Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН

Лаборатория локальной диагностики полупроводниковых материалов

Материаловедение Физика твердого тела

0000-0001-8100-879X

7004924417

C-2479-2014

Заведующий лабораторией

Якимов Е Б

Публикаций

357

Цитирований

3 628

Индекс Хирша

0000-0001-8100-879X

7004924417

C-2479-2014

Необходимо авторизоваться.

Сайт лаборатории

Основная тема: Материаловедение полупроводниковых материалов Диагностика полупроводниковых и сегнетоэлектрических материалов Электронно-лучевая томография в РЭМ. Содержание проводимых исследований: Исследование природы и свойств водородсодержащих дефектов в Si; Исследования полупроводниковых структур на основе кремния, нитрида галлия и узкозонных полупроводников методом наведенного тока в РЭМ; Исследование свойств протяженных дефектов в кремнии и нитриде галлия; Развитие методов растровой электронной микроскопии и электронно-лучевой томографии; Развитие методов диагностики сегнетоэлектриков в РЭМ; Диагностика фоторезисторов на основе соединений ртуть-кадмий-теллур методом наведенного тока.

Метод наведенного тока
Сканирующая электронная микроскопия (СЭМ)

Е Якимов

Заведующий лабораторией

Павел Сорокин 🥼 🤝

Ведущий научный сотрудник

Анатолий Мололкин 🥼 🤝

Инженер-исследователь

Реза Алиасгари

Лаборант-исследователь

Никита Митюшев 🤝

Лаборант-исследователь

Всего публикаций

Всего цитирований

174

Цитирований на публикацию

Среднее число публикаций в год

1.2

Годы публикаций

2015-2019 (5 лет)

h-index

i10-index

m-index

1.2

o-index

g-index

w-index

Описание метрик

h-index

Учёный имеет индекс h, если h из его N статей цитируются как минимум h раз каждая, в то время как оставшиеся (N - h) статей цитируются не более чем h раз каждая.

https://www.pnas.org/doi/full/10.1073/pnas.0507655102

i10-index

Число статей автора, получивших не менее 10 ссылок каждая.

https://scholar.googleblog.com/2011/11/google-scholar-citations-open-to-all.html

m-index

m-индекс ученого численно равен отношению его h-индекса к количеству лет, прошедших с момента первой публикации.

https://harzing.com/publications/white-papers/reflections-on-the-h-index

o-index

Среднее геометрическое h-индекса и числа цитирований наиболее цитируемой статьи ученого.

https://arxiv.org/abs/1511.01545

g-index

Для данного множества статей, отсортированного в порядке убывания количества цитирований, которые получили эти статьи, g-индекс это наибольшее число, такое что g самых цитируемых статей получили (суммарно) не менее g² цитирований.

https://doi.org/10.1007/s11192-006-0144-7

w-index

Если w статей ученого имеют не менее 10w цитирований каждая и другие статьи меньше, чем 10(w+1) цитирований, то w-индекс исследователя равен w.

https://doi.org/10.1002/asi.21276

Топ-100

Области наук

	1 2 3
Metals and Alloys	Metals and Alloys, 3, 50% Metals and Alloys 3 публикации, 50%
Materials Chemistry	Materials Chemistry, 2, 33.33% Materials Chemistry 2 публикации, 33.33%
Mechanical Engineering	Mechanical Engineering, 2, 33.33% Mechanical Engineering 2 публикации, 33.33%
Mechanics of Materials	Mechanics of Materials, 2, 33.33% Mechanics of Materials 2 публикации, 33.33%
Ceramics and Composites	Ceramics and Composites, 1, 16.67% Ceramics and Composites 1 публикация, 16.67%
Electronic, Optical and Magnetic Materials	Electronic, Optical and Magnetic Materials, 1, 16.67% Electronic, Optical and Magnetic Materials 1 публикация, 16.67%
General Physics and Astronomy	General Physics and Astronomy, 1, 16.67% General Physics and Astronomy 1 публикация, 16.67%
Polymers and Plastics	Polymers and Plastics, 1, 16.67% Polymers and Plastics 1 публикация, 16.67%
Physics and Astronomy (miscellaneous)	Physics and Astronomy (miscellaneous), 1, 16.67% Physics and Astronomy (miscellaneous) 1 публикация, 16.67%
Radiation	Radiation, 1, 16.67% Radiation 1 публикация, 16.67%
	1 2 3

