Группа теоретических исследований наноструктур
Публикаций
64
Цитирований
818
Индекс Хирша
19
Необходимо авторизоваться.
Мы занимаемся моделированием наноструктур в рамках теории функционала электронной плотности и методами Монте-Карло
- DFT расчеты
- Компьютерное моделирование физических свойств материалов на атомно-молекулярном уровне методами молекулярной динамики и Монте-Карло
Андрей Клавсюк
Заведующий лабораторией
Сергей Колесников
Профессор
Алексей Сыромятников
Ассистент
Сергей Докукин
Ассистент
Сергей Кудряшов
Студент
Екатерина Сапронова
Студент
Направления исследований
Распределения длин одномерных наноструктур на ступенчатых поверхностях
+
В настоящее время актуальной проблемой является создание новых материалов и исследование их свойств. Низкоразмерные наноструктуры обладают рядом необычных физических свойств, выгодно отличающих их от тонких пленок и массивных структур. Считается, что на их базе станет возможным создание принципиально новых устройств в электронике. Однако для этого необходимо знать условия, при которых подобные структуры формируются, а также сохраняют стабильность. Их можно создать в рамках двух разных подходов: "сверху-вниз" и "снизу-вверх". В рамках первого можно собирать нанообъекты по атомам при помощи, например, иглы сканирующего туннельного микроскопа. Хотя этот способ точен и позволяет достичь хорошей воспроизводимости, одновременно он очень медленный, что делает невозможным массовое создание наноструктур. Вторым подходом является самоорганизация наноструктур на поверхности, когда основную роль в формировании играет взаимодействие адсорбированных атомов с подложкой. Именно построение теоретических моделей роста поверхностных структур и последующие расчеты их характеристик могут указать условия формирования новых материалов на атомном уровне, а также помочь оценить перспективность их практического применения.
Публикации и патенты
Найдено
Ничего не найдено, попробуйте изменить настройки фильтра.
Адрес лаборатории
119991, ГСП-1, Москва, Ленинские горы, дом 1, строение 2
Необходимо авторизоваться.