Заведующий лабораторией

Каневский Владимир Михайлович

д.ф.-м.н.
Публикаций
179
Цитирований
764
Индекс Хирша
13
Необходимо авторизоваться.

Лаборатория занимается исследованием процессов роста тонких пленок и неорганических наноструктур. Получением наноструктур полупроводниковых, композитных и металлических соединений, а также исследованием их структуры и свойств.

  1. Атомно-силовая микроскопия (АСМ)
  2. Микротвердость
  3. Рентгенофазовый анализ
  4. Сканирующая электронная микроскопия (СЭМ)
  5. Спектроскопия КР (Рамановская)
  6. Электрохимия
  7. Молекулярно-слоевое осаждение (Molecular layer deposition)
  8. Импульсные магнитные поля
  9. Кинетика фотопроводимости
  10. Спектроскопия
  11. Электрофизические измерения
  12. Энергодисперсионная спектроскопия
  13. Магнитометрия
  14. Вакуумно-термическое напыление
  15. Масс-спектрометрия

JCM-6000Plus, представляет собой многофункциональный настольный сканирующий микроскоп с сенсорной панелью управления, который отвечает разнообразным потребностям пользователей. JCM-6000Plus оснащен высокочувствительными полупроводниковыми детекторами, используемыми в высококлассных приборах, что упрощает получение информации о контрастности состава образца и обеспечивает эффективный анализ.

Подходит для проведения основных электрохимических экспериментов и методик. Этот прибор является идеальным выбором для оборудования студенческого практикума, либо других задач, когда требуется максимальная простота и неприхотливость в работе.

Профессиональный потенциостат-гальваностат PS-50 является бескомпромиссной разработкой, воплотившей в себе все лучшие возможности SmartStat. Одной из ключевых особенностей является наличие шестиэлектродной схемы подключения. Она может быть использована, например, для одновременной регистрации спектров импеданса катода и анода.

Основные особенности:

Потенциостат-гальваностат PS-50 внесен в Госреестр Средств Измерений, номер сертификата 88875-23

Шестиэлектродная схема подключения (2 AUX входа, синхронных с током и потенциалом) в базовой комплектации

Максимально широкий размах рабочих токов и потенциалов

Высококачественный импеданс 50 кГц с возможностью установки FRA до 1.5 МГц

Аналого-цифровой интерфейс SmartStat с двумя аналоговыми входами и цифровым выходом

Наличие IR-компенсации методом ПОС

Потенциостат поставляется с High-End ЦАП разрядностью 20 бит для максимально качественной развертки потенциала (минимальный шаг при синтезе развертки 10 мкВ).

Спектрофотометр UV-VIS PB 2201 ColorCheck – это высокоточный спектрофотометр, который применяется для измерения цветности прозрачных жидкостей или твердых тел. Измерение цветности является важной частью производственного процесса, тк является показателем типа и качества сырья и готовой продукции. Спектр применения прибора крайне широк: нефтехимическая промышленность, пищевая промышленность, химическая и фармацевтическая промышленность, легкая промышленность и др.

Автоматизированная установка для измерения термоэлектрических свойств в нанопленках СТН 300.600.3Omega. Установка предназначена для измерения коэффициента термо-ЭДС, электропроводности и коэффициента теплопроводности в нанопленках. Коэффициент теплопроводности в нанопленках измеряется с помощью 3 омега метода.

Установка оснащается автоматическим зондом и автоматизированным подложкодержателем. Загрузка подложек осуществляется вручную. Максимальный диаметр обрабатываемых пластин составляет 200 мм. Установка поставляется в комплекте с ПК и специализированным программным обеспечением для проведения измерений. Имеется функция картографирования пластины с заданием до 1225 точек (круглые, квадратные, произвольные карты), создания 2D/3D карт поверхности результатов измерений. Cresbox способна работать в разных режимах: плоские резы с известной толщиной (SLICE), удельное электрическое сопротивление (BULK), отношение V/I (электрическое сопротивление), поверхностное сопротивление (Sheet). Данное оборудование снабжено функцией автоматического изменения диапазона измерений, а также может самостоятельно проверять корректность работы. Для образцов из кремния есть возможность задать корректирование по параметрам температуры и толщины. Обширный диапазон рабочих материалов, практичный дизайн, простата эксплуатации, способность получать измерения по стандартам ASTM – все это делает возможным использование данного оборудования, как в научно-исследовательской сфере, так и при мелкосерийном производстве. Измеряемые материалы: Наноматериалы (углеродные нанотрубки, DLC, графен, серебряные нанопроволоки и т.д.) Полупроводники и материалы солнечных элементов (Si, poly-Si, SiC и т.д.) Тонкие проводящие пленки (металл, ITO, IZO т.д.) Легированные образцы, эпитаксиальные слоиответствии со стандартами ASTM (SEMI) Простота эксплуатации и практичный дизайн Возможность проведения работ с пластинами диаметром до 200 мм (опционально до 300 мм) Возможность проведения работ с прямоугольными и квадратными подложками Простота настройки измерений и возможно

Регистрация эмиссионных спектров различных элементов и дальнейшего расчета содержаний различных элементов на основе полученных спектральных данных.

Прибор для комплексного исследования физико-механических свойств в диапазоне нагрузок до 100 мН. Нанотвердомер оснащен оптическим микроскопом и моторизованным предметным столиком для позиционирования объекта исследования. Высокая степень автоматизации измерений позволяет существенно повысить производительность исследований.

Установка предназначена для проведения следующих экспериментов:

– исследование поверхностных процессов при молекулярно-лучевой эпитаксии на кристалле CdTe методом масс-спектрометрии in situ. Для измерения кинетических параметров используются модулированные молекулярные пучки Cd и Te2.

