Nanotechnology

, том 31 , издание 16 , страницы 165201

Advanced graphene recording device for spin–orbit torque magnetoresistive random access memory

Тип публикации: Journal Article

Дата публикации: 2020-01-28

IOP Publishing

Nanotechnology

scimago Q2

wos Q2

БС1

SJR: 0.597

CiteScore: 6.2

Impact factor: 2.8

ISSN: 09574484, 13616528

DOI: 10.1088/1361-6528/ab6470

Скопировать DOI

PubMed ID: 31860886

General Chemistry

General Materials Science

Electrical and Electronic Engineering

Mechanical Engineering

Bioengineering

Mechanics of Materials

Краткое описание

The non-volatile spin-orbit torque magnetic random access memory (SOT-MRAM) is a very attractive memory technology for near future computers because it has various advantages such as non-volatility, high density and scalability. In the present work we propose a model of a graphene recording device for the SOT-MRAM unit cell, consisting of a quasi-freestanding graphene intercalated with Au and an ultra-thin Pt layer sandwiched between graphene and a magnetic tunnel junction. As a result of using the claimed graphene recording memory element, a faster operation and lower energy consumption will be achieved under the recording information by reducing the electric current required to record. The efficiency of the graphene recording element was confirmed by the experimental results and the theoretical estimations.

Найдено

8 цитирований

Рыбкин Артем

🥼

д.ф.-м.н.

91 публикация, 2 574 цитирования, 1 рецензия

Индекс Хирша: 22

Санкт-Петербургский государственный университет

Области научных интересов

ARPES

XPS

Атомно-силовая микроскопия

Магнетизм

Материаловедение

Молекулярно-пучковая эпитаксия

Наноматериалы

Наноуглерод

Сканирующая туннельная микроскопия

Спинтроника

Теория функционала плотности

Тонкие пленки

Топологические изоляторы

Физика конденсированного состояния

Физика твердого тела

Физическая химия

8 цитирований

Тарасов Артем

🥼

к.ф.-м.н.

43 публикации, 358 цитирований, 3 рецензии

Индекс Хирша: 13

Санкт-Петербургский государственный университет

Московский физико-технический институт

Области научных интересов

ARPES

Ab initio

PED

Topological insulator

Графен

Топологические изоляторы

Фотоэлектронная дифракция

Фотоэлектронная спектроскопия

7 цитирований

Шикин Александр

д. н.

185 публикаций, 5 763 цитирования

Индекс Хирша: 35

Санкт-Петербургский государственный университет

5 цитирований

Рыбкина Анна

к. н.

37 публикаций, 500 цитирований

Индекс Хирша: 14

Санкт-Петербургский государственный университет

4 цитирования

Климовских Илья

к.ф.-м.н.

67 публикаций, 2 304 цитирования, 6 рецензий

Индекс Хирша: 18

Санкт-Петербургский государственный университет

Московский физико-технический институт

1 цитирование

Естюнин Дмитрий

🥼 🤝

к.ф.-м.н., ассистент

49 публикаций, 1 870 цитирований, 5 рецензий

Индекс Хирша: 13

Московский физико-технический институт

Санкт-Петербургский государственный университет

Топ-30

Журналы

	1 2
JETP Letters	JETP Letters, 2, 10% JETP Letters 2 публикации, 10%
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики	Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2, 10% Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2 публикации, 10%
Journal of Experimental and Theoretical Physics	Journal of Experimental and Theoretical Physics, 1, 5% Journal of Experimental and Theoretical Physics 1 публикация, 5%
Applied Surface Science	Applied Surface Science, 1, 5% Applied Surface Science 1 публикация, 5%
Physical Review Letters	Physical Review Letters, 1, 5% Physical Review Letters 1 публикация, 5%
Physical Review B	Physical Review B, 1, 5% Physical Review B 1 публикация, 5%
Physical Review Research	Physical Review Research, 1, 5% Physical Review Research 1 публикация, 5%
Symmetry	Symmetry, 1, 5% Symmetry 1 публикация, 5%
Nanomaterials	Nanomaterials, 1, 5% Nanomaterials 1 публикация, 5%
Chemical Society Reviews	Chemical Society Reviews, 1, 5% Chemical Society Reviews 1 публикация, 5%
Physics of the Solid State	Physics of the Solid State, 1, 5% Physics of the Solid State 1 публикация, 5%
IEEE Transactions on Electron Devices	IEEE Transactions on Electron Devices, 1, 5% IEEE Transactions on Electron Devices 1 публикация, 5%
IEEE Open Journal of Nanotechnology	IEEE Open Journal of Nanotechnology, 1, 5% IEEE Open Journal of Nanotechnology 1 публикация, 5%
Materials Science in Semiconductor Processing	Materials Science in Semiconductor Processing, 1, 5% Materials Science in Semiconductor Processing 1 публикация, 5%
Crystallography Reports	Crystallography Reports, 1, 5% Crystallography Reports 1 публикация, 5%
Chinese Physics Letters	Chinese Physics Letters, 1, 5% Chinese Physics Letters 1 публикация, 5%
Кристаллография	Кристаллография, 1, 5% Кристаллография 1 публикация, 5%
Nanoscale	Nanoscale, 1, 5% Nanoscale 1 публикация, 5%
	1 2

