Лаборатория роста тонких пленок и неорганических наноструктур
Публикаций
179
Цитирований
764
Индекс Хирша
13
Необходимо авторизоваться.
Лаборатория занимается исследованием процессов роста тонких пленок и неорганических наноструктур. Получением наноструктур полупроводниковых, композитных и металлических соединений, а также исследованием их структуры и свойств.
- Атомно-силовая микроскопия (АСМ)
- Микротвердость
- Рентгенофазовый анализ
- Сканирующая электронная микроскопия (СЭМ)
- Спектроскопия КР (Рамановская)
- Электрохимия
- Молекулярно-слоевое осаждение (Molecular layer deposition)
- Импульсные магнитные поля
- Кинетика фотопроводимости
- Спектроскопия
- Электрофизические измерения
- Энергодисперсионная спектроскопия
- Магнитометрия
- Вакуумно-термическое напыление
- Масс-спектрометрия
Владимир Каневский
Заведующий лабораторией
Абил Асваров
Ведущий научный сотрудник
Арсен Муслимов
Ведущий научный сотрудник
Дмитрий Загорский
Ведущий научный сотрудник
Людмила Задорожная
Ведущий научный сотрудник
Василий Власов
Ведущий научный сотрудник
Владимир Кварталов
Старший научный сотрудник
Владимир Михайлов
Старший научный сотрудник
Александр Лавриков
Ведущий Инженер
Михаил Гиваргизов
Ведущий Инженер
Илья Долуденко
Научный сотрудник
Андрей Тарасов
Научный сотрудник
Динара Хайретдинова
Инженер
Леонид Поляк
Инженер
Полина Резникова
Инженер
Дмитрий Панов
Младший научный сотрудник
Павел Подкур
Аспирант
Илья Кошелев
Аспирант
Валерия Краснова
Аспирант
Никита Башлыков
Аспирант
Данила Улыбышев
Студент
Александр Волчков
Студент
Егор Белов
Студент
Александр Резванов
Студент
Артем Зиновьев
Студент
Мария Кметь
Студент
Айсылу Ишбаева
Студент
Александр Сопетик
Студент
Всего публикаций
177
Всего цитирований
763
Цитирований на публикацию
4.31
Среднее число публикаций в год
3.61
Годы публикаций
1976-2024 (49 лет)
h-index
13
i10-index
28
m-index
0.27
o-index
21
g-index
17
w-index
2
Описание метрик
h-index
Учёный имеет индекс h, если h из его N статей цитируются как минимум h раз каждая, в то время как оставшиеся (N - h) статей цитируются не более чем h раз каждая.
i10-index
Число статей автора, получивших не менее 10 ссылок каждая.
m-index
m-индекс ученого численно равен отношению его h-индекса к количеству лет, прошедших с момента первой публикации.
o-index
Среднее геометрическое h-индекса и числа цитирований наиболее цитируемой статьи ученого.
g-index
Для данного множества статей, отсортированного в порядке убывания количества цитирований, которые получили эти статьи, g-индекс это наибольшее число, такое что g самых цитируемых статей получили (суммарно) не менее g2 цитирований.
w-index
Если w статей ученого имеют не менее 10w цитирований каждая и другие статьи меньше, чем 10(w+1) цитирований, то w-индекс исследователя равен w.