Журналы

	1 2
Journal of Alloys and Compounds	Journal of Alloys and Compounds, 2, 33.33% Journal of Alloys and Compounds 2 публикации, 33.33%
Applied Physics Letters	Applied Physics Letters, 1, 16.67% Applied Physics Letters 1 публикация, 16.67%
Acta Materialia	Acta Materialia, 1, 16.67% Acta Materialia 1 публикация, 16.67%
Journal of Applied Physics	Journal of Applied Physics, 1, 16.67% Journal of Applied Physics 1 публикация, 16.67%
Applied Radiation and Isotopes	Applied Radiation and Isotopes, 1, 16.67% Applied Radiation and Isotopes 1 публикация, 16.67%
	1 2

Цитирующие журналы

	5 10 15 20 25
Journal of Applied Physics	Journal of Applied Physics, 21, 12.07% Journal of Applied Physics 21 цитирование, 12.07%
ECS Journal of Solid State Science and Technology	ECS Journal of Solid State Science and Technology, 13, 7.47% ECS Journal of Solid State Science and Technology 13 цитирований, 7.47%
Journal of Alloys and Compounds	Journal of Alloys and Compounds, 11, 6.32% Journal of Alloys and Compounds 11 цитирований, 6.32%
Applied Physics Letters	Applied Physics Letters, 9, 5.17% Applied Physics Letters 9 цитирований, 5.17%
Journal Physics D: Applied Physics	Journal Physics D: Applied Physics, 9, 5.17% Journal Physics D: Applied Physics 9 цитирований, 5.17%
Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science	Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, 8, 4.6% Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science 8 цитирований, 4.6%
Crystallography Reports	Crystallography Reports, 8, 4.6% Crystallography Reports 8 цитирований, 4.6%
Journal of Surface Investigation	Journal of Surface Investigation, 6, 3.45% Journal of Surface Investigation 6 цитирований, 3.45%
Applied Radiation and Isotopes	Applied Radiation and Isotopes, 6, 3.45% Applied Radiation and Isotopes 6 цитирований, 3.45%
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes	Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes, 5, 2.87% Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes 5 цитирований, 2.87%
Journal of Electronic Materials	Journal of Electronic Materials, 5, 2.87% Journal of Electronic Materials 5 цитирований, 2.87%
Energies	Energies, 5, 2.87% Energies 5 цитирований, 2.87%
Micromachines	Micromachines, 4, 2.3% Micromachines 4 цитирования, 2.3%
Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films	Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films, 4, 2.3% Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films 4 цитирования, 2.3%
Physica Status Solidi (B): Basic Research	Physica Status Solidi (B): Basic Research, 4, 2.3% Physica Status Solidi (B): Basic Research 4 цитирования, 2.3%
AIP Advances	AIP Advances, 3, 1.72% AIP Advances 3 цитирования, 1.72%
Physical Review Applied	Physical Review Applied, 3, 1.72% Physical Review Applied 3 цитирования, 1.72%
Superlattices and Microstructures	Superlattices and Microstructures, 3, 1.72% Superlattices and Microstructures 3 цитирования, 1.72%
IEEE Transactions on Electron Devices	IEEE Transactions on Electron Devices, 3, 1.72% IEEE Transactions on Electron Devices 3 цитирования, 1.72%
Applied Physics Reviews	Applied Physics Reviews, 2, 1.15% Applied Physics Reviews 2 цитирования, 1.15%
IEEE Electron Device Letters	IEEE Electron Device Letters, 2, 1.15% IEEE Electron Device Letters 2 цитирования, 1.15%
Materials Science in Semiconductor Processing	Materials Science in Semiconductor Processing, 2, 1.15% Materials Science in Semiconductor Processing 2 цитирования, 1.15%
Vacuum	Vacuum, 2, 1.15% Vacuum 2 цитирования, 1.15%
Scripta Materialia	Scripta Materialia, 2, 1.15% Scripta Materialia 2 цитирования, 1.15%
Semiconductors	Semiconductors, 2, 1.15% Semiconductors 2 цитирования, 1.15%
Materials	Materials, 2, 1.15% Materials 2 цитирования, 1.15%
