Лаборатория физики и технологии полупроводниковых наногетероструктур для СВЧ-электроники и фотоники (Научная группа технологии гетероструктур)

Заведующий

Пащенко Александр Сергеевич

к.ф.-м.н., доц.
Публикаций
49
Цитирований
222
Индекс Хирша
10
Необходимо авторизоваться.

Лаборатория создана 9 января 2019 г. Основные направления деятельности - Изучение электрофизических свойств разработанных полупроводниковых наногетероструктур. - Изучение структурных, оптических и фотоэлектрических свойств разработанных полупроводниковых твердых растворов. - Разработка изовалентно легированных потенциальных барьеров на основе твердых растворов соединений III- V группы - Термодинамический анализ спинодальных распадов твердых растворов на их устойчивость и упорядочение. - Разработка методов синтеза из жидкой фазы, молекулярных, ионных и атомарных пучков полупроводниковых твердых растворов, а также создания на их основе гетероструктур для оптоэлектронных и фотонных устройств. - Разработка новых полупроводниковых материалов на основе твердых растворов соединений III- V группы. Использование многокомпонентных твердых растворов на основе полупроводниковых соединений AIIIBV в гетероструктурах вызывает все больший интерес исследователей из-за уникальных возможностей этих материалов. Выгодным преимуществом пятикомпонентных твердых растворов перед тройными и четверными является возможность независимого изменения ширины запрещенной зоны и параметра кристаллической решетки. Однако, твердые растворы характеризуются наличием областей спинодальных распадов, что приводит к ограничениям их состава и ширины запрещенной зоны. Увеличение количества компонентов в составе твердых растворов, несомненно, ведет к изменению структурных и оптических свойств таких гетеростурктур и способов их конструирования. Поэтому синтез новых материалов на основе твердых растворов и создание на их основе полупроводниковых гетероинтерфейсов является важной задачей для физики конденсированного состояния и физики полупроводниковых приборов. В этой связи основные направления деятельности лаборатории включают:

  1. Рентгеновская дифракция
  2. Атомно-силовая микроскопия (АСМ)
  3. ИК-спектроскопия
  4. Спектроскопия КР (Рамановская)

Компактный двухканальный конфокальный рамановский микроскоп RAMOS S120 предназначен для микроспектральных измерений с возможностями на уровне систем высокого класса.

Микроскоп RAMOS S120 имеет жесткую конструкцию без движущихся частей, которая не требует регулировки, обладает как высокой чувствительностью, так и высоким пространственным разрешением.

Широкие возможности, высокая надежность и компактность позволяют использовать RAMOS S120 для решения широкого спектра научных и промышленных задач.

Олег Девицкий 🥼 🤝
Ведущий научный сотрудник
Касьянов Иван Владимирович
Иван Касьянов
Младший научный сотрудник
Всего публикаций
53
Всего цитирований
225
Цитирований на публикацию
4.25
Среднее число публикаций в год
3.79
Годы публикаций
2011-2024 (14 лет)
h-index
10
i10-index
11
m-index
0.71
o-index
13
g-index
12
w-index
1
Описание метрик
h-index
Учёный имеет индекс h, если h из его N статей цитируются как минимум h раз каждая, в то время как оставшиеся (N - h) статей цитируются не более чем h раз каждая.
i10-index
Число статей автора, получивших не менее 10 ссылок каждая.
m-index
m-индекс ученого численно равен отношению его h-индекса к количеству лет, прошедших с момента первой публикации.
o-index
Среднее геометрическое h-индекса и числа цитирований наиболее цитируемой статьи ученого.
g-index
Для данного множества статей, отсортированного в порядке убывания количества цитирований, которые получили эти статьи, g-индекс это наибольшее число, такое что g самых цитируемых статей получили (суммарно) не менее g2 цитирований.
w-index
Если w статей ученого имеют не менее 10w цитирований каждая и другие статьи меньше, чем 10(w+1) цитирований, то w-индекс исследователя равен w.