Топ-100
Области наук
Журналы
Цитирующие журналы
Издатели
|
20
40
60
80
100
120
140
|
|
|
Pleiades Publishing
130 публикаций, 73.45%
|
|
|
MDPI
23 публикации, 12.99%
|
|
|
Elsevier
5 публикаций, 2.82%
|
|
|
Wiley
4 публикации, 2.26%
|
|
|
IOP Publishing
4 публикации, 2.26%
|
|
|
Federal Informational-Analytical Center of the Defense Industry
2 публикации, 1.13%
|
|
|
Keldysh Institute of Applied Mathematics
2 публикации, 1.13%
|
|
|
EDP Sciences
1 публикация, 0.56%
|
|
|
AIP Publishing
1 публикация, 0.56%
|
|
|
Image Processing Systems Institute of RAS
1 публикация, 0.56%
|
|
|
Chinese Society of Rare Earths
1 публикация, 0.56%
|
|
|
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
1 публикация, 0.56%
|
|
|
20
40
60
80
100
120
140
|
Организации из публикаций
Страны из публикаций
|
20
40
60
80
100
120
140
160
180
|
|
|
Россия
|
Россия, 163, 92.09%
Россия
163 публикации, 92.09%
|
|
Страна не определена
|
Страна не определена, 14, 7.91%
Страна не определена
14 публикаций, 7.91%
|
|
Украина
|
Украина, 2, 1.13%
Украина
2 публикации, 1.13%
|
|
США
|
США, 2, 1.13%
США
2 публикации, 1.13%
|
|
Венгрия
|
Венгрия, 2, 1.13%
Венгрия
2 публикации, 1.13%
|
|
СССР
|
СССР, 2, 1.13%
СССР
2 публикации, 1.13%
|
|
Германия
|
Германия, 1, 0.56%
Германия
1 публикация, 0.56%
|
|
Франция
|
Франция, 1, 0.56%
Франция
1 публикация, 0.56%
|
|
Азербайджан
|
Азербайджан, 1, 0.56%
Азербайджан
1 публикация, 0.56%
|
|
Бельгия
|
Бельгия, 1, 0.56%
Бельгия
1 публикация, 0.56%
|
|
Чехия
|
Чехия, 1, 0.56%
Чехия
1 публикация, 0.56%
|
|
20
40
60
80
100
120
140
160
180
|
Цитирующие организации
|
20
40
60
80
100
120
140
160
|
|
|
Курчатовский комплекс "Кристаллография и Фотоника"
146 цитирований, 19.13%
|
|
|
Институт кристаллографии имени А. В. Шубникова
120 цитирований, 15.73%
|
|
|
Организация не определена
|
Организация не определена, 76, 9.96%
Организация не определена
76 цитирований, 9.96%
|
|
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"
43 цитирования, 5.64%
|
|
|
Дагестанский государственный университет
36 цитирований, 4.72%
|
|
|
Институт физики им. Х.И. Амирханова ДФИЦ РАН
34 цитирования, 4.46%
|
|
|
Дагестанский федеральный исследовательский центр РАН
33 цитирования, 4.33%
|
|
|
Институт кристаллографии
22 цитирования, 2.88%
|
|
|
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
19 цитирований, 2.49%
|
|
|
Московский педагогический государственный университет
15 цитирований, 1.97%
|
|
|
Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
12 цитирований, 1.57%
|
|
|
Объединенный институт высоких температур РАН
12 цитирований, 1.57%
|
|
|
Санкт-Петербургский Политехнический Университет Петра Великого
12 цитирований, 1.57%
|
|
|
Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН
10 цитирований, 1.31%
|
|
|
Российский Университет Дружбы Народов
10 цитирований, 1.31%
|
|
|
Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
9 цитирований, 1.18%
|
|
|
Балтийский Федеральный Университет имени Иммануила Канта
8 цитирований, 1.05%
|
|
|
Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина
7 цитирований, 0.92%
|
|
|
Московский физико-технический институт
6 цитирований, 0.79%
|
|
|
Московский государственный технический университет им. Н. Э. Баумана
6 цитирований, 0.79%
|
|
|
Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН
5 цитирований, 0.66%
|
|
|
Институт радиотехники и электроники имени В.А. Котельникова РАН
5 цитирований, 0.66%
|
|
|
Технион - израильский технологический институт
5 цитирований, 0.66%
|
|
|
Национальный университет Ян Мин Цзяотун
5 цитирований, 0.66%
|
|
|
Федеральный исследовательский центр химической физики им. Н.Н. Семёнова РАН
4 цитирования, 0.52%
|
|
|
Сибирский Федеральный Университет
4 цитирования, 0.52%
|
|
|
МИРЭА — Российский технологический университет
4 цитирования, 0.52%
|
|
|
ФИЦ "Красноярский научный центр" СО РАН
4 цитирования, 0.52%
|
|
|
Институт фотонных технологий
4 цитирования, 0.52%
|
|
|
Государственный университет просвещения
4 цитирования, 0.52%
|
|
|
Университет короля Сауда
4 цитирования, 0.52%
|
|
|
Чжэцзянский университет
4 цитирования, 0.52%
|
|
|
Университет Лотарингии
4 цитирования, 0.52%
|
|
|
European Synchrotron Radiation Facility
4 цитирования, 0.52%
|
|
|
Кембриджский университет
4 цитирования, 0.52%
|
|
|
Университет Южной Дании
4 цитирования, 0.52%
|
|
|
Шаньдунский университет
4 цитирования, 0.52%
|
|
|
Немецкий Электронный Синхротрон