– изучение начальных стадий роста плёнки CdTe на сапфире и условия зарождения островков при МЛЭ из пучков Cd и Te2.

– исследования начальных стадий роста плёнки Te на сапфире и условия зарождения островков из пучка Te2.

Используемый измерительный комплекс отличается от типичной технологической установки МЛЭ. В камере роста имеются четыре источника молекулярных пучков, два из которых можно модулировать с частотой до 1 кГц. Потоки десорбции с поверхности кристалла регистрируются встроенным масс-спектрометром, что позволяет непосредственно измерять временные характеристики переходных процессов на поверхности кристалла. Знание этих характеристик даёт возможность определять параметры элементарных процессов взаимодействия молекулярных пучков с поверхностью твердых тел (концентрация адсорбированных частиц, время адсорбции, длина диффузионного пробега по поверхности). Именно эти параметры определяют режим роста плёнки, особенно на начальной стадии. Изучение начальных стадий роста плёнок, т. е. процессов происходящих на поверхности подложки при нанесении исходных компонентов получаемых плёнок, позволяет в дальнейшем управлять процессом роста и получать совершенные монокристаллические плёнки.

Процессы конденсации и испарения проходят в неравновесных условиях. Результаты наших экспериментов позволяют предложить модель и рассчитать некоторые кинетические параметры этих неравновесных процессов.

NTEGRA Spectra в расширенном варианте «зондовая микроскопия + оптическая микроспектроскопия» позволяет проводить измерения по отдельности методами СЗМ, конфокальной микроскопии, рамановской и фотолюминесцентной микроспектроскопии, а также исследовать один и тот же образец комбинированно и одновременно вышеуказанными методами, со сканированием образцом и/или зондом и/или фокусом лазера, с построением колокализованных карт любых собираемых сигналов, поточечно привязанных друг к другу. Система в расширенной конфигурации позволяет решать следующие экспериментальные задачи, дополнительно к базовому варианту: с нанометровым разрешением проводить измерения топографии и морфологии поверхности образца, а также его электрических, магнитных, механических и других локальных свойств методами атомно-силовой микроскопии; с нанометровым разрешением проводить измерения поверхности образца методами сканирующей туннельной микроскопии; реализовать с нанометровым разрешением измерения различных оптических характеристик поверхности образца методами сканирующей ближнепольной оптической микроскопии, апертурной и безапертурной; реализовать оптические/спектральные измерения с использованием различных эффектов волновой оптики, в частности, в режимах зондово-усиленной рамановской и фотолюминесцентной спектроскопии (TERS/TEPL), поточечно локально и с построением оптических спектральных карт, с пространственным разрешением

Оборудование позволяет получать информацию о поверхностной структуре материала с пространственным разрешением в нанометровом диапазоне (Исследование топографии, фазового распределения, локальной жесткости, измерение силы адгезии в различных областях материала и т.д.). Также предусматривает возможность изучения физических и химических свойств поверхности образца с большой точностью и высоким разрешением.

Предназначен для исследования нанобобъектов со сверхвысоким пространственным разрешением (до 0,1 нм по вертикали и до 1 нм по горизонтали). Solver PRO-M позволяет исследовать профиль поверхности образцов с площадью до 100x100 мкм.

Владимир Каневский
Заведующий лабораторией
Асваров Абил Шамсудинович
Абил Асваров
Ведущий научный сотрудник
Арсен Муслимов
Ведущий научный сотрудник
Дмитрий Загорский
Ведущий научный сотрудник
Людмила Задорожная
Ведущий научный сотрудник
Власов Василий Платонович
Василий Власов
Ведущий научный сотрудник
Иван Волчков 🥼 🤝
Старший научный сотрудник
Владимир Кварталов
Старший научный сотрудник
Михайлов Владимир Иванович
Владимир Михайлов
Старший научный сотрудник
Лавриков Александр Сергеевич
Александр Лавриков
Ведущий Инженер
Михаил Гиваргизов
Ведущий Инженер
Долуденко Илья М
Илья Долуденко
Научный сотрудник
Тарасов Андрей Петрович
Андрей Тарасов
Научный сотрудник
Сергей Бедин 🥼 🤝
Инженер
Дмитрий Панов
Младший научный сотрудник
Всего публикаций
177
Всего цитирований
763
Цитирований на публикацию
4.31
Среднее число публикаций в год
3.61
Годы публикаций
1976-2024 (49 лет)
h-index
13
i10-index
28
m-index
0.27
o-index
21
g-index
17
w-index
2
Описание метрик
h-index
Учёный имеет индекс h, если h из его N статей цитируются как минимум h раз каждая, в то время как оставшиеся (N - h) статей цитируются не более чем h раз каждая.
i10-index
Число статей автора, получивших не менее 10 ссылок каждая.
m-index
m-индекс ученого численно равен отношению его h-индекса к количеству лет, прошедших с момента первой публикации.
o-index
Среднее геометрическое h-индекса и числа цитирований наиболее цитируемой статьи ученого.
g-index
Для данного множества статей, отсортированного в порядке убывания количества цитирований, которые получили эти статьи, g-индекс это наибольшее число, такое что g самых цитируемых статей получили (суммарно) не менее g2 цитирований.
w-index
Если w статей ученого имеют не менее 10w цитирований каждая и другие статьи меньше, чем 10(w+1) цитирований, то w-индекс исследователя равен w.