Топ-100

Области наук

2
4
6
8
10
12
14
Condensed Matter Physics, 14, 26.42%
Condensed Matter Physics
14 публикаций, 26.42%
Electronic, Optical and Magnetic Materials, 13, 24.53%
Electronic, Optical and Magnetic Materials
13 публикаций, 24.53%
Physics and Astronomy (miscellaneous), 12, 22.64%
Physics and Astronomy (miscellaneous)
12 публикаций, 22.64%
Surfaces, Coatings and Films, 10, 18.87%
Surfaces, Coatings and Films
10 публикаций, 18.87%
Materials Chemistry, 9, 16.98%
Materials Chemistry
9 публикаций, 16.98%
Metals and Alloys, 9, 16.98%
Metals and Alloys
9 публикаций, 16.98%
Atomic and Molecular Physics, and Optics, 8, 15.09%
Atomic and Molecular Physics, and Optics
8 публикаций, 15.09%
Inorganic Chemistry, 7, 13.21%
Inorganic Chemistry
7 публикаций, 13.21%
General Chemical Engineering, 7, 13.21%
General Chemical Engineering
7 публикаций, 13.21%
General Materials Science, 6, 11.32%
General Materials Science
6 публикаций, 11.32%
General Physics and Astronomy, 3, 5.66%
General Physics and Astronomy
3 публикации, 5.66%
Materials Science (miscellaneous), 2, 3.77%
Materials Science (miscellaneous)
2 публикации, 3.77%
Electrical and Electronic Engineering, 2, 3.77%
Electrical and Electronic Engineering
2 публикации, 3.77%
Mechanical Engineering, 2, 3.77%
Mechanical Engineering
2 публикации, 3.77%
Surfaces and Interfaces, 2, 3.77%
Surfaces and Interfaces
2 публикации, 3.77%
General Chemistry, 1, 1.89%
General Chemistry
1 публикация, 1.89%
Computer Science Applications, 1, 1.89%
Computer Science Applications
1 публикация, 1.89%
General Medicine, 1, 1.89%
General Medicine
1 публикация, 1.89%
Industrial and Manufacturing Engineering, 1, 1.89%
Industrial and Manufacturing Engineering
1 публикация, 1.89%
General Engineering, 1, 1.89%
General Engineering
1 публикация, 1.89%
Mechanics of Materials, 1, 1.89%
Mechanics of Materials
1 публикация, 1.89%
Information Systems, 1, 1.89%
Information Systems
1 публикация, 1.89%
Mathematics (miscellaneous), 1, 1.89%
Mathematics (miscellaneous)
1 публикация, 1.89%
Business and International Management, 1, 1.89%
Business and International Management
1 публикация, 1.89%
2
4
6
8
10
12
14

Журналы

2
4
6
8
10
12
Technical Physics Letters
12 публикаций, 22.64%
Journal of Surface Investigation
8 публикаций, 15.09%
Inorganic Materials
7 публикаций, 13.21%
Semiconductors
7 публикаций, 13.21%
Physics of the Solid State
3 публикации, 5.66%
Thin Solid Films
2 публикации, 3.77%
Beilstein Journal of Nanotechnology
2 публикации, 3.77%
Materials Science Forum
1 публикация, 1.89%
Nanotechnologies in Russia
1 публикация, 1.89%
Journal of Physics: Conference Series
1 публикация, 1.89%
Vacuum
1 публикация, 1.89%
Journal of Nanotechnology
1 публикация, 1.89%
Technical Physics
1 публикация, 1.89%
Crystallography Reports
1 публикация, 1.89%
Kondensirovannye Sredy Mezhfaznye Granitsy (Condensed Matter and Interphases)
1 публикация, 1.89%
Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics
1 публикация, 1.89%
Scientific and technical journal of information technologies mechanics and optics
1 публикация, 1.89%
Письма в журнал технической физики
1 публикация, 1.89%
2
4
6
8
10
12