4 цитирования, 0.52%
|
|
|
Казанский научный центр РАН
3 цитирования, 0.39%
|
|
|
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
3 цитирования, 0.39%
|
|
|
Институт физики металлов имени М. Н. Михеева УрО РАН
3 цитирования, 0.39%
|
|
|
Российский химико-технологический университет имени Д. И. Менделеева
3 цитирования, 0.39%
|
|
|
Казанский физико-технический институт имени Е. К. Завойского КазНЦ РАН
3 цитирования, 0.39%
|
|
|
Институт химии новых материалов НАН Беларуси
3 цитирования, 0.39%
|
|
|
Федеральный исследовательский центр проблем химической физики и медицинской химии РАН
3 цитирования, 0.39%
|
|
|
Сибирский государственный университет науки и технологий им. М.Ф. Решетнева
3 цитирования, 0.39%
|
|
|
Государственный оптический институт имени С. И. Вавилова
3 цитирования, 0.39%
|
|
|
Научно-технологический университет имени короля Абдаллы
3 цитирования, 0.39%
|
|
|
Исламийский колледж в Пешаваре
3 цитирования, 0.39%
|
|
|
Университет Малайя
3 цитирования, 0.39%
|
|
|
Научный Университет Малайзии
3 цитирования, 0.39%
|
|
|
Нанькайский университет
3 цитирования, 0.39%
|
|
|
Северо-Восточный университет
3 цитирования, 0.39%
|
|
|
Педагогический университет Шэньси
3 цитирования, 0.39%
|
|
|
Университетский колледж Лондона
3 цитирования, 0.39%
|
|
|
Бейрутский арабский университет
3 цитирования, 0.39%
|
|
|
Национальный университет Сингапура
3 цитирования, 0.39%
|
|
|
Аргоннская национальная лаборатория
3 цитирования, 0.39%
|
|
|
Ок-Риджская национальная лаборатория
3 цитирования, 0.39%
|
|
|
Автономный университет Мадрида
3 цитирования, 0.39%
|
|
|
Даляньский институт химической физики Китайской академии наук
3 цитирования, 0.39%
|
|
|
Институт физики Чешской академии наук
3 цитирования, 0.39%
|
|
|
Александрийский университет
3 цитирования, 0.39%
|
|
|
Университет Суррея
3 цитирования, 0.39%
|
|
|
Институт ядерной физики Польской академии наук
3 цитирования, 0.39%
|
|
|
Чешский технический университет в Праге
3 цитирования, 0.39%
|
|
|
Институт общей физики имени А.М. Прохорова РАН
2 цитирования, 0.26%
|
|
|
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
2 цитирования, 0.26%
|
|
|
Университет ИТМО
2 цитирования, 0.26%
|
|
Санкт-Петербургский Государственный Электротехнический Университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ленина
2 цитирования, 0.26%
|
|
|
Южный федеральный университет
2 цитирования, 0.26%
|
|
|
Объединённый институт ядерных исследований
2 цитирования, 0.26%
|
|
|
Санкт-Петербургский государственный университет
2 цитирования, 0.26%
|
|
|
Петербургский институт ядерной физики имени Б. П. Константинова
2 цитирования, 0.26%
|
|
|
Кабардино-Балкарский государственный университет имени Х. М. Бербекова
2 цитирования, 0.26%
|
|
|
Тверской государственный университет
2 цитирования, 0.26%
|
|
|
Карагандинский университет имени академика Е.А. Букетова
2 цитирования, 0.26%
|
|
|
Университет Наджра
2 цитирования, 0.26%
|
|
|
Таифский университет
2 цитирования, 0.26%
|
|
|
Университет принца Мохаммада бин Фахда
2 цитирования, 0.26%
|
|
|
Национальный технологический институт в Хамирпуре
2 цитирования, 0.26%
|
|
|
Саветский институт медицинских и технических наук
2 цитирования, 0.26%
|
|
|
Университет Азад Джамму и Кашмир
2 цитирования, 0.26%
|
|
|
Пекинский педагогический университет
2 цитирования, 0.26%
|
|
|
Институт науки и технологий SRM
2 цитирования, 0.26%
|
|
|
Университет нефти и энергетики
2 цитирования, 0.26%
|
|
|
Университет Йоги Вемана
2 цитирования, 0.26%
|
|
|
Джайнский университет
2 цитирования, 0.26%
|
|
|
Университет Цзилинь
2 цитирования, 0.26%
|
|
|
Университет Шиваджи
2 цитирования, 0.26%
|
|
|
Сианьский университет Цзяотун
2 цитирования, 0.26%
|
|
|
Северо-западный политехнический университет
2 цитирования, 0.26%
|
|
|
Технологический институт Карлсруэ
2 цитирования, 0.26%
|
|
|
Льежский университет
2 цитирования, 0.26%
|
|
|
Центральный южный университет
2 цитирования, 0.26%
|
|
|
Университет Фучжоу
2 цитирования, 0.26%
|
|
|
Национальный университет Сунь Ятсена
2 цитирования, 0.26%
|
|
|
Пекинский научно-технический университет
2 цитирования, 0.26%
|
|
|
Сидяньский университет
2 цитирования, 0.26%
|
|
|
Национальный институт материаловедения
2 цитирования, 0.26%
|
|
|
20
40
60
80
100
120
140
160
|
|
Цитирующие страны
- Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
- Статистика пересчитывается раз в сутки.