Топ-100

Области наук

10
20
30
40
50
60
70
General Materials Science, 70, 39.55%
General Materials Science
70 публикаций, 39.55%
Condensed Matter Physics, 64, 36.16%
Condensed Matter Physics
64 публикации, 36.16%
General Chemistry, 54, 30.51%
General Chemistry
54 публикации, 30.51%
Surfaces, Coatings and Films, 29, 16.38%
Surfaces, Coatings and Films
29 публикаций, 16.38%
Physics and Astronomy (miscellaneous), 20, 11.3%
Physics and Astronomy (miscellaneous)
20 публикаций, 11.3%
Electronic, Optical and Magnetic Materials, 12, 6.78%
Electronic, Optical and Magnetic Materials
12 публикаций, 6.78%
Materials Chemistry, 9, 5.08%
Materials Chemistry
9 публикаций, 5.08%
Atomic and Molecular Physics, and Optics, 8, 4.52%
Atomic and Molecular Physics, and Optics
8 публикаций, 4.52%
Instrumentation, 7, 3.95%
Instrumentation
7 публикаций, 3.95%
Surfaces and Interfaces, 7, 3.95%
Surfaces and Interfaces
7 публикаций, 3.95%
General Physics and Astronomy, 6, 3.39%
General Physics and Astronomy
6 публикаций, 3.39%
Electrical and Electronic Engineering, 6, 3.39%
Electrical and Electronic Engineering
6 публикаций, 3.39%
General Engineering, 6, 3.39%
General Engineering
6 публикаций, 3.39%
Inorganic Chemistry, 5, 2.82%
Inorganic Chemistry
5 публикаций, 2.82%
Physical and Theoretical Chemistry, 4, 2.26%
Physical and Theoretical Chemistry
4 публикации, 2.26%
Metals and Alloys, 3, 1.69%
Metals and Alloys
3 публикации, 1.69%
General Medicine, 3, 1.69%
General Medicine
3 публикации, 1.69%
Materials Science (miscellaneous), 3, 1.69%
Materials Science (miscellaneous)
3 публикации, 1.69%
Radiology, Nuclear Medicine and imaging, 3, 1.69%
Radiology, Nuclear Medicine and imaging
3 публикации, 1.69%
Computer Science Applications, 2, 1.13%
Computer Science Applications
2 публикации, 1.13%
Statistical and Nonlinear Physics, 2, 1.13%
Statistical and Nonlinear Physics
2 публикации, 1.13%
Ceramics and Composites, 1, 0.56%
Ceramics and Composites
1 публикация, 0.56%
Catalysis, 1, 0.56%
Catalysis
1 публикация, 0.56%
Organic Chemistry, 1, 0.56%
Organic Chemistry
1 публикация, 0.56%
Spectroscopy, 1, 0.56%
Spectroscopy
1 публикация, 0.56%
Molecular Biology, 1, 0.56%
Molecular Biology
1 публикация, 0.56%
General Chemical Engineering, 1, 0.56%
General Chemical Engineering
1 публикация, 0.56%
Process Chemistry and Technology, 1, 0.56%
Process Chemistry and Technology
1 публикация, 0.56%
Mechanical Engineering, 1, 0.56%
Mechanical Engineering
1 публикация, 0.56%
Bioengineering, 1, 0.56%
Bioengineering
1 публикация, 0.56%
Geochemistry and Petrology, 1, 0.56%
Geochemistry and Petrology
1 публикация, 0.56%
Nuclear and High Energy Physics, 1, 0.56%
Nuclear and High Energy Physics
1 публикация, 0.56%
Biomedical Engineering, 1, 0.56%
Biomedical Engineering
1 публикация, 0.56%
Control and Systems Engineering, 1, 0.56%
Control and Systems Engineering
1 публикация, 0.56%
Fluid Flow and Transfer Processes, 1, 0.56%
Fluid Flow and Transfer Processes
1 публикация, 0.56%
Engineering (miscellaneous), 1, 0.56%
Engineering (miscellaneous)
1 публикация, 0.56%
10
20
30
40
50
60
70

Журналы

10
20
30
40
50
60
70
Crystallography Reports
61 публикация, 34.46%
Journal of Surface Investigation
25 публикаций, 14.12%
Technical Physics Letters
15 публикаций, 8.47%
Materials
10 публикаций, 5.65%
JETP Letters
7 публикаций, 3.95%
Coatings
5 публикаций, 2.82%
Nanotechnologies in Russia
3 публикации, 1.69%
Physics of the Solid State
3 публикации, 1.69%
Photonics
3 публикации, 1.69%
Optics and Spectroscopy (English translation of Optika i Spektroskopiya)
3 публикации, 1.69%
Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics
3 публикации, 1.69%
Russian Journal of Inorganic Chemistry
2 публикации, 1.13%
Quantum Electronics
2 публикации, 1.13%
Applied Physics
2 публикации, 1.13%
Inorganic Materials: Applied Research
2 публикации, 1.13%
Crystal Research and Technology
2 публикации, 1.13%
physica status solidi (c)
2 публикации, 1.13%
Nanobiotechnology Reports
2 публикации, 1.13%
Keldysh Institute Preprints
2 публикации, 1.13%
Micromachines
1 публикация, 0.56%
Computer Optics
1 публикация, 0.56%
Journal of Physics: Conference Series
1 публикация, 0.56%
EPJ Applied Physics
1 публикация, 0.56%
Metals
1 публикация, 0.56%
Inorganic Materials
1 публикация, 0.56%
IEEE Transactions on Magnetics
1 публикация, 0.56%
Journal of Applied Physics
1 публикация, 0.56%
Materials Chemistry and Physics
1 публикация, 0.56%
Journal of Rare Earths
1 публикация, 0.56%
Applied Surface Science
1 публикация, 0.56%
Instruments and Experimental Techniques
1 публикация, 0.56%
International Journal of Molecular Sciences
1 публикация, 0.56%
Journal of Crystal Growth
1 публикация, 0.56%
Russian Journal of Physical Chemistry B
1 публикация, 0.56%
Applied Sciences (Switzerland)
1 публикация, 0.56%
Technical Physics
1 публикация, 0.56%
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment
1 публикация, 0.56%
Thin Solid Films
1 публикация, 0.56%
Semiconductor Science and Technology
1 публикация, 0.56%
Ceramics
1 публикация, 0.56%
10
20
30
40
50
60
70