Журнал не определён	Журнал не определён, 1, 0.57% Журнал не определён 1 цитирование, 0.57%
Advanced Materials Technologies	Advanced Materials Technologies, 1, 0.57% Advanced Materials Technologies 1 цитирование, 0.57%
Microscopy and Microanalysis	Microscopy and Microanalysis, 1, 0.57% Microscopy and Microanalysis 1 цитирование, 0.57%
Radiation Measurements	Radiation Measurements, 1, 0.57% Radiation Measurements 1 цитирование, 0.57%
APL Materials	APL Materials, 1, 0.57% APL Materials 1 цитирование, 0.57%
Optics Express	Optics Express, 1, 0.57% Optics Express 1 цитирование, 0.57%
Nanomaterials	Nanomaterials, 1, 0.57% Nanomaterials 1 цитирование, 0.57%
Nano Letters	Nano Letters, 1, 0.57% Nano Letters 1 цитирование, 0.57%
Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology	Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology, 1, 0.57% Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology 1 цитирование, 0.57%
Journal of Materials Science	Journal of Materials Science, 1, 0.57% Journal of Materials Science 1 цитирование, 0.57%
Materials Chemistry and Physics	Materials Chemistry and Physics, 1, 0.57% Materials Chemistry and Physics 1 цитирование, 0.57%
Modelling and Simulation in Materials Science and Engineering	Modelling and Simulation in Materials Science and Engineering, 1, 0.57% Modelling and Simulation in Materials Science and Engineering 1 цитирование, 0.57%
Scientific Reports	Scientific Reports, 1, 0.57% Scientific Reports 1 цитирование, 0.57%
Diamond and Related Materials	Diamond and Related Materials, 1, 0.57% Diamond and Related Materials 1 цитирование, 0.57%
Radiation Physics and Chemistry	Radiation Physics and Chemistry, 1, 0.57% Radiation Physics and Chemistry 1 цитирование, 0.57%
Applied Sciences (Switzerland)	Applied Sciences (Switzerland), 1, 0.57% Applied Sciences (Switzerland) 1 цитирование, 0.57%
Modern Physics Letters A	Modern Physics Letters A, 1, 0.57% Modern Physics Letters A 1 цитирование, 0.57%
Physica Scripta	Physica Scripta, 1, 0.57% Physica Scripta 1 цитирование, 0.57%
Semiconductor Science and Technology	Semiconductor Science and Technology, 1, 0.57% Semiconductor Science and Technology 1 цитирование, 0.57%
AIP Conference Proceedings	AIP Conference Proceedings, 1, 0.57% AIP Conference Proceedings 1 цитирование, 0.57%
Journal of Applied Spectroscopy	Journal of Applied Spectroscopy, 1, 0.57% Journal of Applied Spectroscopy 1 цитирование, 0.57%
Journal of Physical Chemistry Letters	Journal of Physical Chemistry Letters, 1, 0.57% Journal of Physical Chemistry Letters 1 цитирование, 0.57%
Materials Science & Engineering A: Structural Materials: Properties, Microstructure and Processing	Materials Science & Engineering A: Structural Materials: Properties, Microstructure and Processing, 1, 0.57% Materials Science & Engineering A: Structural Materials: Properties, Microstructure and Processing 1 цитирование, 0.57%
Applied Physics Express	Applied Physics Express, 1, 0.57% Applied Physics Express 1 цитирование, 0.57%
Technical Physics Letters	Technical Physics Letters, 1, 0.57% Technical Physics Letters 1 цитирование, 0.57%
Physical Review B	Physical Review B, 1, 0.57% Physical Review B 1 цитирование, 0.57%
Modern Electronic Materials	Modern Electronic Materials, 1, 0.57% Modern Electronic Materials 1 цитирование, 0.57%
Applied Microscopy	Applied Microscopy, 1, 0.57% Applied Microscopy 1 цитирование, 0.57%
Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering	Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering, 1, 0.57% Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering 1 цитирование, 0.57%
The Materials Research Society Series	The Materials Research Society Series, 1, 0.57% The Materials Research Society Series 1 цитирование, 0.57%

