Spin Accumulation in the Fe3Si/n-Si Epitaxial Structure and Related Electric Bias Effect
A.S. Tarasov
1, 2
,
A V Lukyanenko
1, 2
,
I A Bondarev
1, 2
,
I.A. Yakovlev
1
,
S. N. Varnakov
1
,
S. G. Ovchinnikov
1, 2
,
N.V. Volkov
1, 2
1
Тип публикации: Journal Article
Дата публикации: 2020-07-01
scimago Q3
wos Q4
БС2
SJR: 0.215
CiteScore: 1.1
Impact factor: 0.9
ISSN: 10637850, 10906533, 17267471
Physics and Astronomy (miscellaneous)
Краткое описание
The electrical injection of the spin-polarized current into silicon in the Fe3Si/n-Si epitaxial structure is demonstrated. The spin accumulation effect is examined by measuring the local and nonlocal voltage in a special four-terminal device. The observed effect of the electric bias on the spin signal is discussed and compared with the results obtained for ferromagnet/semiconductor structures.
Найдено
Ничего не найдено, попробуйте изменить настройки фильтра.
Найдено
Ничего не найдено, попробуйте изменить настройки фильтра.
Топ-30
Журналы
|
1
|
|
|
Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics
1 публикация, 50%
|
|
|
Physics of Metals and Metallography
1 публикация, 50%
|
|
|
1
|
Издатели
|
1
2
|
|
|
Pleiades Publishing
2 публикации, 100%
|
|
|
1
2
|
- Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
- Статистика публикаций обновляется еженедельно.
Вы ученый?
Создайте профиль, чтобы получать персональные рекомендации коллег, конференций и новых статей.
Метрики
2
Всего цитирований:
2
Цитирований c 2024:
1
(50%)
Самый цитирующий журнал
Цитирований в журнале:
1
Цитировать
ГОСТ |
RIS |
BibTex |
MLA
Цитировать
ГОСТ
Скопировать
Tarasov A. et al. Spin Accumulation in the Fe3Si/n-Si Epitaxial Structure and Related Electric Bias Effect // Technical Physics Letters. 2020. Vol. 46. No. 7. pp. 665-668.
ГОСТ со всеми авторами (до 50)
Скопировать
Tarasov A., Lukyanenko A. V., Bondarev I. A., Yakovlev I., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Volkov N. Spin Accumulation in the Fe3Si/n-Si Epitaxial Structure and Related Electric Bias Effect // Technical Physics Letters. 2020. Vol. 46. No. 7. pp. 665-668.
Цитировать
RIS
Скопировать
TY - JOUR
DO - 10.1134/S1063785020070135
UR - https://doi.org/10.1134/S1063785020070135
TI - Spin Accumulation in the Fe3Si/n-Si Epitaxial Structure and Related Electric Bias Effect
T2 - Technical Physics Letters
AU - Tarasov, A.S.
AU - Lukyanenko, A V
AU - Bondarev, I A
AU - Yakovlev, I.A.
AU - Varnakov, S. N.
AU - Ovchinnikov, S. G.
AU - Volkov, N.V.
PY - 2020
DA - 2020/07/01
PB - Pleiades Publishing
SP - 665-668
IS - 7
VL - 46
SN - 1063-7850
SN - 1090-6533
SN - 1726-7471
ER -
Цитировать
BibTex (до 50 авторов)
Скопировать
@article{2020_Tarasov,
author = {A.S. Tarasov and A V Lukyanenko and I A Bondarev and I.A. Yakovlev and S. N. Varnakov and S. G. Ovchinnikov and N.V. Volkov},
title = {Spin Accumulation in the Fe3Si/n-Si Epitaxial Structure and Related Electric Bias Effect},
journal = {Technical Physics Letters},
year = {2020},
volume = {46},
publisher = {Pleiades Publishing},
month = {jul},
url = {https://doi.org/10.1134/S1063785020070135},
number = {7},
pages = {665--668},
doi = {10.1134/S1063785020070135}
}
Цитировать
MLA
Скопировать
Tarasov, A.S., et al. “Spin Accumulation in the Fe3Si/n-Si Epitaxial Structure and Related Electric Bias Effect.” Technical Physics Letters, vol. 46, no. 7, Jul. 2020, pp. 665-668. https://doi.org/10.1134/S1063785020070135.