Цитирующие журналы

20
40
60
80
100
120
140
Crystallography Reports
129 цитирований, 16.91%
Materials
52 цитирования, 6.82%
Journal of Surface Investigation
36 цитирований, 4.72%
Журнал не определён, 24, 3.15%
Журнал не определён
24 цитирования, 3.15%
JETP Letters
24 цитирования, 3.15%
Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics
22 цитирования, 2.88%
Technical Physics Letters
19 цитирований, 2.49%
Applied Surface Science
13 цитирований, 1.7%
Photonics
13 цитирований, 1.7%
Coatings
11 цитирований, 1.44%
Journal of Applied Physics
10 цитирований, 1.31%
Journal of Physics: Conference Series
9 цитирований, 1.18%
Optical Materials
9 цитирований, 1.18%
Inorganic Materials: Applied Research
9 цитирований, 1.18%
Molecules
8 цитирований, 1.05%
Кристаллография
8 цитирований, 1.05%
ACS applied materials & interfaces
7 цитирований, 0.92%
Ceramics International
7 цитирований, 0.92%
Technical Physics
7 цитирований, 0.92%
Thin Solid Films
7 цитирований, 0.92%
Applied Physics A: Materials Science and Processing
6 цитирований, 0.79%
Journal of Materials Science: Materials in Electronics
6 цитирований, 0.79%
Crystal Research and Technology
6 цитирований, 0.79%
Известия Российской академии наук Серия физическая
6 цитирований, 0.79%
ACS Applied Nano Materials
5 цитирований, 0.66%
Vacuum
5 цитирований, 0.66%
Journal of Rare Earths
5 цитирований, 0.66%
Bulletin of the Lebedev Physics Institute
5 цитирований, 0.66%
Journal of Crystal Growth
5 цитирований, 0.66%
Russian Journal of Physical Chemistry B
5 цитирований, 0.66%
Optics and Spectroscopy (English translation of Optika i Spektroskopiya)
5 цитирований, 0.66%
Chemical Society Reviews
5 цитирований, 0.66%
SID Symposium Digest of Technical Papers
5 цитирований, 0.66%
Nanobiotechnology Reports
5 цитирований, 0.66%
Russian Journal of Inorganic Chemistry
4 цитирования, 0.52%
Micromachines
4 цитирования, 0.52%
Nanotechnologies in Russia
4 цитирования, 0.52%
Journal of Alloys and Compounds
4 цитирования, 0.52%
Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science
4 цитирования, 0.52%
Materials Chemistry and Physics
4 цитирования, 0.52%
Physica B: Condensed Matter
4 цитирования, 0.52%
Physics of Metals and Metallography
4 цитирования, 0.52%
Materials Advances
4 цитирования, 0.52%
Ceramics
4 цитирования, 0.52%
Journal of Materials Chemistry C
3 цитирования, 0.39%
Membranes
3 цитирования, 0.39%
AIP Advances
3 цитирования, 0.39%
Advanced Functional Materials
3 цитирования, 0.39%
Nanomaterials
3 цитирования, 0.39%
Solid State Sciences
3 цитирования, 0.39%
Journal of Magnetism and Magnetic Materials
3 цитирования, 0.39%
Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology
3 цитирования, 0.39%
Physics of the Solid State
3 цитирования, 0.39%
Crystals
3 цитирования, 0.39%
Nanotechnology
3 цитирования, 0.39%
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment
3 цитирования, 0.39%
Processes
3 цитирования, 0.39%
ACS Applied Electronic Materials
3 цитирования, 0.39%
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
3 цитирования, 0.39%
Materials Science Forum
2 цитирования, 0.26%
Nanoscale
2 цитирования, 0.26%
Journal of Chemical Physics
2 цитирования, 0.26%
Surfaces and Interfaces
2 цитирования, 0.26%
Journal of Laser Applications
2 цитирования, 0.26%
RSC Advances
2 цитирования, 0.26%
Quantum Electronics
2 цитирования, 0.26%
Applied Physics Letters
2 цитирования, 0.26%
Metals
2 цитирования, 0.26%
Chemical Physics Letters
2 цитирования, 0.26%
Materials Today Physics
2 цитирования, 0.26%
Acta Materialia
2 цитирования, 0.26%
Physical Review Materials
2 цитирования, 0.26%
Optics and Laser Technology
2 цитирования, 0.26%
Materials Science in Semiconductor Processing
2 цитирования, 0.26%
Journal of Physical Chemistry C
2 цитирования, 0.26%
Journal of Applied Crystallography
2 цитирования, 0.26%
Journal of the Ceramic Society of Japan
2 цитирования, 0.26%
Crystal Growth and Design
2 цитирования, 0.26%
Scientific Reports
2 цитирования, 0.26%
Scripta Materialia
2 цитирования, 0.26%
Plasmonics
2 цитирования, 0.26%
International Journal of Energy Research
2 цитирования, 0.26%
Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
2 цитирования, 0.26%
Journal of Semiconductors
2 цитирования, 0.26%
Journal of Electronic Materials
2 цитирования, 0.26%
Sensors
2 цитирования, 0.26%
Physica Scripta
2 цитирования, 0.26%
Journal of Physics and Chemistry of Solids
2 цитирования, 0.26%
Langmuir
2 цитирования, 0.26%
Semiconductor Science and Technology
2 цитирования, 0.26%
Journal of Physical Chemistry Letters
2 цитирования, 0.26%
Solar Energy
2 цитирования, 0.26%
Inorganic Chemistry Communication
2 цитирования, 0.26%
Russian Chemical Reviews
2 цитирования, 0.26%
Russian Microelectronics
2 цитирования, 0.26%
Journal of the American Ceramic Society
2 цитирования, 0.26%
Advanced Materials
2 цитирования, 0.26%
Физика металлов и металловедение
2 цитирования, 0.26%
Bulletin of the Moscow State Regional University (Physics and Mathematics)
2 цитирования, 0.26%
Journal of Environmental Chemical Engineering
1 цитирование, 0.13%
20
40
60
80
100
120
140

