Semiconductors

, том 53 , издание 14 , страницы 1964-1966

Magnetoimpedance Effect in a SOI-Based Structure

D A Smolyakov ¹

A.S. Tarasov ¹

I.A. Yakovlev ^{1, 2}

M N Volochaev ^{1, 2}

Скрыть аффилиации авторов Показать аффилиации авторов: 2 аффилиации

Kirensky Institute of Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Krasnoyarsk, Russia |

Siberian State University of Science and Technology, Krasnoyarsk, Russia |

Тип публикации: Journal Article

Дата публикации: 2019-12-23

Pleiades Publishing

Semiconductors

scimago Q4

wos Q4

БС3

SJR: 0.154

CiteScore: 0.9

Impact factor: 0.6

ISSN: 10637826, 10906479, 17267315, 09412751

DOI: 10.1134/S1063782619140215

Скопировать DOI

Electronic, Optical and Magnetic Materials

Atomic and Molecular Physics, and Optics

Condensed Matter Physics

Краткое описание

This paper presents the results of the study the transport properties of the SOI-based structure. Measurements were carried out on an alternating current with an external magnetic field in a wide temperature range. The influence of the magnetic field was found. We associate this effect with the influence on the surface states located at the interface, this appears as a change of the energy of their levels. This effect is enhanced by the nanoscale of the silicon channel.

Найдено

4 цитирования

Тарасов Антон

к.ф.-м.н.

63 публикации, 371 цитирование, 46 рецензий

Индекс Хирша: 11

Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Области научных интересов

Магнитные материалы

4 цитирования

Смоляков Дмитрий

к. н.

17 публикаций, 90 цитирований, 1 рецензия

Индекс Хирша: 6

Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Топ-30

Журналы

	1
Журнал не определён	Журнал не определён, 1, 25% Журнал не определён 1 публикация, 25%
Materials Science in Semiconductor Processing	Materials Science in Semiconductor Processing, 1, 25% Materials Science in Semiconductor Processing 1 публикация, 25%
Journal of Experimental and Theoretical Physics	Journal of Experimental and Theoretical Physics, 1, 25% Journal of Experimental and Theoretical Physics 1 публикация, 25%
Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics	Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics, 1, 25% Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics 1 публикация, 25%
	1

Издатели

	1 2
Pleiades Publishing	Pleiades Publishing, 2, 50% Pleiades Publishing 2 публикации, 50%
Wiley	Wiley, 1, 25% Wiley 1 публикация, 25%
Elsevier	Elsevier, 1, 25% Elsevier 1 публикация, 25%
	1 2

Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
Статистика публикаций обновляется еженедельно.

Вы ученый?

Создайте профиль, чтобы получать персональные рекомендации коллег, конференций и новых статей.

Войти с ORCID

Метрики

Цитировать

ГОСТ |

Цитировать

ГОСТ Скопировать

Smolyakov D. A. et al. Magnetoimpedance Effect in a SOI-Based Structure // Semiconductors. 2019. Vol. 53. No. 14. pp. 1964-1966.

ГОСТ со всеми авторами (до 50) Скопировать

Smolyakov D. A., Tarasov A., Yakovlev I., Volochaev M. N. Magnetoimpedance Effect in a SOI-Based Structure // Semiconductors. 2019. Vol. 53. No. 14. pp. 1964-1966.

RIS |

Цитировать

RIS Скопировать

TY - JOUR

DO - 10.1134/S1063782619140215

UR - https://doi.org/10.1134/S1063782619140215

TI - Magnetoimpedance Effect in a SOI-Based Structure

T2 - Semiconductors

AU - Smolyakov, D A

AU - Tarasov, A.S.

AU - Yakovlev, I.A.

AU - Volochaev, M N

PY - 2019

DA - 2019/12/23

PB - Pleiades Publishing

SP - 1964-1966

IS - 14

VL - 53

SN - 1063-7826

SN - 1090-6479

SN - 1726-7315

SN - 0941-2751

ER -

BibTex |

Цитировать

BibTex (до 50 авторов) Скопировать

@article{2019_Smolyakov,

author = {D A Smolyakov and A.S. Tarasov and I.A. Yakovlev and M N Volochaev},

title = {Magnetoimpedance Effect in a SOI-Based Structure},

journal = {Semiconductors},

year = {2019},

volume = {53},

publisher = {Pleiades Publishing},

month = {dec},

url = {https://doi.org/10.1134/S1063782619140215},

number = {14},

pages = {1964--1966},

doi = {10.1134/S1063782619140215}

}

MLA

Цитировать

MLA Скопировать

Smolyakov, D. A., et al. “Magnetoimpedance Effect in a SOI-Based Structure.” Semiconductors, vol. 53, no. 14, Dec. 2019, pp. 1964-1966. https://doi.org/10.1134/S1063782619140215.