Лаборатория роста тонких пленок и неорганических наноструктур
Публикаций
179
Цитирований
744
Индекс Хирша
13
Необходимо авторизоваться.
Лаборатория занимается исследованием процессов роста тонких пленок и неорганических наноструктур. Получением наноструктур полупроводниковых, композитных и металлических соединений, а также исследованием их структуры и свойств.
- Атомно-силовая микроскопия (АСМ)
- Микротвердость
- Рентгенофазовый анализ
- Сканирующая электронная микроскопия (СЭМ)
- Спектроскопия КР (Рамановская)
- Электрохимия
- Молекулярно-слоевое осаждение (Molecular layer deposition)
- Импульсные магнитные поля
- Кинетика фотопроводимости
- Спектроскопия
- Электрофизические измерения
- Энергодисперсионная спектроскопия
- Магнитометрия
- Вакуумно-термическое напыление
- Масс-спектрометрия
Владимир Каневский
Заведующий лабораторией
Абил Асваров
Ведущий научный сотрудник
Арсен Муслимов
Ведущий научный сотрудник
Дмитрий Загорский
Ведущий научный сотрудник
Людмила Задорожная
Ведущий научный сотрудник
Василий Власов
Ведущий научный сотрудник
Владимир Кварталов
Старший научный сотрудник
Владимир Михайлов
Старший научный сотрудник
Александр Лавриков
Ведущий Инженер
Михаил Гиваргизов
Ведущий Инженер
Илья Долуденко
Научный сотрудник
Андрей Тарасов
Научный сотрудник
Динара Хайретдинова
Инженер
Леонид Поляк
Инженер
Полина Резникова
Инженер
Дмитрий Панов
Младший научный сотрудник
Павел Подкур
Аспирант
Илья Кошелев
Аспирант
Валерия Краснова
Аспирант
Никита Башлыков
Аспирант
Данила Улыбышев
Студент
Александр Волчков
Студент
Егор Белов
Студент
Александр Резванов
Студент
Артем Зиновьев
Студент
Мария Кметь
Студент
Айсылу Ишбаева
Студент
Александр Сопетик
Студент
Направления исследований
Исследование влияния примесного состава на свойства полупроводниковых твердых растворов на основе CdTe
+
Лаборатория занимается исследованием влияния примесного состава на электрические, фотоэлектрические, механические и магнитные характеристики полупроводниковых кристаллов на основе CdTe. Исследуются проявления анизотропии структуры и свойств кристаллов, а также свойства разбавленных магнитных полупроводников на основе CdTe.
На рисунке петли гистерезиса образцов Cd0,995Zn0,005Te (a), Cd0,97Zn0,03Te (b) и Cd0,95Zn0,05Te (c) при температурах 2 и 300 К. На вставках показаны петли гистерезиса при 2 К с вычтенным диамагнитным вкладом решетки.
Получение микро- и наноструктур полупроводников, таких как CdTe, ZnO, SiC, NiО и т.д., а также характеризация полученных микро- и наноструктур
+
Разработка и оптимизация методик получения микро- и наноструктур полупроводников, таких как CdTe, Ga2O3, ZnO, SiC, NiO и т.д., а также характеризация полученных микро- и наноструктур. Выращиваемые наноструктуры являются перспективными материалами для создания функциональных элементов солнечных элементов, детекторов ионизирующего излучения, светодиодов, газовых сенсоров и элементов микроэлектроники.
Описываемые структуры выращиваются методами молекулярно-лучевой эпитакции, высоковакуумного термического напыления, магнетронного напыления, комплексом термических методов по механизму пар-жидкость-кристалл, а также электрохимии. Характеризация выращенных микро- и наноструктур осуществляется комплексом методов, имеющихся в распоряжении лаборатории.
Металл-полимерные композиты на основе полимерных трековых мембран и массивов нанопроволок
+
Синтез металл-полимерных композитов на основе полимерных трековых мембран и массивов нанопроволок различных составов (Fe, Ni, Cu, Co и сплавов на их основе, в том числе тройных сплавов и слоевых нанопроволок) методами электрохимии. Характеризация структуры и свойств полученных массивов наноструктур, таких, как магнитные, электрические и оптические свойства. Исследования микротвердости металл-полимерных композитов на основе полимерных трековых мембран и нанопроволок FeNi. Исследования особенностей синтеза и магнитных свойств нанопроволок из тройных сплавов. Исследования особенностей электрической анизотропии и перколяционных эффектов проводящих массивов.
Модификация структуры и свойств полупроводниковых соединений с помощью внешних воздействий
+
Исследование процессов модификации структуры и свойств полупроводниковых соединений с помощью внешних воздействий, таких как термическое воздействие, воздействия магнитных полей на примесную магнитную подрешетку, воздействие лазерного, плазменного и ионизирующего излучений.
На рисунке SEM-изображения толстой пленки ZnO: (a) Поперечное сечение выращенной пленки; (b) поверхность выращенной пленки; (c) поверхность обработанной плазмой пленки. Рисунки (b,c) дополнены данными EDX (на вставках).
Публикации и патенты
Найдено
Ничего не найдено, попробуйте изменить настройки фильтра.
Адрес лаборатории
Москва, Ленинский проспект, дом 59
Необходимо авторизоваться.