Тип публикации: Proceedings Article
Дата публикации: 2024-07-01
Краткое описание
We demonstrate characteristics of high-Q ring silicon nitride microresonators fabricated with novel PECVD process. Proposed process allows to fabricate silicon nitride waveguides with thickness over 1 um. Studied 1um-thick silicon nitride ring microresontors features anomalous GVD and loaded Q factor over 1 million.
Вы ученый?
Создайте профиль, чтобы получать персональные рекомендации коллег, конференций и новых статей.