Цитирующие журналы

5
10
15
20
25
30
35
40
Solid State Phenomena
37 цитирований, 16.44%
Semiconductors
28 цитирований, 12.44%
Journal of Physics: Conference Series
21 цитирование, 9.33%
Inorganic Materials
19 цитирований, 8.44%
Technical Physics Letters
17 цитирований, 7.56%
Journal of Surface Investigation
15 цитирований, 6.67%
Beilstein Journal of Nanotechnology
10 цитирований, 4.44%
Materials Science Forum
8 цитирований, 3.56%
Nanotechnologies in Russia
6 цитирований, 2.67%
IOP Conference Series: Materials Science and Engineering
6 цитирований, 2.67%
Thin Solid Films
6 цитирований, 2.67%
Ceramics International
4 цитирования, 1.78%
Journal of Nanotechnology
4 цитирования, 1.78%
Журнал не определён, 3, 1.33%
Журнал не определён
3 цитирования, 1.33%
Vacuum
3 цитирования, 1.33%
Physics of the Solid State
3 цитирования, 1.33%
Crystallography Reports
3 цитирования, 1.33%
Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films
2 цитирования, 0.89%
AIP Conference Proceedings
2 цитирования, 0.89%
Science in the South of Russia
2 цитирования, 0.89%
EUREKA, Physics and Engineering
1 цитирование, 0.44%
Micromachines
1 цитирование, 0.44%
ACS applied materials & interfaces
1 цитирование, 0.44%
Journal of Alloys and Compounds
1 цитирование, 0.44%
Journal of Contemporary Physics
1 цитирование, 0.44%
Solar Energy Materials and Solar Cells
1 цитирование, 0.44%
Materials Science-Poland
1 цитирование, 0.44%
AIP Advances
1 цитирование, 0.44%
Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science
1 цитирование, 0.44%
Physica Status Solidi (B): Basic Research
1 цитирование, 0.44%
Journal of Applied Physics
1 цитирование, 0.44%
Applied Solar Energy (English translation of Geliotekhnika)
1 цитирование, 0.44%
Journal of Physics Communications
1 цитирование, 0.44%
Journal Physics D: Applied Physics
1 цитирование, 0.44%
Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences
1 цитирование, 0.44%
Optics and Spectroscopy (English translation of Optika i Spektroskopiya)
1 цитирование, 0.44%
Technical Physics
1 цитирование, 0.44%
ACS Omega
1 цитирование, 0.44%
Semiconductor Science and Technology
1 цитирование, 0.44%
Russian Microelectronics
1 цитирование, 0.44%
Journal of the American Ceramic Society
1 цитирование, 0.44%
Izmeritel`naya Tekhnika
1 цитирование, 0.44%
Global Nuclear Safety
1 цитирование, 0.44%
Pharmacophore
1 цитирование, 0.44%
2022 Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (ElConRus)
1 цитирование, 0.44%
Computational nanotechnology
1 цитирование, 0.44%
5
10
15
20
25
30
35
40

