Заведующий лабораторией

Каневский Владимир Михайлович

д.ф.-м.н.
Публикаций
179
Цитирований
744
Индекс Хирша
13
Необходимо авторизоваться.

Лаборатория занимается исследованием процессов роста тонких пленок и неорганических наноструктур. Получением наноструктур полупроводниковых, композитных и металлических соединений, а также исследованием их структуры и свойств.

  1. Атомно-силовая микроскопия (АСМ)
  2. Микротвердость
  3. Рентгенофазовый анализ
  4. Сканирующая электронная микроскопия (СЭМ)
  5. Спектроскопия КР (Рамановская)
  6. Электрохимия
  7. Молекулярно-слоевое осаждение (Molecular layer deposition)
  8. Импульсные магнитные поля
  9. Кинетика фотопроводимости
  10. Спектроскопия
  11. Электрофизические измерения
  12. Энергодисперсионная спектроскопия
  13. Магнитометрия
  14. Вакуумно-термическое напыление
  15. Масс-спектрометрия

JCM-6000Plus, представляет собой многофункциональный настольный сканирующий микроскоп с сенсорной панелью управления, который отвечает разнообразным потребностям пользователей. JCM-6000Plus оснащен высокочувствительными полупроводниковыми детекторами, используемыми в высококлассных приборах, что упрощает получение информации о контрастности состава образца и обеспечивает эффективный анализ.

Подходит для проведения основных электрохимических экспериментов и методик. Этот прибор является идеальным выбором для оборудования студенческого практикума, либо других задач, когда требуется максимальная простота и неприхотливость в работе.

Профессиональный потенциостат-гальваностат PS-50 является бескомпромиссной разработкой, воплотившей в себе все лучшие возможности SmartStat. Одной из ключевых особенностей является наличие шестиэлектродной схемы подключения. Она может быть использована, например, для одновременной регистрации спектров импеданса катода и анода.

Основные особенности:

Потенциостат-гальваностат PS-50 внесен в Госреестр Средств Измерений, номер сертификата 88875-23

Шестиэлектродная схема подключения (2 AUX входа, синхронных с током и потенциалом) в базовой комплектации

Максимально широкий размах рабочих токов и потенциалов

Высококачественный импеданс 50 кГц с возможностью установки FRA до 1.5 МГц

Аналого-цифровой интерфейс SmartStat с двумя аналоговыми входами и цифровым выходом

Наличие IR-компенсации методом ПОС

Потенциостат поставляется с High-End ЦАП разрядностью 20 бит для максимально качественной развертки потенциала (минимальный шаг при синтезе развертки 10 мкВ).

Спектрофотометр UV-VIS PB 2201 ColorCheck – это высокоточный спектрофотометр, который применяется для измерения цветности прозрачных жидкостей или твердых тел. Измерение цветности является важной частью производственного процесса, тк является показателем типа и качества сырья и готовой продукции. Спектр применения прибора крайне широк: нефтехимическая промышленность, пищевая промышленность, химическая и фармацевтическая промышленность, легкая промышленность и др.

Автоматизированная установка для измерения термоэлектрических свойств в нанопленках СТН 300.600.3Omega. Установка предназначена для измерения коэффициента термо-ЭДС, электропроводности и коэффициента теплопроводности в нанопленках. Коэффициент теплопроводности в нанопленках измеряется с помощью 3 омега метода.

Установка оснащается автоматическим зондом и автоматизированным подложкодержателем. Загрузка подложек осуществляется вручную. Максимальный диаметр обрабатываемых пластин составляет 200 мм. Установка поставляется в комплекте с ПК и специализированным программным обеспечением для проведения измерений. Имеется функция картографирования пластины с заданием до 1225 точек (круглые, квадратные, произвольные карты), создания 2D/3D карт поверхности результатов измерений. Cresbox способна работать в разных режимах: плоские резы с известной толщиной (SLICE), удельное электрическое сопротивление (BULK), отношение V/I (электрическое сопротивление), поверхностное сопротивление (Sheet). Данное оборудование снабжено функцией автоматического изменения диапазона измерений, а также может самостоятельно проверять корректность работы. Для образцов из кремния есть возможность задать корректирование по параметрам температуры и толщины. Обширный диапазон рабочих материалов, практичный дизайн, простата эксплуатации, способность получать измерения по стандартам ASTM – все это делает возможным использование данного оборудования, как в научно-исследовательской сфере, так и при мелкосерийном производстве. Измеряемые материалы: Наноматериалы (углеродные нанотрубки, DLC, графен, серебряные нанопроволоки и т.д.) Полупроводники и материалы солнечных элементов (Si, poly-Si, SiC и т.д.) Тонкие проводящие пленки (металл, ITO, IZO т.д.) Легированные образцы, эпитаксиальные слоиответствии со стандартами ASTM (SEMI) Простота эксплуатации и практичный дизайн Возможность проведения работ с пластинами диаметром до 200 мм (опционально до 300 мм) Возможность проведения работ с прямоугольными и квадратными подложками Простота настройки измерений и возможно

