том 9 издание 2 страницы 910

Surface Stoichiometry and Structure of GaAs and GaP

Тип публикацииJournal Article
Дата публикации1972-03-01
SJR
CiteScore
Impact factor
ISSN00225355
General Engineering
Для доступа к списку цитирований публикации необходимо авторизоваться.

Топ-30

Журналы

1
Journal of Crystal Growth
1 публикация, 25%
Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
1 публикация, 25%
Hyomen Kagaku
1 публикация, 25%
1

Издатели

1
Elsevier
1 публикация, 25%
Pleiades Publishing
1 публикация, 25%
The Surface Science Society of Japan
1 публикация, 25%
1
  • Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
  • Статистика публикаций обновляется еженедельно.

Вы ученый?

Создайте профиль, чтобы получать персональные рекомендации коллег, конференций и новых статей.
Метрики
4
Поделиться
Цитировать
ГОСТ |
Цитировать
Arthur J. R. Surface Stoichiometry and Structure of GaAs and GaP // Journal of Vacuum Science and Technology. 1972. Vol. 9. No. 2. p. 910.
ГОСТ со всеми авторами (до 50) Скопировать
Arthur J. R. Surface Stoichiometry and Structure of GaAs and GaP // Journal of Vacuum Science and Technology. 1972. Vol. 9. No. 2. p. 910.
RIS |
Цитировать
TY - JOUR
DO - 10.1116/1.1317818
UR - https://pubs.aip.org/jvst/article/9/2/910/104766/Surface-Stoichiometry-and-Structure-of-GaAs-and
TI - Surface Stoichiometry and Structure of GaAs and GaP
T2 - Journal of Vacuum Science and Technology
AU - Arthur, J R
PY - 1972
DA - 1972/03/01
PB - American Vacuum Society
SP - 910
IS - 2
VL - 9
SN - 0022-5355
ER -
BibTex |
Цитировать
BibTex (до 50 авторов) Скопировать
@article{1972_Arthur,
author = {J R Arthur},
title = {Surface Stoichiometry and Structure of GaAs and GaP},
journal = {Journal of Vacuum Science and Technology},
year = {1972},
volume = {9},
publisher = {American Vacuum Society},
month = {mar},
url = {https://pubs.aip.org/jvst/article/9/2/910/104766/Surface-Stoichiometry-and-Structure-of-GaAs-and},
number = {2},
pages = {910},
doi = {10.1116/1.1317818}
}
MLA
Цитировать
Arthur, J. R.. “Surface Stoichiometry and Structure of GaAs and GaP.” Journal of Vacuum Science and Technology, vol. 9, no. 2, Mar. 1972, p. 910. https://pubs.aip.org/jvst/article/9/2/910/104766/Surface-Stoichiometry-and-Structure-of-GaAs-and.
Ошибка в публикации?