	5 10 15 20 25

Издатели

	1 2 3 4
Elsevier	Elsevier, 4, 66.67% Elsevier 4 публикации, 66.67%
AIP Publishing	AIP Publishing, 2, 33.33% AIP Publishing 2 публикации, 33.33%
	1 2 3 4

Организации из публикаций

	1 2 3 4 5
Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»	Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 5, 83.33% Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС» 5 публикаций, 83.33%
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН	Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 5, 83.33% Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН 5 публикаций, 83.33%
Университет Корё	Университет Корё, 2, 33.33% Университет Корё 2 публикации, 33.33%
Университет Флориды	Университет Флориды, 2, 33.33% Университет Флориды 2 публикации, 33.33%
Университет Экс-Марсель	Университет Экс-Марсель, 1, 16.67% Университет Экс-Марсель 1 публикация, 16.67%
Национальный университет Чонбук	Национальный университет Чонбук, 1, 16.67% Национальный университет Чонбук 1 публикация, 16.67%
Тулонский университет	Тулонский университет, 1, 16.67% Тулонский университет 1 публикация, 16.67%
	1 2 3 4 5

Страны из публикаций

	1 2 3 4 5 6
Россия	Россия, 6, 100% Россия 6 публикаций, 100%
Республика Корея	Республика Корея, 3, 50% Республика Корея 3 публикации, 50%
США	США, 2, 33.33% США 2 публикации, 33.33%
Франция	Франция, 1, 16.67% Франция 1 публикация, 16.67%
	1 2 3 4 5 6

Цитирующие организации

Цитирующие страны

	10 20 30 40 50 60 70
Россия	Россия, 64, 36.78% Россия 64 цитирования, 36.78%
США	США, 43, 24.71% США 43 цитирования, 24.71%
Республика Корея	Республика Корея, 19, 10.92% Республика Корея 19 цитирований, 10.92%
Страна не определена	Страна не определена, 15, 8.62% Страна не определена 15 цитирований, 8.62%
Китай	Китай, 11, 6.32% Китай 11 цитирований, 6.32%
Германия	Германия, 9, 5.17% Германия 9 цитирований, 5.17%
Япония	Япония, 6, 3.45% Япония 6 цитирований, 3.45%
Великобритания	Великобритания, 4, 2.3% Великобритания 4 цитирования, 2.3%
Словакия	Словакия, 3, 1.72% Словакия 3 цитирования, 1.72%
Франция	Франция, 2, 1.15% Франция 2 цитирования, 1.15%
Алжир	Алжир, 2, 1.15% Алжир 2 цитирования, 1.15%
Индия	Индия, 2, 1.15% Индия 2 цитирования, 1.15%
Италия	Италия, 2, 1.15% Италия 2 цитирования, 1.15%
Литва	Литва, 2, 1.15% Литва 2 цитирования, 1.15%
Мексика	Мексика, 2, 1.15% Мексика 2 цитирования, 1.15%
Турция	Турция, 2, 1.15% Турция 2 цитирования, 1.15%
Чехия	Чехия, 2, 1.15% Чехия 2 цитирования, 1.15%
Швейцария	Швейцария, 2, 1.15% Швейцария 2 цитирования, 1.15%
Украина	Украина, 1, 0.57% Украина 1 цитирование, 0.57%
Бельгия	Бельгия, 1, 0.57% Бельгия 1 цитирование, 0.57%
Болгария	Болгария, 1, 0.57% Болгария 1 цитирование, 0.57%
Вьетнам	Вьетнам, 1, 0.57% Вьетнам 1 цитирование, 0.57%
Греция	Греция, 1, 0.57% Греция 1 цитирование, 0.57%
Дания	Дания, 1, 0.57% Дания 1 цитирование, 0.57%
Израиль	Израиль, 1, 0.57% Израиль 1 цитирование, 0.57%
Испания	Испания, 1, 0.57% Испания 1 цитирование, 0.57%
Малайзия	Малайзия, 1, 0.57% Малайзия 1 цитирование, 0.57%
Польша	Польша, 1, 0.57% Польша 1 цитирование, 0.57%
Сингапур	Сингапур, 1, 0.57% Сингапур 1 цитирование, 0.57%
Узбекистан	Узбекистан, 1, 0.57% Узбекистан 1 цитирование, 0.57%
Филиппины	Филиппины, 1, 0.57% Филиппины 1 цитирование, 0.57%
Швеция	Швеция, 1, 0.57% Швеция 1 цитирование, 0.57%

	10 20 30 40 50 60 70

Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
Статистика пересчитывается раз в сутки.