Регистрация эмиссионных спектров различных элементов и дальнейшего расчета содержаний различных элементов на основе полученных спектральных данных.

Прибор для комплексного исследования физико-механических свойств в диапазоне нагрузок до 100 мН. Нанотвердомер оснащен оптическим микроскопом и моторизованным предметным столиком для позиционирования объекта исследования. Высокая степень автоматизации измерений позволяет существенно повысить производительность исследований.

Установка предназначена для проведения следующих экспериментов:

– исследование поверхностных процессов при молекулярно-лучевой эпитаксии на кристалле CdTe методом масс-спектрометрии in situ. Для измерения кинетических параметров используются модулированные молекулярные пучки Cd и Te2.

– изучение начальных стадий роста плёнки CdTe на сапфире и условия зарождения островков при МЛЭ из пучков Cd и Te2.

– исследования начальных стадий роста плёнки Te на сапфире и условия зарождения островков из пучка Te2.

Используемый измерительный комплекс отличается от типичной технологической установки МЛЭ. В камере роста имеются четыре источника молекулярных пучков, два из которых можно модулировать с частотой до 1 кГц. Потоки десорбции с поверхности кристалла регистрируются встроенным масс-спектрометром, что позволяет непосредственно измерять временные характеристики переходных процессов на поверхности кристалла. Знание этих характеристик даёт возможность определять параметры элементарных процессов взаимодействия молекулярных пучков с поверхностью твердых тел (концентрация адсорбированных частиц, время адсорбции, длина диффузионного пробега по поверхности). Именно эти параметры определяют режим роста плёнки, особенно на начальной стадии. Изучение начальных стадий роста плёнок, т. е. процессов происходящих на поверхности подложки при нанесении исходных компонентов получаемых плёнок, позволяет в дальнейшем управлять процессом роста и получать совершенные монокристаллические плёнки.

Процессы конденсации и испарения проходят в неравновесных условиях. Результаты наших экспериментов позволяют предложить модель и рассчитать некоторые кинетические параметры этих неравновесных процессов.

NTEGRA Spectra в расширенном варианте «зондовая микроскопия + оптическая микроспектроскопия» позволяет проводить измерения по отдельности методами СЗМ, конфокальной микроскопии, рамановской и фотолюминесцентной микроспектроскопии, а также исследовать один и тот же образец комбинированно и одновременно вышеуказанными методами, со сканированием образцом и/или зондом и/или фокусом лазера, с построением колокализованных карт любых собираемых сигналов, поточечно привязанных друг к другу. Система в расширенной конфигурации позволяет решать следующие экспериментальные задачи, дополнительно к базовому варианту: с нанометровым разрешением проводить измерения топографии и морфологии поверхности образца, а также его электрических, магнитных, механических и других локальных свойств методами атомно-силовой микроскопии; с нанометровым разрешением проводить измерения поверхности образца методами сканирующей туннельной микроскопии; реализовать с нанометровым разрешением измерения различных оптических характеристик поверхности образца методами сканирующей ближнепольной оптической микроскопии, апертурной и безапертурной; реализовать оптические/спектральные измерения с использованием различных эффектов волновой оптики, в частности, в режимах зондово-усиленной рамановской и фотолюминесцентной спектроскопии (TERS/TEPL), поточечно локально и с построением оптических спектральных карт, с пространственным разрешением

Оборудование позволяет получать информацию о поверхностной структуре материала с пространственным разрешением в нанометровом диапазоне (Исследование топографии, фазового распределения, локальной жесткости, измерение силы адгезии в различных областях материала и т.д.). Также предусматривает возможность изучения физических и химических свойств поверхности образца с большой точностью и высоким разрешением.

Предназначен для исследования нанобобъектов со сверхвысоким пространственным разрешением (до 0,1 нм по вертикали и до 1 нм по горизонтали). Solver PRO-M позволяет исследовать профиль поверхности образцов с площадью до 100x100 мкм.