Цитируемые журналы

10
20
30
40
50
60
70
80
Semiconductors
76 цитирований, 9.88%
Inorganic Materials
75 цитирований, 9.75%
Applied Physics Letters
57 цитирований, 7.41%
Journal of Applied Physics
47 цитирований, 6.11%
Technical Physics Letters
41 цитирование, 5.33%
Journal of Crystal Growth
28 цитирований, 3.64%
Журнал не определён, 26, 3.38%
Журнал не определён
26 цитирований, 3.38%
Physical Review B
23 цитирования, 2.99%
Nanoscale Research Letters
21 цитирование, 2.73%
Thin Solid Films
20 цитирований, 2.6%
Journal of Surface Investigation
19 цитирований, 2.47%
Semiconductor Science and Technology
15 цитирований, 1.95%
IEEE Journal of Photovoltaics
15 цитирований, 1.95%
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes
12 цитирований, 1.56%
Russian Journal of Physical Chemistry A
10 цитирований, 1.3%
Progress in Photovoltaics: Research and Applications
10 цитирований, 1.3%
Nanotechnology
8 цитирований, 1.04%
Journal of Electronic Materials
8 цитирований, 1.04%
Solar Energy Materials and Solar Cells
7 цитирований, 0.91%
Physics of the Solid State
7 цитирований, 0.91%
Technical Physics
7 цитирований, 0.91%
Springer Series in Materials Science
6 цитирований, 0.78%
Applied Surface Science
6 цитирований, 0.78%
Applied Physics B: Lasers and Optics
6 цитирований, 0.78%
Scientific Reports
6 цитирований, 0.78%
Beilstein Journal of Nanotechnology
6 цитирований, 0.78%
Optics Letters
5 цитирований, 0.65%
IEEE Photonics Technology Letters
5 цитирований, 0.65%
Surface and Coatings Technology
5 цитирований, 0.65%
Journal Physics D: Applied Physics
5 цитирований, 0.65%
Microelectronic Engineering
5 цитирований, 0.65%
Journal of Alloys and Compounds
4 цитирования, 0.52%
Journal of Lightwave Technology
4 цитирования, 0.52%
Crystals
4 цитирования, 0.52%
Journal of Materials Science: Materials in Electronics
4 цитирования, 0.52%
Nature Photonics
4 цитирования, 0.52%
Crystallography Reports
4 цитирования, 0.52%
Materials
4 цитирования, 0.52%
International Journal of Photoenergy
3 цитирования, 0.39%
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms
3 цитирования, 0.39%
Journal of the Electrochemical Society
3 цитирования, 0.39%
IEEE Journal of Quantum Electronics
3 цитирования, 0.39%
Optical Materials
3 цитирования, 0.39%
Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology
3 цитирования, 0.39%
Physica Status Solidi (B): Basic Research
3 цитирования, 0.39%
Nature Materials
3 цитирования, 0.39%
Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences
3 цитирования, 0.39%
Applied Sciences (Switzerland)
3 цитирования, 0.39%
AIP Conference Proceedings
3 цитирования, 0.39%
Crystal Research and Technology
3 цитирования, 0.39%
Advanced Materials
3 цитирования, 0.39%
IEEE Transactions on Electron Devices
3 цитирования, 0.39%
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena
3 цитирования, 0.39%
Quantum Electronics
2 цитирования, 0.26%
Physical Review Letters
2 цитирования, 0.26%
Physical Review Materials
2 цитирования, 0.26%
Advanced Functional Materials
2 цитирования, 0.26%
IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics
2 цитирования, 0.26%
Optics Express
2 цитирования, 0.26%
Optical Materials Express
2 цитирования, 0.26%
Vacuum
2 цитирования, 0.26%
Journal of Materials Science
2 цитирования, 0.26%
Crystal Growth and Design
2 цитирования, 0.26%
Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures
2 цитирования, 0.26%
Nature Energy
2 цитирования, 0.26%
Journal of Nanotechnology
2 цитирования, 0.26%
Open Physics
2 цитирования, 0.26%
Atomic Data and Nuclear Data Tables
2 цитирования, 0.26%
Superlattices and Microstructures
2 цитирования, 0.26%
Opto-electronics Review
2 цитирования, 0.26%
Journal of Vacuum Science and Technology B
2 цитирования, 0.26%
Applied Physics Express
2 цитирования, 0.26%
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
2 цитирования, 0.26%
physica status solidi (c)
2 цитирования, 0.26%
Electronics and Communications in Japan (Part II Electronics)
2 цитирования, 0.26%
Energy Harvesting and Systems
2 цитирования, 0.26%
Photovoltaics Bulletin
2 цитирования, 0.26%
Nanotechnologies in Russia
1 цитирование, 0.13%
Annual Review of Materials Research
1 цитирование, 0.13%
Surface Science Reports
1 цитирование, 0.13%
Nature Communications
1 цитирование, 0.13%
Progress in Quantum Electronics
1 цитирование, 0.13%
Materials Research Express
1 цитирование, 0.13%
Bulletin of the Polish Academy of Sciences: Technical Sciences
1 цитирование, 0.13%
Solid-State Electronics
1 цитирование, 0.13%
IEEE Electron Device Letters
1 цитирование, 0.13%
JETP Letters
1 цитирование, 0.13%
Physica Status Solidi - Rapid Research Letters
1 цитирование, 0.13%
AIP Advances
1 цитирование, 0.13%
Journal of Luminescence
1 цитирование, 0.13%
Energy Procedia
1 цитирование, 0.13%
Science
1 цитирование, 0.13%
Optics and Laser Technology
1 цитирование, 0.13%
Zeitschrift fur Naturforschung - Section B Journal of Chemical Sciences
1 цитирование, 0.13%
Reports on Progress in Physics
1 цитирование, 0.13%
Nanomaterials
1 цитирование, 0.13%
Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials
1 цитирование, 0.13%
Zeitschrift fur Physikalische Chemie
1 цитирование, 0.13%
Nano Letters
1 цитирование, 0.13%
Springer Series in Optical Sciences
1 цитирование, 0.13%
10
20
30
40
50
60
70
80

