AlxInyGa1 – x – yPzAs1 – z/GaAs Graded-Gap Heterostructures for Photovoltaic Converters
Тип публикации: Journal Article
Дата публикации: 2022-02-01
scimago Q3
wos Q4
БС2
SJR: 0.215
CiteScore: 1.1
Impact factor: 0.9
ISSN: 10637850, 10906533, 17267471
Physics and Astronomy (miscellaneous)
Краткое описание
We grew AlxInyGa1 – x – yPzAs1 – z/GaAs graded-gap heterostructures by temperature-gradient zone recrystallization with reciprocating motion of the liquid zone, with the band gap varying from 1.43 to 2.2 eV. The effect of technological parameters on the change in the band gap of grown AlxInyGa1 – x – yPzAs1 – z solid solutions is studied. The maximum band-gap gradient of 10 490 eV/cm was achieved in the p-AlxInyGa1 – x – yPzAs1 – z/n-GaAs heterostructure, and the external quantum yield increased in the wavelength range of 500–900 nm.
Найдено
Ничего не найдено, попробуйте изменить настройки фильтра.
Вы ученый?
Создайте профиль, чтобы получать персональные рекомендации коллег, конференций и новых статей.
Метрики
0
Всего цитирований:
0
Цитировать
ГОСТ |
RIS |
BibTex |
MLA
Цитировать
ГОСТ
Скопировать
Lunin L. S. L. S. et al. AlxInyGa1 – x – yPzAs1 – z/GaAs Graded-Gap Heterostructures for Photovoltaic Converters // Technical Physics Letters. 2022. Vol. 48. No. 2. pp. 82-85.
ГОСТ со всеми авторами (до 50)
Скопировать
Lunin L. S. L. S., Lunina M. L. M. L., Alfimova D. L., Pashchenko A., Yakovenko N. A., Pashchenko O.S. O. S. AlxInyGa1 – x – yPzAs1 – z/GaAs Graded-Gap Heterostructures for Photovoltaic Converters // Technical Physics Letters. 2022. Vol. 48. No. 2. pp. 82-85.
Цитировать
RIS
Скопировать
TY - JOUR
DO - 10.1134/s1063785022030087
UR - https://doi.org/10.1134/s1063785022030087
TI - AlxInyGa1 – x – yPzAs1 – z/GaAs Graded-Gap Heterostructures for Photovoltaic Converters
T2 - Technical Physics Letters
AU - Lunin L. S., L. S.
AU - Lunina M. L., M. L.
AU - Alfimova, D. L.
AU - Pashchenko, A.S.
AU - Yakovenko, N A
AU - Pashchenko O.S., O. S.
PY - 2022
DA - 2022/02/01
PB - Pleiades Publishing
SP - 82-85
IS - 2
VL - 48
SN - 1063-7850
SN - 1090-6533
SN - 1726-7471
ER -
Цитировать
BibTex (до 50 авторов)
Скопировать
@article{2022_Lunin L. S.,
author = {L. S. Lunin L. S. and M. L. Lunina M. L. and D. L. Alfimova and A.S. Pashchenko and N A Yakovenko and O. S. Pashchenko O.S.},
title = {AlxInyGa1 – x – yPzAs1 – z/GaAs Graded-Gap Heterostructures for Photovoltaic Converters},
journal = {Technical Physics Letters},
year = {2022},
volume = {48},
publisher = {Pleiades Publishing},
month = {feb},
url = {https://doi.org/10.1134/s1063785022030087},
number = {2},
pages = {82--85},
doi = {10.1134/s1063785022030087}
}
Цитировать
MLA
Скопировать
Lunin L. S., L. S., et al. “AlxInyGa1 – x – yPzAs1 – z/GaAs Graded-Gap Heterostructures for Photovoltaic Converters.” Technical Physics Letters, vol. 48, no. 2, Feb. 2022, pp. 82-85. https://doi.org/10.1134/s1063785022030087.