEE Magnetics Letters
5 публикаций, 1.1%
|
|
|
APL Materials
4 публикации, 0.88%
|
|
|
Nature Communications
4 публикации, 0.88%
|
|
|
Journal of Alloys and Compounds
4 публикации, 0.88%
|
|
|
ACS Applied Electronic Materials
4 публикации, 0.88%
|
|
|
Nanoscale
4 публикации, 0.88%
|
|
|
IEEE Electron Device Letters
4 публикации, 0.88%
|
|
|
IEEE Transactions on Computers
4 публикации, 0.88%
|
|
|
IEEE Access
4 публикации, 0.88%
|
|
|
Acta Physica Sinica
4 публикации, 0.88%
|
|
|
Nano Letters
3 публикации, 0.66%
|
|
|
Physical Review Letters
3 публикации, 0.66%
|
|
|
SPIN
3 публикации, 0.66%
|
|
|
Electronics (Switzerland)
3 публикации, 0.66%
|
|
|
5
10
15
20
25
30
35
|
Издатели
|
20
40
60
80
100
120
140
|
|
|
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
136 публикаций, 29.82%
|
|
|
American Physical Society (APS)
66 публикаций, 14.47%
|
|
|
AIP Publishing
65 публикаций, 14.25%
|
|
|
Springer Nature
37 публикаций, 8.11%
|
|
|
Elsevier
30 публикаций, 6.58%
|
|
|
Wiley
26 публикаций, 5.7%
|
|
|
American Chemical Society (ACS)
22 публикации, 4.82%
|
|
|
IOP Publishing
19 публикаций, 4.17%
|
|
|
MDPI
11 публикаций, 2.41%
|
|
|
Royal Society of Chemistry (RSC)
7 публикаций, 1.54%
|
|
|
Pleiades Publishing
6 публикаций, 1.32%
|
|
|
World Scientific
4 публикации, 0.88%
|
|
|
Acta Physica Sinica, Chinese Physical Society and Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences
4 публикации, 0.88%
|
|
|
Association for Computing Machinery (ACM)
3 публикации, 0.66%
|
|
|
Uspekhi Fizicheskikh Nauk Journal
3 публикации, 0.66%
|
|
|
American Vacuum Society
2 публикации, 0.44%
|
|
|
Science in China Press
2 публикации, 0.44%
|
|
|
Institute of Electronics, Information and Communications Engineers (IEICE)
2 публикации, 0.44%
|
|
|
Hindawi Limited
1 публикация, 0.22%
|
|
|
Taylor & Francis
1 публикация, 0.22%
|
|
|
The Russian Academy of Sciences
1 публикация, 0.22%
|
|
|
Treatise
1 публикация, 0.22%
|
|
|
20
40
60
80
100
120
140
|
- Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
- Статистика публикаций обновляется еженедельно.
Вы ученый?
Создайте профиль, чтобы получать персональные рекомендации коллег, конференций и новых статей.
Метрики
456
Всего цитирований:
456
Цитирований c 2025:
45
(9.87%)
Цитировать
ГОСТ |
RIS |
BibTex |
MLA
Цитировать
ГОСТ
Скопировать
Khvalkovskiy A. V. et al. Basic principles of STT-MRAM cell operation in memory arrays // Journal Physics D: Applied Physics. 2013. Vol. 46. No. 7. p. 74001.
ГОСТ со всеми авторами (до 50)
Скопировать
Khvalkovskiy A. V., Apalkov D., Watts S., Chepulskii R., Beach R. S., Ong A., Tang X., Driskill Smith A., Butler W. H., Visscher P. B., Lottis D., Chen E., Nikitin V., Krounbi M. Basic principles of STT-MRAM cell operation in memory arrays // Journal Physics D: Applied Physics. 2013. Vol. 46. No. 7. p. 74001.
Цитировать
RIS
Скопировать
TY - JOUR
DO - 10.1088/0022-3727/46/7/074001
UR - https://doi.org/10.1088/0022-3727/46/7/074001
TI - Basic principles of STT-MRAM cell operation in memory arrays
T2 - Journal Physics D: Applied Physics
AU - Khvalkovskiy, A. V.
AU - Apalkov, D.
AU - Watts, S.
AU - Chepulskii, R
AU - Beach, R S
AU - Ong, A.
AU - Tang, X.
AU - Driskill Smith, A
AU - Butler, W. H.
AU - Visscher, P. B.
AU - Lottis, D
AU - Chen, E.
AU - Nikitin, V.
AU - Krounbi, M.
PY - 2013
DA - 2013/02/01
PB - IOP Publishing
SP - 74001
IS - 7
VL - 46
SN - 0022-3727
SN - 1361-6463
ER -
Цитировать
BibTex (до 50 авторов)
Скопировать
@article{2013_Khvalkovskiy,
author = {A. V. Khvalkovskiy and D. Apalkov and S. Watts and R Chepulskii and R S Beach and A. Ong and X. Tang and A Driskill Smith and W. H. Butler and P. B. Visscher and D Lottis and E. Chen and V. Nikitin and M. Krounbi},
title = {Basic principles of STT-MRAM cell operation in memory arrays},
journal = {Journal Physics D: Applied Physics},
year = {2013},
volume = {46},
publisher = {IOP Publishing},
month = {feb},
url = {https://doi.org/10.1088/0022-3727/46/7/074001},
number = {7},
pages = {74001},
doi = {10.1088/0022-3727/46/7/074001}
}
Цитировать
MLA
Скопировать
Khvalkovskiy, A. V., et al. “Basic principles of STT-MRAM cell operation in memory arrays.” Journal Physics D: Applied Physics, vol. 46, no. 7, Feb. 2013, p. 74001. https://doi.org/10.1088/0022-3727/46/7/074001.