Издатели

20
40
60
80
100
120
140
Pleiades Publishing
130 публикаций, 73.45%
MDPI
23 публикации, 12.99%
Elsevier
5 публикаций, 2.82%
Wiley
4 публикации, 2.26%
IOP Publishing
4 публикации, 2.26%
Federal Informational-Analytical Center of the Defense Industry
2 публикации, 1.13%
Keldysh Institute of Applied Mathematics
2 публикации, 1.13%
EDP Sciences
1 публикация, 0.56%
AIP Publishing
1 публикация, 0.56%
Image Processing Systems Institute of RAS
1 публикация, 0.56%
Chinese Society of Rare Earths
1 публикация, 0.56%
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
1 публикация, 0.56%
20
40
60
80
100
120
140

Организации из публикаций

20
40
60
80
100
120
140
Институт кристаллографии имени А. В. Шубникова
136 публикаций, 76.84%
Курчатовский комплекс "Кристаллография и Фотоника"
129 публикаций, 72.88%
Институт физики им. Х.И. Амирханова ДФИЦ РАН
39 публикаций, 22.03%
Дагестанский федеральный исследовательский центр РАН
38 публикаций, 21.47%
Дагестанский государственный университет
32 публикации, 18.08%
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"
25 публикаций, 14.12%
Организация не определена, 15, 8.47%
Организация не определена
15 публикаций, 8.47%
Институт кристаллографии
15 публикаций, 8.47%
Объединенный институт высоких температур РАН
10 публикаций, 5.65%
Санкт-Петербургский Политехнический Университет Петра Великого
10 публикаций, 5.65%
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
7 публикаций, 3.95%
Московский физико-технический институт
5 публикаций, 2.82%
Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
5 публикаций, 2.82%
Институт радиотехники и электроники имени В.А. Котельникова РАН
5 публикаций, 2.82%
Российский Университет Дружбы Народов
5 публикаций, 2.82%
Институт прикладной математики имени М. В. Келдыша РАН
3 публикации, 1.69%
Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
2 публикации, 1.13%
Московский государственный технический университет им. Н. Э. Баумана
2 публикации, 1.13%
Кабардино-Балкарский государственный университет имени Х. М. Бербекова
2 публикации, 1.13%
Удмуртский Федеральный Исследовательский центр УрО РАН
2 публикации, 1.13%
Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований
2 публикации, 1.13%
Дагестанский государственный технический университет
2 публикации, 1.13%
Институт технической физики и материаловедения
2 публикации, 1.13%
Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова РАН
1 публикация, 0.56%
Институт химии твердого тела и механохимии СО РАН
1 публикация, 0.56%
Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН
1 публикация, 0.56%
Институт общей физики имени А.М. Прохорова РАН
1 публикация, 0.56%
Институт физики металлов имени М. Н. Михеева УрО РАН
1 публикация, 0.56%
Физико-технический институт УрО РАН
1 публикация, 0.56%
Институт материаловедения ДВО РАН
1 публикация, 0.56%
Физико-технологический институт имени К.А. Валиева
1 публикация, 0.56%
МИРЭА — Российский технологический университет
1 публикация, 0.56%
Новосибирский государственный технический университет
1 публикация, 0.56%
Московский энергетический институт
1 публикация, 0.56%
Российский химико-технологический университет имени Д. И. Менделеева
1 публикация, 0.56%
Московский педагогический государственный университет
1 публикация, 0.56%
Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М. И. Платова
1 публикация, 0.56%
Московский областной научно-исследовательский клинический институт имени М. Ф. Владимирского
1 публикация, 0.56%
Казанский физико-технический институт имени Е. К. Завойского КазНЦ РАН
1 публикация, 0.56%
Федеральный исследовательский центр проблем химической физики и медицинской химии РАН
1 публикация, 0.56%
Институт фотонных технологий
1 публикация, 0.56%
Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов
1 публикация, 0.56%
Государственный оптический институт имени С. И. Вавилова
1 публикация, 0.56%
Кабардино-Балкарский научный центр РАН
1 публикация, 0.56%
Институт информатики и проблем регионального управления КБНЦ РАН
1 публикация, 0.56%
Государственный университет просвещения
1 публикация, 0.56%
Институт Радиационных Проблем Министерства науки и образования республики Азербайджан
1 публикация, 0.56%
Технологический институт Карлсруэ
1 публикация, 0.56%
Льежский университет
1 публикация, 0.56%
European Synchrotron Radiation Facility
1 публикация, 0.56%
Ок-Риджская национальная лаборатория
1 публикация, 0.56%
Фрайбургский университет имени Альберта и Людвига
1 публикация, 0.56%
Немецкий Электронный Синхротрон
1 публикация, 0.56%
Юлихский исследовательский центр
1 публикация, 0.56%
Флоридский международный университет
1 публикация, 0.56%
Брненский технический университет
1 публикация, 0.56%
20
40
60
80
100
120
140