Направления исследований

Интеллектуальные инфракрасные фотоэлектронные устройства на основе ван-дер-Ваальсовых гетероинтегрированных многомерных структур

Фотоэлектронные мемристивные устройства, демонстрирующие динамическое поведение фотоэлектронных состояний, подобное прохождению сигналов в биологических нейронных сетях, могут решить одну из основных проблем современной опто-микроэлектроники, связанную с критическим увеличением энергопотребления при детектировании и обработке больших данных, что существенно ограничивает автономность визуального распознавания и принятия решений в реальном времени, например в беспилотном транспорте. Современный суперкомпьютер с архитектурой цифровой обработки сигналов, имитирующий работу нейронной сети с числом нейронов на два порядка меньшим, чем в мозге человека (водителя), потребляет в миллион раз больше энергии, чем биологическая нейронная сеть, которая выполняет те же задачи (вождение). При этом автономная работа обучаемой зрительной нейронной сети человека распознает информацию на порядки быстрее компьютерной. Актуальность исследования формирования и контроля фотоэлектронных состояний в интеллектуальных устройствах на основе ван-дер-ваальсовых гетеро-интегрированных низкоразмерных структур в условиях электрического, оптического и фононного возбуждения определяется необходимостью создания принципиально новых энергоэффективных фотоэлектронных устройств для автономного оптического зондирования, когда детектирование, обработка и хранение данных происходит параллельно без физического разделения сенсора, памяти и процессора, подобно процессам в биологических нейронных сетях. Интеллектуальные фотоэлектронные устройства позволяют повысить скорость доступа к разветвленным нейронным сетям и улучшить энергоэффективность обработки и хранения в них данных. Представленный проект направлен на решение научной проблемы формирования и контроля многоуровневых фотоэлектронных состояний в устройствах на основе ван-дер-ваальсовых гетероинтегрированных смешано-размерных структур в условиях электрического, оптического и акусто-электрического возбуждения. Проект направлен на исследование экспериментальное и с помощью компьютерного моделирования процессов переноса заряда в гетероструктурах с двумерными кристаллами и нульмерными квантовыми точками, а также структурных и электронных переходов, приводящих к изменению их фотоэлектронных состояний, при разных условиях электрического, оптического и фононного возбуждения. Будут исследованы слоистые фотоэлектронные мемристивные ван-дер-ваальсовые гетероструктуры с фотозатвором из графена/оксида графена, BN, халькогенидов MoS2, SnS2 и др. для управления фотоэлектронными состояниями в инфракрасном (ИК) диапазоне в условиях контроля рекомбинации носителей заряда и акустических фононных возбуждений для решения актуальных проблем автономного распознавания образов, машинного зрения и искусственного интеллекта. Установление механизмов управления фотоэлектронными состояниями в ван-дер-ваальсовых гетеро-интегрированных устройствах позволит создать информационные устройства нового поколения со сверхнизким энергопотреблением, сверхвысокой плотностью записи и с возможностью автономного фото-/фото-акустоэлектронного детектирования и распознавания сигналов, подобно в биологической сенсорной нейронной сети.

Публикации и патенты

Recombination and optical properties of dislocations gliding at room temperature in GaN under applied stress

Journal of Alloys and Compounds, 2019, Цитирований: 19

Low temperature stacking fault nucleation and expansion from stress concentrators in 4H-SiC

Acta Materialia, 2017, Цитирований: 15

Prediction of betavoltaic battery output parameters based on SEM measurements and Monte Carlo simulation

Applied Radiation and Isotopes, 2016, Цитирований: 11

Найдено

Адрес лаборатории

Улица Академика Осипьяна, д. 6, Черноголовка, Московская обл.