том 45 издание 12 страницы 1237-1240

Ion-Beam Deposition of Thin AlN Films on Al2O3 Substrate

Тип публикацииJournal Article
Дата публикации2019-12-01
scimago Q3
wos Q4
БС2
SJR0.215
CiteScore1.1
Impact factor0.9
ISSN10637850, 10906533, 17267471
Physics and Astronomy (miscellaneous)
Краткое описание
Thin aluminum nitride (AlN) films on sapphire (Al2O3) substrates were grown by means of ion-beam deposition (IBD) and studied by methods of scanning electron microscopy, Raman scattering, and optical transmission spectroscopy. Results revealed the influence of IBD process parameters (gas mixture composition, ion beam energy, and substrate temperature) on the morphology, structure, and optical properties of obtained thin AlN films on sapphire.
Найдено 
Найдено 

Топ-30

Журналы

1
Journal Physics D: Applied Physics
1 публикация, 25%
Technical Physics Letters
1 публикация, 25%
Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences
1 публикация, 25%
Solar Energy Materials and Solar Cells
1 публикация, 25%
1

Издатели

1
IOP Publishing
1 публикация, 25%
Pleiades Publishing
1 публикация, 25%
Taylor & Francis
1 публикация, 25%
Elsevier
1 публикация, 25%
1
  • Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
  • Статистика публикаций обновляется еженедельно.

Вы ученый?

Создайте профиль, чтобы получать персональные рекомендации коллег, конференций и новых статей.
Метрики
4
Поделиться
Цитировать
ГОСТ |
Цитировать
Lunin L. S. L. S. et al. Ion-Beam Deposition of Thin AlN Films on Al2O3 Substrate // Technical Physics Letters. 2019. Vol. 45. No. 12. pp. 1237-1240.
ГОСТ со всеми авторами (до 50) Скопировать
Lunin L. S. L. S., Devitskii O. V., Sysoev I. A., Pashchenko A., Kasyanov I. V., Nikulin D. A., Irkha V. A. Ion-Beam Deposition of Thin AlN Films on Al2O3 Substrate // Technical Physics Letters. 2019. Vol. 45. No. 12. pp. 1237-1240.
RIS |
Цитировать
TY - JOUR
DO - 10.1134/S106378501912023X
UR - https://doi.org/10.1134/S106378501912023X
TI - Ion-Beam Deposition of Thin AlN Films on Al2O3 Substrate
T2 - Technical Physics Letters
AU - Lunin L. S., L. S.
AU - Devitskii, O V
AU - Sysoev, I. A.
AU - Pashchenko, A.S.
AU - Kasyanov, I V
AU - Nikulin, D A
AU - Irkha, V A
PY - 2019
DA - 2019/12/01
PB - Pleiades Publishing
SP - 1237-1240
IS - 12
VL - 45
SN - 1063-7850
SN - 1090-6533
SN - 1726-7471
ER -
BibTex |
Цитировать
BibTex (до 50 авторов) Скопировать
@article{2019_Lunin L. S.,
author = {L. S. Lunin L. S. and O V Devitskii and I. A. Sysoev and A.S. Pashchenko and I V Kasyanov and D A Nikulin and V A Irkha},
title = {Ion-Beam Deposition of Thin AlN Films on Al2O3 Substrate},
journal = {Technical Physics Letters},
year = {2019},
volume = {45},
publisher = {Pleiades Publishing},
month = {dec},
url = {https://doi.org/10.1134/S106378501912023X},
number = {12},
pages = {1237--1240},
doi = {10.1134/S106378501912023X}
}
MLA
Цитировать
Lunin L. S., L. S., et al. “Ion-Beam Deposition of Thin AlN Films on Al2O3 Substrate.” Technical Physics Letters, vol. 45, no. 12, Dec. 2019, pp. 1237-1240. https://doi.org/10.1134/S106378501912023X.