Издатели

	1 2 3 4 5 6
Pleiades Publishing	Pleiades Publishing, 6, 30% Pleiades Publishing 6 публикаций, 30%
American Physical Society (APS)	American Physical Society (APS), 3, 15% American Physical Society (APS) 3 публикации, 15%
Elsevier	Elsevier, 2, 10% Elsevier 2 публикации, 10%
MDPI	MDPI, 2, 10% MDPI 2 публикации, 10%
Royal Society of Chemistry (RSC)	Royal Society of Chemistry (RSC), 2, 10% Royal Society of Chemistry (RSC) 2 публикации, 10%
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)	Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2, 10% Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) 2 публикации, 10%
Akademizdatcenter Nauka	Akademizdatcenter Nauka, 2, 10% Akademizdatcenter Nauka 2 публикации, 10%
IOP Publishing	IOP Publishing, 1, 5% IOP Publishing 1 публикация, 5%
	1 2 3 4 5 6

Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
Статистика публикаций обновляется еженедельно.

Вы ученый?

Создайте профиль, чтобы получать персональные рекомендации коллег, конференций и новых статей.

Войти с ORCID

Метрики

Цитировать

ГОСТ |

Цитировать

ГОСТ Скопировать

Rybkina A. A. et al. Advanced graphene recording device for spin–orbit torque magnetoresistive random access memory // Nanotechnology. 2020. Vol. 31. No. 16. p. 165201.

ГОСТ со всеми авторами (до 50) Скопировать

Rybkina A. A., Rybkin A. G., Klimovskikh I. I., Skirdkov P., Zvezdin K. A., ZVEZDIN A. K., Shikin A. M. Advanced graphene recording device for spin–orbit torque magnetoresistive random access memory // Nanotechnology. 2020. Vol. 31. No. 16. p. 165201.

RIS |

Цитировать

RIS Скопировать

TY - JOUR

DO - 10.1088/1361-6528/ab6470

UR - https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6528/ab6470

TI - Advanced graphene recording device for spin–orbit torque magnetoresistive random access memory

T2 - Nanotechnology

AU - Rybkina, A. A.

AU - Rybkin, Artem G.

AU - Klimovskikh, Ilya I.

AU - Skirdkov, P.N.

AU - Zvezdin, Konstantin A.

AU - ZVEZDIN, A. K.

AU - Shikin, Alexander M.

PY - 2020

DA - 2020/01/28

PB - IOP Publishing

SP - 165201

IS - 16

VL - 31

PMID - 31860886

SN - 0957-4484

SN - 1361-6528

ER -

BibTex |

Цитировать

BibTex (до 50 авторов) Скопировать

@article{2020_Rybkina,

author = {A. A. Rybkina and Artem G. Rybkin and Ilya I. Klimovskikh and P.N. Skirdkov and Konstantin A. Zvezdin and A. K. ZVEZDIN and Alexander M. Shikin},

title = {Advanced graphene recording device for spin–orbit torque magnetoresistive random access memory},

journal = {Nanotechnology},

year = {2020},

volume = {31},

publisher = {IOP Publishing},

month = {jan},

url = {https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6528/ab6470},

number = {16},

pages = {165201},

doi = {10.1088/1361-6528/ab6470}

}

MLA

Цитировать

MLA Скопировать

Rybkina, A. A., et al. “Advanced graphene recording device for spin–orbit torque magnetoresistive random access memory.” Nanotechnology, vol. 31, no. 16, Jan. 2020, p. 165201. https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6528/ab6470.