Группа теоретических исследований наноструктур
Публикаций
64
Цитирований
820
Индекс Хирша
19
Необходимо авторизоваться.
Мы занимаемся моделированием наноструктур в рамках теории функционала электронной плотности и методами Монте-Карло
- DFT расчеты
- Компьютерное моделирование физических свойств материалов на атомно-молекулярном уровне методами молекулярной динамики и Монте-Карло
Андрей Клавсюк
Руководитель
Сергей Колесников
Профессор
Алексей Сыромятников
Ассистент
Сергей Докукин
Ассистент
Сергей Кудряшов
Студент
Екатерина Сапронова
Студент
Всего публикаций
66
Всего цитирований
838
Цитирований на публикацию
12.7
Среднее число публикаций в год
3.14
Годы публикаций
2004-2024 (21 год)
h-index
19
i10-index
33
m-index
0.9
o-index
32
g-index
24
w-index
3
Описание метрик
h-index
Учёный имеет индекс h, если h из его N статей цитируются как минимум h раз каждая, в то время как оставшиеся (N - h) статей цитируются не более чем h раз каждая.
i10-index
Число статей автора, получивших не менее 10 ссылок каждая.
m-index
m-индекс ученого численно равен отношению его h-индекса к количеству лет, прошедших с момента первой публикации.
o-index
Среднее геометрическое h-индекса и числа цитирований наиболее цитируемой статьи ученого.
g-index
Для данного множества статей, отсортированного в порядке убывания количества цитирований, которые получили эти статьи, g-индекс это наибольшее число, такое что g самых цитируемых статей получили (суммарно) не менее g2 цитирований.
w-index
Если w статей ученого имеют не менее 10w цитирований каждая и другие статьи меньше, чем 10(w+1) цитирований, то w-индекс исследователя равен w.
Топ-100
Области наук
|
5
10
15
20
25
30
|
|
|
Condensed Matter Physics
|
Condensed Matter Physics, 29, 43.94%
Condensed Matter Physics
29 публикаций, 43.94%
|
|
Electronic, Optical and Magnetic Materials
|
Electronic, Optical and Magnetic Materials, 19, 28.79%
Electronic, Optical and Magnetic Materials
19 публикаций, 28.79%
|
|
General Physics and Astronomy
|
General Physics and Astronomy, 16, 24.24%
General Physics and Astronomy
16 публикаций, 24.24%
|
|
Surfaces, Coatings and Films
|
Surfaces, Coatings and Films, 10, 15.15%
Surfaces, Coatings and Films
10 публикаций, 15.15%
|
|
Physics and Astronomy (miscellaneous)
|
Physics and Astronomy (miscellaneous), 9, 13.64%
Physics and Astronomy (miscellaneous)
9 публикаций, 13.64%
|
|
Surfaces and Interfaces
|
Surfaces and Interfaces, 8, 12.12%
Surfaces and Interfaces
8 публикаций, 12.12%
|
|
Materials Chemistry
|
Materials Chemistry, 5, 7.58%
Materials Chemistry
5 публикаций, 7.58%
|
|
General Materials Science
|
General Materials Science, 5, 7.58%
General Materials Science
5 публикаций, 7.58%
|
|
General Chemistry
|
General Chemistry, 3, 4.55%
General Chemistry
3 публикации, 4.55%
|
|
Physical and Theoretical Chemistry
|
Physical and Theoretical Chemistry, 3, 4.55%
Physical and Theoretical Chemistry
3 публикации, 4.55%
|
|
Statistical and Nonlinear Physics
|
Statistical and Nonlinear Physics, 3, 4.55%
Statistical and Nonlinear Physics
3 публикации, 4.55%
|
|
Mechanical Engineering
|
Mechanical Engineering, 2, 3.03%
Mechanical Engineering
2 публикации, 3.03%
|
|
Mechanics of Materials
|
Mechanics of Materials, 2, 3.03%
Mechanics of Materials
2 публикации, 3.03%
|
|
Metals and Alloys
|
Metals and Alloys, 1, 1.52%
Metals and Alloys
1 публикация, 1.52%
|
|
Spectroscopy
|
Spectroscopy, 1, 1.52%
Spectroscopy
1 публикация, 1.52%
|
|
Electrochemistry
|
Electrochemistry, 1, 1.52%
Electrochemistry
1 публикация, 1.52%
|
|
Atomic and Molecular Physics, and Optics
|
Atomic and Molecular Physics, and Optics, 1, 1.52%
Atomic and Molecular Physics, and Optics
1 публикация, 1.52%
|
|
Electrical and Electronic Engineering
|
Electrical and Electronic Engineering, 1, 1.52%
Electrical and Electronic Engineering
1 публикация, 1.52%
|
|
Instrumentation
|
Instrumentation, 1, 1.52%
Instrumentation
1 публикация, 1.52%
|
|
General Energy
|
General Energy, 1, 1.52%
General Energy
1 публикация, 1.52%
|
|
Statistics and Probability
|
Statistics and Probability, 1, 1.52%
Statistics and Probability
1 публикация, 1.52%
|
|
Computational Mathematics
|
Computational Mathematics, 1, 1.52%
Computational Mathematics
1 публикация, 1.52%
|
|
Statistics, Probability and Uncertainty
|
Statistics, Probability and Uncertainty, 1, 1.52%
Statistics, Probability and Uncertainty
1 публикация, 1.52%
|
|
Modeling and Simulation
|
Modeling and Simulation, 1, 1.52%
Modeling and Simulation
1 публикация, 1.52%
|
|
5
10
15
20
25
30
|
Журналы
Цитирующие журналы