Страны из публикаций

20
40
60
80
100
120
140
160
180
Россия, 163, 92.09%
Россия
163 публикации, 92.09%
Страна не определена, 14, 7.91%
Страна не определена
14 публикаций, 7.91%
Украина, 2, 1.13%
Украина
2 публикации, 1.13%
США, 2, 1.13%
США
2 публикации, 1.13%
Венгрия, 2, 1.13%
Венгрия
2 публикации, 1.13%
СССР, 2, 1.13%
СССР
2 публикации, 1.13%
Германия, 1, 0.56%
Германия
1 публикация, 0.56%
Франция, 1, 0.56%
Франция
1 публикация, 0.56%
Азербайджан, 1, 0.56%
Азербайджан
1 публикация, 0.56%
Бельгия, 1, 0.56%
Бельгия
1 публикация, 0.56%
Чехия, 1, 0.56%
Чехия
1 публикация, 0.56%
20
40
60
80
100
120
140
160
180

Цитирующие организации

20
40
60
80
100
120
140
160
Курчатовский комплекс "Кристаллография и Фотоника"
146 цитирований, 19.13%
Институт кристаллографии имени А. В. Шубникова
120 цитирований, 15.73%
Организация не определена, 76, 9.96%
Организация не определена
76 цитирований, 9.96%
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"
43 цитирования, 5.64%
Дагестанский государственный университет
36 цитирований, 4.72%
Институт физики им. Х.И. Амирханова ДФИЦ РАН
34 цитирования, 4.46%
Дагестанский федеральный исследовательский центр РАН
33 цитирования, 4.33%
Институт кристаллографии
22 цитирования, 2.88%
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
19 цитирований, 2.49%
Московский педагогический государственный университет
15 цитирований, 1.97%
Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
12 цитирований, 1.57%
Объединенный институт высоких температур РАН
12 цитирований, 1.57%
Санкт-Петербургский Политехнический Университет Петра Великого
12 цитирований, 1.57%
Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН
10 цитирований, 1.31%
Российский Университет Дружбы Народов
10 цитирований, 1.31%
Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
9 цитирований, 1.18%
Балтийский Федеральный Университет имени Иммануила Канта
8 цитирований, 1.05%
Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина
7 цитирований, 0.92%
Московский физико-технический институт
6 цитирований, 0.79%
Московский государственный технический университет им. Н. Э. Баумана
6 цитирований, 0.79%
Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН
5 цитирований, 0.66%
Институт радиотехники и электроники имени В.А. Котельникова РАН
5 цитирований, 0.66%
Технион - израильский технологический институт
5 цитирований, 0.66%
Национальный университет Ян Мин Цзяотун
5 цитирований, 0.66%
Федеральный исследовательский центр химической физики им. Н.Н. Семёнова РАН
4 цитирования, 0.52%
Сибирский Федеральный Университет
4 цитирования, 0.52%
МИРЭА — Российский технологический университет
4 цитирования, 0.52%
ФИЦ "Красноярский научный центр" СО РАН
4 цитирования, 0.52%
Институт фотонных технологий
4 цитирования, 0.52%
Государственный университет просвещения
4 цитирования, 0.52%
Университет короля Сауда
4 цитирования, 0.52%
Чжэцзянский университет
4 цитирования, 0.52%
Университет Лотарингии
4 цитирования, 0.52%
European Synchrotron Radiation Facility
4 цитирования, 0.52%
Кембриджский университет
4 цитирования, 0.52%
Университет Южной Дании
4 цитирования, 0.52%
Шаньдунский университет
4 цитирования, 0.52%
Немецкий Электронный Синхротрон
4 цитирования, 0.52%
Казанский научный центр РАН
3 цитирования, 0.39%
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
3 цитирования, 0.39%
Институт физики металлов имени М. Н. Михеева УрО РАН
3 цитирования, 0.39%
Российский химико-технологический университет имени Д. И. Менделеева
3 цитирования, 0.39%
Казанский физико-технический институт имени Е. К. Завойского КазНЦ РАН
3 цитирования, 0.39%
Институт химии новых материалов НАН Беларуси
3 цитирования, 0.39%
Федеральный исследовательский центр проблем химической физики и медицинской химии РАН
3 цитирования, 0.39%
Сибирский государственный университет науки и технологий им. М.Ф. Решетнева
3 цитирования, 0.39%
Государственный оптический институт имени С. И. Вавилова
3 цитирования, 0.39%
Научно-технологический университет имени короля Абдаллы
3 цитирования, 0.39%
Исламийский колледж в Пешаваре
3 цитирования, 0.39%
Университет Малайя
3 цитирования, 0.39%
Научный Университет Малайзии
3 цитирования, 0.39%
Нанькайский университет
3 цитирования, 0.39%
Северо-Восточный университет
3 цитирования, 0.39%
Педагогический университет Шэньси
3 цитирования, 0.39%
Университетский колледж Лондона
3 цитирования, 0.39%
Бейрутский арабский университет
3 цитирования, 0.39%
Национальный университет Сингапура
3 цитирования, 0.39%
Аргоннская национальная лаборатория
3 цитирования, 0.39%
Ок-Риджская национальная лаборатория
3 цитирования, 0.39%
Автономный университет Мадрида
3 цитирования, 0.39%
Даляньский институт химической физики Китайской академии наук
3 цитирования, 0.39%
Институт физики Чешской академии наук
3 цитирования, 0.39%
Александрийский университет
3 цитирования, 0.39%
Университет Суррея
3 цитирования, 0.39%
Институт ядерной физики Польской академии наук
3 цитирования, 0.39%
Чешский технический университет в Праге
3 цитирования, 0.39%
Институт общей физики имени А.М. Прохорова РАН
2 цитирования, 0.26%
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
2 цитирования, 0.26%
Университет ИТМО
2 цитирования, 0.26%
Санкт-Петербургский Государственный Электротехнический Университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ленина
2 цитирования, 0.26%
Южный федеральный университет
2 цитирования, 0.26%
Объединённый институт ядерных исследований
2 цитирования, 0.26%
Санкт-Петербургский государственный университет
2 цитирования, 0.26%
Петербургский институт ядерной физики имени Б. П. Константинова
2 цитирования, 0.26%
Кабардино-Балкарский государственный университет имени Х. М. Бербекова
2 цитирования, 0.26%
Тверской государственный университет
2 цитирования, 0.26%
Карагандинский университет имени академика Е.А. Букетова
2 цитирования, 0.26%
Университет Наджра
2 цитирования, 0.26%
Таифский университет
2 цитирования, 0.26%
Университет принца Мохаммада бин Фахда
2 цитирования, 0.26%
Национальный технологический институт в Хамирпуре
2 цитирования, 0.26%
Саветский институт медицинских и технических наук
2 цитирования, 0.26%
Университет Азад Джамму и Кашмир
2 цитирования, 0.26%
Пекинский педагогический университет
2 цитирования, 0.26%
Институт науки и технологий SRM
2 цитирования, 0.26%
Университет нефти и энергетики
2 цитирования, 0.26%
Университет Йоги Вемана
2 цитирования, 0.26%
Джайнский университет
2 цитирования, 0.26%
Университет Цзилинь
2 цитирования, 0.26%
Университет Шиваджи
2 цитирования, 0.26%
Сианьский университет Цзяотун
2 цитирования, 0.26%
Северо-западный политехнический университет
2 цитирования, 0.26%
Технологический институт Карлсруэ
2 цитирования, 0.26%
Льежский университет
2 цитирования, 0.26%
Центральный южный университет
2 цитирования, 0.26%
Университет Фучжоу
2 цитирования, 0.26%
Национальный университет Сунь Ятсена
2 цитирования, 0.26%
Пекинский научно-технический университет
2 цитирования, 0.26%
Сидяньский университет
2 цитирования, 0.26%
Национальный институт материаловедения
2 цитирования, 0.26%
20
40
60
80
100
120
140
160