Направления исследований
Исследование влияния примесного состава на свойства полупроводниковых твердых растворов на основе CdTe
+
Лаборатория занимается исследованием влияния примесного состава на электрические, фотоэлектрические, механические и магнитные характеристики полупроводниковых кристаллов на основе CdTe. Исследуются проявления анизотропии структуры и свойств кристаллов, а также свойства разбавленных магнитных полупроводников на основе CdTe.
На рисунке петли гистерезиса образцов Cd0,995Zn0,005Te (a), Cd0,97Zn0,03Te (b) и Cd0,95Zn0,05Te (c) при температурах 2 и 300 К. На вставках показаны петли гистерезиса при 2 К с вычтенным диамагнитным вкладом решетки.
Получение микро- и наноструктур полупроводников, таких как CdTe, ZnO, SiC, NiО и т.д., а также характеризация полученных микро- и наноструктур
+
Разработка и оптимизация методик получения микро- и наноструктур полупроводников, таких как CdTe, Ga2O3, ZnO, SiC, NiO и т.д., а также характеризация полученных микро- и наноструктур. Выращиваемые наноструктуры являются перспективными материалами для создания функциональных элементов солнечных элементов, детекторов ионизирующего излучения, светодиодов, газовых сенсоров и элементов микроэлектроники.
Описываемые структуры выращиваются методами молекулярно-лучевой эпитакции, высоковакуумного термического напыления, магнетронного напыления, комплексом термических методов по механизму пар-жидкость-кристалл, а также электрохимии. Характеризация выращенных микро- и наноструктур осуществляется комплексом методов, имеющихся в распоряжении лаборатории.
Металл-полимерные композиты на основе полимерных трековых мембран и массивов нанопроволок
+
Синтез металл-полимерных композитов на основе полимерных трековых мембран и массивов нанопроволок различных составов (Fe, Ni, Cu, Co и сплавов на их основе, в том числе тройных сплавов и слоевых нанопроволок) методами электрохимии. Характеризация структуры и свойств полученных массивов наноструктур, таких, как магнитные, электрические и оптические свойства. Исследования микротвердости металл-полимерных композитов на основе полимерных трековых мембран и нанопроволок FeNi. Исследования особенностей синтеза и магнитных свойств нанопроволок из тройных сплавов. Исследования особенностей электрической анизотропии и перколяционных эффектов проводящих массивов.
Модификация структуры и свойств полупроводниковых соединений с помощью внешних воздействий
+
Исследование процессов модификации структуры и свойств полупроводниковых соединений с помощью внешних воздействий, таких как термическое воздействие, воздействия магнитных полей на примесную магнитную подрешетку, воздействие лазерного, плазменного и ионизирующего излучений.
На рисунке SEM-изображения толстой пленки ZnO: (a) Поперечное сечение выращенной пленки; (b) поверхность выращенной пленки; (c) поверхность обработанной плазмой пленки. Рисунки (b,c) дополнены данными EDX (на вставках).
Публикации и патенты
Найдено
Ничего не найдено, попробуйте изменить настройки фильтра.
Адрес лаборатории
Москва, Ленинский проспект, дом 59
Необходимо авторизоваться.