Издатели

5
10
15
20
25
30
35
40
Pleiades Publishing
40 публикаций, 75.47%
Elsevier
3 публикации, 5.66%
Beilstein-Institut
2 публикации, 3.77%
ITMO University
2 публикации, 3.77%
Trans Tech Publications
1 публикация, 1.89%
IOP Publishing
1 публикация, 1.89%
Voronezh State University
1 публикация, 1.89%
Hindawi Limited
1 публикация, 1.89%
Ioffe Institute Russian Academy of Sciences
1 публикация, 1.89%
5
10
15
20
25
30
35
40

Организации из публикаций

5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
Южный научный центр РАН
49 публикаций, 92.45%
Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М. И. Платова
24 публикации, 45.28%
Северо-Кавказский федеральный университет
10 публикаций, 18.87%
Организация не определена, 3, 5.66%
Организация не определена
3 публикации, 5.66%
Кубанский государственный университет
3 публикации, 5.66%
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
1 публикация, 1.89%
Университет Экс-Марсель
1 публикация, 1.89%
Технический университет Ильменау
1 публикация, 1.89%
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50

Страны из публикаций

10
20
30
40
50
Россия, 50, 94.34%
Россия
50 публикаций, 94.34%
Страна не определена, 5, 9.43%
Страна не определена
5 публикаций, 9.43%
Германия, 1, 1.89%
Германия
1 публикация, 1.89%
Франция, 1, 1.89%
Франция
1 публикация, 1.89%
10
20
30
40
50

Цитирующие организации

10
20
30
40
50
60
Южный научный центр РАН
51 цитирование, 22.67%
Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М. И. Платова
35 цитирований, 15.56%
Северо-Кавказский федеральный университет
16 цитирований, 7.11%
Организация не определена, 13, 5.78%
Организация не определена
13 цитирований, 5.78%
Ташкентский государственный технический университет имени Ислама Каримова
6 цитирований, 2.67%
Кубанский государственный университет
4 цитирования, 1.78%
Университет ИТМО
2 цитирования, 0.89%
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
1 цитирование, 0.44%
Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН
1 цитирование, 0.44%
Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
1 цитирование, 0.44%
Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
1 цитирование, 0.44%
Федеральный исследовательский центр химической физики им. Н.Н. Семёнова РАН
1 цитирование, 0.44%
Курчатовский комплекс "Кристаллография и Фотоника"
1 цитирование, 0.44%
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
1 цитирование, 0.44%
Самарский Национальный Исследовательский Университет им. Академика С.П. Королёва
1 цитирование, 0.44%
Институт кристаллографии имени А. В. Шубникова
1 цитирование, 0.44%
Санкт-Петербургский горный университет
1 цитирование, 0.44%
МИРЭА — Российский технологический университет
1 цитирование, 0.44%
Санкт-Петербургский государственный университет
1 цитирование, 0.44%
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"
1 цитирование, 0.44%
Донской государственный технический университет
1 цитирование, 0.44%
Самарский государственный технический университет
1 цитирование, 0.44%
Владимирский государственный университет
1 цитирование, 0.44%
Ярославский государственный университет имени П. Г. Демидова
1 цитирование, 0.44%
JSC "GIREDMET" - State Research and Design Institute of Rare Metals Industry of the State Corporation "Rosatom"
1 цитирование, 0.44%
Институт радиофизики и электроники НАН Республики Армении
1 цитирование, 0.44%
Университет короля Сауда
1 цитирование, 0.44%
Стамбульский университет
1 цитирование, 0.44%
Университет Сакарья
1 цитирование, 0.44%
Саветский институт медицинских и технических наук
1 цитирование, 0.44%
Ургенчский государственный университет
1 цитирование, 0.44%
Университет Китайской академии наук
1 цитирование, 0.44%
Манипалская академия высшего образования
1 цитирование, 0.44%
Университет Экс-Марсель
1 цитирование, 0.44%
Цзянсуский педагогический университет
1 цитирование, 0.44%
Корнеллский университет
1 цитирование, 0.44%
Миннаньский педагогический университет
1 цитирование, 0.44%
Университет Конкук
1 цитирование, 0.44%
Юньнаньский университет
1 цитирование, 0.44%
Институт полупроводников Китайской академии наук
1 цитирование, 0.44%
Университет Раджшахи
1 цитирование, 0.44%
Национальный автономный университет Мексики
1 цитирование, 0.44%
Университет Пердью
1 цитирование, 0.44%
Технический университет Ильменау
1 цитирование, 0.44%
Университет Софии
1 цитирование, 0.44%
Технологический университет Коччи
1 цитирование, 0.44%
Кадисский университет
1 цитирование, 0.44%
Университет Клермон-Овернь
1 цитирование, 0.44%
Университет Клода Бернара Лион 1
1 цитирование, 0.44%
Автономный университет Нижней Калифорнии
1 цитирование, 0.44%
Центральная школа Лиона
1 цитирование, 0.44%
Национальный институт прикладных наук Лиона
1 цитирование, 0.44%
Высшая школа химии, физики и электроники Лиона
1 цитирование, 0.44%
Институт Паскаля
1 цитирование, 0.44%
Центр научных исследований и высшего образования Энсенада
1 цитирование, 0.44%
Международная Иберийская Лаборатория Нанотехнологий
1 цитирование, 0.44%
10
20
30
40
50
60