Цитируемые журналы
Издатели
|
5
10
15
20
25
|
|
|
Pleiades Publishing
22 публикации, 33.33%
|
|
|
American Physical Society (APS)
14 публикаций, 21.21%
|
|
|
Elsevier
11 публикаций, 16.67%
|
|
|
IOP Publishing
4 публикации, 6.06%
|
|
|
Uspekhi Fizicheskikh Nauk Journal
3 публикации, 4.55%
|
|
|
Springer Nature
2 публикации, 3.03%
|
|
|
World Scientific
2 публикации, 3.03%
|
|
|
American Chemical Society (ACS)
2 публикации, 3.03%
|
|
|
AIP Publishing
2 публикации, 3.03%
|
|
|
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
2 публикации, 3.03%
|
|
|
Taylor & Francis
1 публикация, 1.52%
|
|
|
Royal Society of Chemistry (RSC)
1 публикация, 1.52%
|
|
|
5
10
15
20
25
|
Организации из публикаций
|
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
|
|
|
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
46 публикаций, 69.7%
|
|
|
Организация не определена
|
Организация не определена, 13, 19.7%
Организация не определена
13 публикаций, 19.7%
|
|
Институт физики микроструктур Общества Макса Планка
11 публикаций, 16.67%
|
|
|
Галле-Виттенбергский университет имени Мартина Лютера
9 публикаций, 13.64%
|
|
|
Федеральный исследовательский центр химической физики им. Н.Н. Семёнова РАН
8 публикаций, 12.12%
|
|
|
Университет Твенте
5 публикаций, 7.58%
|
|
|
Институт физики атмосферы имени А. М. Обухова РАН
2 публикации, 3.03%
|
|
|
Институт физической химии им. Й. Гейровского Чешской академии наук
2 публикации, 3.03%
|
|
|
Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина
1 публикация, 1.52%
|
|
|
Тбилисский государственный университет имени Иванэ Джавахишвили
1 публикация, 1.52%
|
|
|
Измирский технологический институт
1 публикация, 1.52%
|
|
|
Гилянский университет
1 публикация, 1.52%
|
|
|
Университет Неймегена
1 публикация, 1.52%
|
|
|
Уханьский университет
1 публикация, 1.52%
|
|
|
Технический университет Эйндховена
1 публикация, 1.52%
|
|
|
Хунаньский университет
1 публикация, 1.52%
|
|
|
Ланьчжоуский университет
1 публикация, 1.52%
|
|
|
Университет Париж-Сакле
1 публикация, 1.52%
|
|
|
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
|
Страны из публикаций
|
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
|
|
|
Россия
|
Россия, 46, 69.7%
Россия
46 публикаций, 69.7%
|
|
Страна не определена
|
Страна не определена, 15, 22.73%
Страна не определена
15 публикаций, 22.73%
|
|
Германия
|
Германия, 12, 18.18%
Германия
12 публикаций, 18.18%
|
|
Нидерланды
|
Нидерланды, 6, 9.09%
Нидерланды
6 публикаций, 9.09%
|
|
Китай
|
Китай, 2, 3.03%
Китай
2 публикации, 3.03%
|
|
Чехия
|
Чехия, 2, 3.03%
Чехия
2 публикации, 3.03%
|
|
Франция
|
Франция, 1, 1.52%
Франция
1 публикация, 1.52%
|
|
Грузия
|
Грузия, 1, 1.52%
Грузия
1 публикация, 1.52%
|
|
Иран
|
Иран, 1, 1.52%
Иран
1 публикация, 1.52%
|
|
Турция
|
Турция, 1, 1.52%
Турция
1 публикация, 1.52%
|
|
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
|
Цитирующие организации
Цитирующие страны
- Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
- Статистика пересчитывается раз в сутки.
Направления исследований
Распределения длин одномерных наноструктур на ступенчатых поверхностях
+
В настоящее время актуальной проблемой является создание новых материалов и исследование их свойств. Низкоразмерные наноструктуры обладают рядом необычных физических свойств, выгодно отличающих их от тонких пленок и массивных структур. Считается, что на их базе станет возможным создание принципиально новых устройств в электронике. Однако для этого необходимо знать условия, при которых подобные структуры формируются, а также сохраняют стабильность. Их можно создать в рамках двух разных подходов: "сверху-вниз" и "снизу-вверх". В рамках первого можно собирать нанообъекты по атомам при помощи, например, иглы сканирующего туннельного микроскопа. Хотя этот способ точен и позволяет достичь хорошей воспроизводимости, одновременно он очень медленный, что делает невозможным массовое создание наноструктур. Вторым подходом является самоорганизация наноструктур на поверхности, когда основную роль в формировании играет взаимодействие адсорбированных атомов с подложкой. Именно построение теоретических моделей роста поверхностных структур и последующие расчеты их характеристик могут указать условия формирования новых материалов на атомном уровне, а также помочь оценить перспективность их практического применения.
Публикации и патенты
Найдено
Ничего не найдено, попробуйте изменить настройки фильтра.
2021
—
2024
| Салецкий Александр Михайлович
Адрес лаборатории
119991, ГСП-1, Москва, Ленинские горы, дом 1, строение 2
Необходимо авторизоваться.