Установка для исследования молекулярно-лучевой эпитаксии

Установка предназначена для проведения следующих экспериментов:

– исследование поверхностных процессов при молекулярно-лучевой эпитаксии на кристалле CdTe методом масс-спектрометрии in situ. Для измерения кинетических параметров используются модулированные молекулярные пучки Cd и Te2.

– изучение начальных стадий роста плёнки CdTe на сапфире и условия зарождения островков при МЛЭ из пучков Cd и Te2.

– исследования начальных стадий роста плёнки Te на сапфире и условия зарождения островков из пучка Te2.

Используемый измерительный комплекс отличается от типичной технологической установки МЛЭ. В камере роста имеются четыре источника молекулярных пучков, два из которых можно модулировать с частотой до 1 кГц. Потоки десорбции с поверхности кристалла регистрируются встроенным масс-спектрометром, что позволяет непосредственно измерять временные характеристики переходных процессов на поверхности кристалла. Знание этих характеристик даёт возможность определять параметры элементарных процессов взаимодействия молекулярных пучков с поверхностью твердых тел (концентрация адсорбированных частиц, время адсорбции, длина диффузионного пробега по поверхности). Именно эти параметры определяют режим роста плёнки, особенно на начальной стадии. Изучение начальных стадий роста плёнок, т. е. процессов происходящих на поверхности подложки при нанесении исходных компонентов получаемых плёнок, позволяет в дальнейшем управлять процессом роста и получать совершенные монокристаллические плёнки.