Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)

, страницы 401

Void-free uniform gap filling between thick PECVD silicon nitride waveguides

A M Mumlyakov ¹

,

N Yu Dmitriev ²

,

M V Shibalov ¹

,

I V Trofimov ¹

,

I A Filippov ¹

,

A.A. Anikanov ¹

,

I. A. Bilenko ²

,

M. A. Tarkhov ¹

Скрыть аффилиации авторов Показать аффилиации авторов: 2 аффилиации

¹

Institute of Nanotechnology of Microelectronics of Russian Academy of Science,Moscow,Russia,119991 |

²

Russian Quantum Center,Skolkovo,Russia,143026 |

Тип публикации: Proceedings Article

Дата публикации: 2024-07-01

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)

DOI: 10.1109/iclo59702.2024.10624194

Скопировать DOI

Вы ученый?

Создайте профиль, чтобы получать персональные рекомендации коллег, конференций и новых статей.

Войти с ORCID

Метрики

0

Поделиться

Издатель

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)

Профили