Цитирующие страны

50
100
150
200
250
Россия, 243, 31.85%
Россия
243 цитирования, 31.85%
Китай, 82, 10.75%
Китай
82 цитирования, 10.75%
Страна не определена, 63, 8.26%
Страна не определена
63 цитирования, 8.26%
Германия, 20, 2.62%
Германия
20 цитирований, 2.62%
США, 19, 2.49%
США
19 цитирований, 2.49%
Индия, 18, 2.36%
Индия
18 цитирований, 2.36%
Франция, 17, 2.23%
Франция
17 цитирований, 2.23%
Саудовская Аравия, 15, 1.97%
Саудовская Аравия
15 цитирований, 1.97%
Япония, 15, 1.97%
Япония
15 цитирований, 1.97%
Великобритания, 13, 1.7%
Великобритания
13 цитирований, 1.7%
Украина, 12, 1.57%
Украина
12 цитирований, 1.57%
Малайзия, 9, 1.18%
Малайзия
9 цитирований, 1.18%
Испания, 8, 1.05%
Испания
8 цитирований, 1.05%
Канада, 8, 1.05%
Канада
8 цитирований, 1.05%
Польша, 8, 1.05%
Польша
8 цитирований, 1.05%
Республика Корея, 8, 1.05%
Республика Корея
8 цитирований, 1.05%
Египет, 7, 0.92%
Египет
7 цитирований, 0.92%
Италия, 7, 0.92%
Италия
7 цитирований, 0.92%
Беларусь, 6, 0.79%
Беларусь
6 цитирований, 0.79%
Казахстан, 5, 0.66%
Казахстан
5 цитирований, 0.66%
Австралия, 5, 0.66%
Австралия
5 цитирований, 0.66%
Вьетнам, 5, 0.66%
Вьетнам
5 цитирований, 0.66%
Израиль, 5, 0.66%
Израиль
5 цитирований, 0.66%
Пакистан, 5, 0.66%
Пакистан
5 цитирований, 0.66%
Словакия, 5, 0.66%
Словакия
5 цитирований, 0.66%
Бельгия, 4, 0.52%
Бельгия
4 цитирования, 0.52%
Бразилия, 4, 0.52%
Бразилия
4 цитирования, 0.52%
Дания, 4, 0.52%
Дания
4 цитирования, 0.52%
Иран, 4, 0.52%
Иран
4 цитирования, 0.52%
Мексика, 4, 0.52%
Мексика
4 цитирования, 0.52%
Чехия, 4, 0.52%
Чехия
4 цитирования, 0.52%
Алжир, 3, 0.39%
Алжир
3 цитирования, 0.39%
Индонезия, 3, 0.39%
Индонезия
3 цитирования, 0.39%
Ливан, 3, 0.39%
Ливан
3 цитирования, 0.39%
Нигерия, 3, 0.39%
Нигерия
3 цитирования, 0.39%
Румыния, 3, 0.39%
Румыния
3 цитирования, 0.39%
Сингапур, 3, 0.39%
Сингапур
3 цитирования, 0.39%
Турция, 3, 0.39%
Турция
3 цитирования, 0.39%
СССР, 3, 0.39%
СССР
3 цитирования, 0.39%
Болгария, 2, 0.26%
Болгария
2 цитирования, 0.26%
Греция, 2, 0.26%
Греция
2 цитирования, 0.26%
Молдова, 2, 0.26%
Молдова
2 цитирования, 0.26%
Тунис, 2, 0.26%
Тунис
2 цитирования, 0.26%
Финляндия, 2, 0.26%
Финляндия
2 цитирования, 0.26%
Швеция, 2, 0.26%
Швеция
2 цитирования, 0.26%
ЮАР, 2, 0.26%
ЮАР
2 цитирования, 0.26%
Тайвань, 2, 0.26%
Тайвань
2 цитирования, 0.26%
Португалия, 1, 0.13%
Португалия
1 цитирование, 0.13%
Австрия, 1, 0.13%
Австрия
1 цитирование, 0.13%
Азербайджан, 1, 0.13%
Азербайджан
1 цитирование, 0.13%
Аргентина, 1, 0.13%
Аргентина
1 цитирование, 0.13%
Бангладеш, 1, 0.13%
Бангладеш
1 цитирование, 0.13%
Бруней-Даруссалам, 1, 0.13%
Бруней-Даруссалам
1 цитирование, 0.13%
Грузия, 1, 0.13%
Грузия
1 цитирование, 0.13%
Ирак, 1, 0.13%
Ирак
1 цитирование, 0.13%
КНДР, 1, 0.13%
КНДР
1 цитирование, 0.13%
Колумбия, 1, 0.13%
Колумбия
1 цитирование, 0.13%
Кувейт, 1, 0.13%
Кувейт
1 цитирование, 0.13%
Латвия, 1, 0.13%
Латвия
1 цитирование, 0.13%
Литва, 1, 0.13%
Литва
1 цитирование, 0.13%
Нидерланды, 1, 0.13%
Нидерланды
1 цитирование, 0.13%
Норвегия, 1, 0.13%
Норвегия
1 цитирование, 0.13%
ОАЭ, 1, 0.13%
ОАЭ
1 цитирование, 0.13%
Словения, 1, 0.13%
Словения
1 цитирование, 0.13%
Судан, 1, 0.13%
Судан
1 цитирование, 0.13%
Таджикистан, 1, 0.13%
Таджикистан
1 цитирование, 0.13%
Таиланд, 1, 0.13%
Таиланд
1 цитирование, 0.13%
Узбекистан, 1, 0.13%
Узбекистан
1 цитирование, 0.13%
Чили, 1, 0.13%
Чили
1 цитирование, 0.13%
Швейцария, 1, 0.13%
Швейцария
1 цитирование, 0.13%
50
100
150
200
250
  • Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
  • Статистика пересчитывается раз в сутки.