Цитирующие страны

10
20
30
40
50
60
70
80
Россия, 75, 33.33%
Россия
75 цитирований, 33.33%
Страна не определена, 10, 4.44%
Страна не определена
10 цитирований, 4.44%
Узбекистан, 7, 3.11%
Узбекистан
7 цитирований, 3.11%
США, 3, 1.33%
США
3 цитирования, 1.33%
Китай, 3, 1.33%
Китай
3 цитирования, 1.33%
Германия, 2, 0.89%
Германия
2 цитирования, 0.89%
Франция, 2, 0.89%
Франция
2 цитирования, 0.89%
Украина, 2, 0.89%
Украина
2 цитирования, 0.89%
Индия, 2, 0.89%
Индия
2 цитирования, 0.89%
Литва, 2, 0.89%
Литва
2 цитирования, 0.89%
Япония, 2, 0.89%
Япония
2 цитирования, 0.89%
Казахстан, 1, 0.44%
Казахстан
1 цитирование, 0.44%
Португалия, 1, 0.44%
Португалия
1 цитирование, 0.44%
Армения, 1, 0.44%
Армения
1 цитирование, 0.44%
Бангладеш, 1, 0.44%
Бангладеш
1 цитирование, 0.44%
Испания, 1, 0.44%
Испания
1 цитирование, 0.44%
Канада, 1, 0.44%
Канада
1 цитирование, 0.44%
Мексика, 1, 0.44%
Мексика
1 цитирование, 0.44%
Республика Корея, 1, 0.44%
Республика Корея
1 цитирование, 0.44%
Саудовская Аравия, 1, 0.44%
Саудовская Аравия
1 цитирование, 0.44%
Туркменистан, 1, 0.44%
Туркменистан
1 цитирование, 0.44%
Турция, 1, 0.44%
Турция
1 цитирование, 0.44%
10
20
30
40
50
60
70
80
  • Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
  • Статистика пересчитывается раз в сутки.

Направления исследований

Импульсное лазерное напыление многокомпонентных тонких пленок III-V-Bi

+
Импульсное лазерное напыление многокомпонентных тонких пленок III-V-Bi
Синтезированы твердые растворы GaInAsSbBi с различным содержанием Bi на подложках n-GaSb с разориентацией 6° между плоскостями (100) и (111)А. Методами просвечивающей электронной микроскопии и рентгеновской дифракции установлено, что пленки имеют поликристаллическую структуру. Показано, что в пленках с меньшим содержанием Bi толщина переходного аморфного слоя на гетерогранице «слой-подложка» уменьшается.

Публикации и патенты

Партнёры

Адрес лаборатории

Ростов-на-Дону, пр. Чехова, 41
Необходимо авторизоваться.