Magnetoimpedance Effect in a SOI-Based Structure
Тип публикации: Journal Article
Дата публикации: 2019-12-23
scimago Q4
wos Q4
БС3
SJR: 0.154
CiteScore: 0.9
Impact factor: 0.6
ISSN: 10637826, 10906479, 17267315, 09412751
Electronic, Optical and Magnetic Materials
Atomic and Molecular Physics, and Optics
Condensed Matter Physics
Краткое описание
This paper presents the results of the study the transport properties of the SOI-based structure. Measurements were carried out on an alternating current with an external magnetic field in a wide temperature range. The influence of the magnetic field was found. We associate this effect with the influence on the surface states located at the interface, this appears as a change of the energy of their levels. This effect is enhanced by the nanoscale of the silicon channel.
Найдено
Ничего не найдено, попробуйте изменить настройки фильтра.
Найдено
Ничего не найдено, попробуйте изменить настройки фильтра.
Топ-30
Журналы
|
1
|
|
|
Журнал не определён
1 публикация, 25%
|
|
|
Materials Science in Semiconductor Processing
1 публикация, 25%
|
|
|
Journal of Experimental and Theoretical Physics
1 публикация, 25%
|
|
|
Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics
1 публикация, 25%
|
|
|
1
|
Издатели
|
1
2
|
|
|
Pleiades Publishing
2 публикации, 50%
|
|
|
Wiley
1 публикация, 25%
|
|
|
Elsevier
1 публикация, 25%
|
|
|
1
2
|
- Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
- Статистика публикаций обновляется еженедельно.
Вы ученый?
Создайте профиль, чтобы получать персональные рекомендации коллег, конференций и новых статей.
Метрики
4
Всего цитирований:
4
Цитирований c 2024:
0
Цитировать
ГОСТ |
RIS |
BibTex |
MLA
Цитировать
ГОСТ
Скопировать
Smolyakov D. A. et al. Magnetoimpedance Effect in a SOI-Based Structure // Semiconductors. 2019. Vol. 53. No. 14. pp. 1964-1966.
ГОСТ со всеми авторами (до 50)
Скопировать
Smolyakov D. A., Tarasov A., Yakovlev I., Volochaev M. N. Magnetoimpedance Effect in a SOI-Based Structure // Semiconductors. 2019. Vol. 53. No. 14. pp. 1964-1966.
Цитировать
RIS
Скопировать
TY - JOUR
DO - 10.1134/S1063782619140215
UR - https://doi.org/10.1134/S1063782619140215
TI - Magnetoimpedance Effect in a SOI-Based Structure
T2 - Semiconductors
AU - Smolyakov, D A
AU - Tarasov, A.S.
AU - Yakovlev, I.A.
AU - Volochaev, M N
PY - 2019
DA - 2019/12/23
PB - Pleiades Publishing
SP - 1964-1966
IS - 14
VL - 53
SN - 1063-7826
SN - 1090-6479
SN - 1726-7315
SN - 0941-2751
ER -
Цитировать
BibTex (до 50 авторов)
Скопировать
@article{2019_Smolyakov,
author = {D A Smolyakov and A.S. Tarasov and I.A. Yakovlev and M N Volochaev},
title = {Magnetoimpedance Effect in a SOI-Based Structure},
journal = {Semiconductors},
year = {2019},
volume = {53},
publisher = {Pleiades Publishing},
month = {dec},
url = {https://doi.org/10.1134/S1063782619140215},
number = {14},
pages = {1964--1966},
doi = {10.1134/S1063782619140215}
}
Цитировать
MLA
Скопировать
Smolyakov, D. A., et al. “Magnetoimpedance Effect in a SOI-Based Structure.” Semiconductors, vol. 53, no. 14, Dec. 2019, pp. 1964-1966. https://doi.org/10.1134/S1063782619140215.