Направления исследований

Исследование влияния примесного состава на свойства полупроводниковых твердых растворов на основе CdTe

+
Исследование влияния примесного состава на свойства полупроводниковых твердых растворов на основе CdTe
Лаборатория занимается исследованием влияния примесного состава на электрические, фотоэлектрические, механические и магнитные характеристики полупроводниковых кристаллов на основе CdTe. Исследуются проявления анизотропии структуры и свойств кристаллов, а также свойства разбавленных магнитных полупроводников на основе CdTe. На рисунке петли гистерезиса образцов Cd0,995Zn0,005Te (a), Cd0,97Zn0,03Te (b) и Cd0,95Zn0,05Te (c) при температурах 2 и 300 К. На вставках показаны петли гистерезиса при 2 К с вычтенным диамагнитным вкладом решетки.

Получение микро- и наноструктур полупроводников, таких как CdTe, ZnO, SiC, NiО и т.д., а также характеризация полученных микро- и наноструктур

+
Получение микро- и наноструктур полупроводников, таких как CdTe, ZnO, SiC, NiО и т.д., а также характеризация полученных микро- и наноструктур
Разработка и оптимизация методик получения микро- и наноструктур полупроводников, таких как CdTe, Ga2O3, ZnO, SiC, NiO и т.д., а также характеризация полученных микро- и наноструктур. Выращиваемые наноструктуры являются перспективными материалами для создания функциональных элементов солнечных элементов, детекторов ионизирующего излучения, светодиодов, газовых сенсоров и элементов микроэлектроники. Описываемые структуры выращиваются методами молекулярно-лучевой эпитакции, высоковакуумного термического напыления, магнетронного напыления, комплексом термических методов по механизму пар-жидкость-кристалл, а также электрохимии. Характеризация выращенных микро- и наноструктур осуществляется комплексом методов, имеющихся в распоряжении лаборатории.

Металл-полимерные композиты на основе полимерных трековых мембран и массивов нанопроволок

+
Металл-полимерные композиты на основе полимерных трековых мембран и массивов нанопроволок
Синтез металл-полимерных композитов на основе полимерных трековых мембран и массивов нанопроволок различных составов (Fe, Ni, Cu, Co и сплавов на их основе, в том числе тройных сплавов и слоевых нанопроволок) методами электрохимии. Характеризация структуры и свойств полученных массивов наноструктур, таких, как магнитные, электрические и оптические свойства. Исследования микротвердости металл-полимерных композитов на основе полимерных трековых мембран и нанопроволок FeNi. Исследования особенностей синтеза и магнитных свойств нанопроволок из тройных сплавов. Исследования особенностей электрической анизотропии и перколяционных эффектов проводящих массивов.

Модификация структуры и свойств полупроводниковых соединений с помощью внешних воздействий

+
Модификация структуры и свойств полупроводниковых соединений с помощью внешних воздействий
Исследование процессов модификации структуры и свойств полупроводниковых соединений с помощью внешних воздействий, таких как термическое воздействие, воздействия магнитных полей на примесную магнитную подрешетку, воздействие лазерного, плазменного и ионизирующего излучений. На рисунке SEM-изображения толстой пленки ZnO: (a) Поперечное сечение выращенной пленки; (b) поверхность выращенной пленки; (c) поверхность обработанной плазмой пленки. Рисунки (b,c) дополнены данными EDX (на вставках).

Публикации и патенты

Адрес лаборатории

Москва, Ленинский проспект, дом 59
Необходимо авторизоваться.