Растровый электронный микроскоп Tescan MIRA 3 LMH (Чехия) с EBSD приставкой

Растровый электронный микроскоп высокого разрешения предназначен для исследований микроструктуры материалов в режиме регистрации вторичных электронов (рельеф) и обратно отраженных электронов (фазовый контраст). Оснащен детектором Nordlys (Oxford Instruments, Англия) для EBSD анализа кристаллографических ориентировок структуры материалов.

1)ускоряющее напряжение до 30 кВ; 2)увеличение до 1 000 000; 3)разрешение 1,2 нм; 4)точность определения пространственной ориентации методом EBSD - 1°.