Владимир Каневский
Заведующий лабораторией
Асваров Абил Шамсудинович
Абил Асваров
Ведущий научный сотрудник
Арсен Муслимов
Ведущий научный сотрудник
Дмитрий Загорский
Ведущий научный сотрудник
Людмила Задорожная
Ведущий научный сотрудник
Власов Василий Платонович
Василий Власов
Ведущий научный сотрудник
Иван Волчков 🥼 🤝
Старший научный сотрудник
Владимир Кварталов
Старший научный сотрудник
Михайлов Владимир Иванович
Владимир Михайлов
Старший научный сотрудник
Лавриков Александр Сергеевич
Александр Лавриков
Ведущий Инженер
Михаил Гиваргизов
Ведущий Инженер
Долуденко Илья М
Илья Долуденко
Научный сотрудник
Тарасов Андрей Петрович
Андрей Тарасов
Научный сотрудник
Сергей Бедин 🥼 🤝
Инженер
Дмитрий Панов
Младший научный сотрудник

Направления исследований

Исследование влияния примесного состава на свойства полупроводниковых твердых растворов на основе CdTe

+
Исследование влияния примесного состава на свойства полупроводниковых твердых растворов на основе CdTe
Лаборатория занимается исследованием влияния примесного состава на электрические, фотоэлектрические, механические и магнитные характеристики полупроводниковых кристаллов на основе CdTe. Исследуются проявления анизотропии структуры и свойств кристаллов, а также свойства разбавленных магнитных полупроводников на основе CdTe. На рисунке петли гистерезиса образцов Cd0,995Zn0,005Te (a), Cd0,97Zn0,03Te (b) и Cd0,95Zn0,05Te (c) при температурах 2 и 300 К. На вставках показаны петли гистерезиса при 2 К с вычтенным диамагнитным вкладом решетки.

Получение микро- и наноструктур полупроводников, таких как CdTe, ZnO, SiC, NiО и т.д., а также характеризация полученных микро- и наноструктур

+
Получение микро- и наноструктур полупроводников, таких как CdTe, ZnO, SiC, NiО и т.д., а также характеризация полученных микро- и наноструктур
Разработка и оптимизация методик получения микро- и наноструктур полупроводников, таких как CdTe, Ga2O3, ZnO, SiC, NiO и т.д., а также характеризация полученных микро- и наноструктур. Выращиваемые наноструктуры являются перспективными материалами для создания функциональных элементов солнечных элементов, детекторов ионизирующего излучения, светодиодов, газовых сенсоров и элементов микроэлектроники. Описываемые структуры выращиваются методами молекулярно-лучевой эпитакции, высоковакуумного термического напыления, магнетронного напыления, комплексом термических методов по механизму пар-жидкость-кристалл, а также электрохимии. Характеризация выращенных микро- и наноструктур осуществляется комплексом методов, имеющихся в распоряжении лаборатории.

Металл-полимерные композиты на основе полимерных трековых мембран и массивов нанопроволок

+
Металл-полимерные композиты на основе полимерных трековых мембран и массивов нанопроволок
Синтез металл-полимерных композитов на основе полимерных трековых мембран и массивов нанопроволок различных составов (Fe, Ni, Cu, Co и сплавов на их основе, в том числе тройных сплавов и слоевых нанопроволок) методами электрохимии. Характеризация структуры и свойств полученных массивов наноструктур, таких, как магнитные, электрические и оптические свойства. Исследования микротвердости металл-полимерных композитов на основе полимерных трековых мембран и нанопроволок FeNi. Исследования особенностей синтеза и магнитных свойств нанопроволок из тройных сплавов. Исследования особенностей электрической анизотропии и перколяционных эффектов проводящих массивов.

Модификация структуры и свойств полупроводниковых соединений с помощью внешних воздействий

+
Модификация структуры и свойств полупроводниковых соединений с помощью внешних воздействий
Исследование процессов модификации структуры и свойств полупроводниковых соединений с помощью внешних воздействий, таких как термическое воздействие, воздействия магнитных полей на примесную магнитную подрешетку, воздействие лазерного, плазменного и ионизирующего излучений. На рисунке SEM-изображения толстой пленки ZnO: (a) Поперечное сечение выращенной пленки; (b) поверхность выращенной пленки; (c) поверхность обработанной плазмой пленки. Рисунки (b,c) дополнены данными EDX (на вставках).

Публикации и патенты

Найдено 

Адрес лаборатории

Москва, Ленинский проспект, дом 59
Необходимо авторизоваться.