Лаборатория атомно-слоевого осаждения и физики наноэлектронных структур
Публикаций
111
Цитирований
3 283
Индекс Хирша
31
Необходимо авторизоваться.
- Two-dimensional semiconductors based on transition metal dichalcogendes (TMDC), logics and memory transistors based on TMDC; - Multicomponent high-k oxides aimed on gate CMOS dielectrics or on MIM-capacitors applications; - ALD doping for stabilization of oxide metastable phases with novel properties ( e.g. HfO2 based ferroelectrics for FeRAM); - In situ control of oxygen vacancies concentration in ALD oxides for resistive-switched memory and neuromorphic devices);
- Атомно-силовая микроскопия (АСМ)
- Просвечивающая электронная микроскопия (ПЭМ)
- Рентгеновская дифракция
- Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия
- Электрофизические измерения
- Спектроскопия комбинационного рассеяния света (Raman spectroscopy))
Всего публикаций
108
Всего цитирований
3283
Цитирований на публикацию
30.4
Среднее число публикаций в год
3.09
Годы публикаций
1991-2025 (35 лет)
h-index
31
i10-index
68
m-index
0.89
o-index
99
g-index
54
w-index
8
Описание метрик
h-index
Учёный имеет индекс h, если h из его N статей цитируются как минимум h раз каждая, в то время как оставшиеся (N - h) статей цитируются не более чем h раз каждая.
i10-index
Число статей автора, получивших не менее 10 ссылок каждая.
m-index
m-индекс ученого численно равен отношению его h-индекса к количеству лет, прошедших с момента первой публикации.
o-index
Среднее геометрическое h-индекса и числа цитирований наиболее цитируемой статьи ученого.
g-index
Для данного множества статей, отсортированного в порядке убывания количества цитирований, которые получили эти статьи, g-индекс это наибольшее число, такое что g самых цитируемых статей получили (суммарно) не менее g2 цитирований.
w-index
Если w статей ученого имеют не менее 10w цитирований каждая и другие статьи меньше, чем 10(w+1) цитирований, то w-индекс исследователя равен w.
Топ-100
Области наук
Журналы
Цитирующие журналы
Цитируемые журналы
Издатели
|
5
10
15
20
25
|
|
|
Elsevier
23 публикации, 21.3%
|
|
|
Pleiades Publishing
16 публикаций, 14.81%
|
|
|
American Chemical Society (ACS)
15 публикаций, 13.89%
|
|
|
AIP Publishing
15 публикаций, 13.89%
|
|
|
MDPI
13 публикаций, 12.04%
|
|
|
Wiley
9 публикаций, 8.33%
|
|
|
Springer Nature
4 публикации, 3.7%
|
|
|
IOP Publishing
4 публикации, 3.7%
|
|
|
Royal Society of Chemistry (RSC)
3 публикации, 2.78%
|
|
|
American Vacuum Society
2 публикации, 1.85%
|
|
|
The Electrochemical Society
2 публикации, 1.85%
|
|
|
Oxford University Press
1 публикация, 0.93%
|
|
|
American Physical Society (APS)
1 публикация, 0.93%
|
|
|
5
10
15
20
25
|
Организации из публикаций
Страны из публикаций
|
20
40
60
80
100
120
|
|
|
Россия
|
Россия, 102, 94.44%
Россия
102 публикации, 94.44%
|
|
Республика Корея
|
Республика Корея, 11, 10.19%
Республика Корея
11 публикаций, 10.19%
|
|
Германия
|
Германия, 10, 9.26%
Германия
10 публикаций, 9.26%
|
|
Страна не определена
|
Страна не определена, 9, 8.33%
Страна не определена
9 публикаций, 8.33%
|
|
Армения
|
Армения, 5, 4.63%
Армения
5 публикаций, 4.63%
|
|
Египет
|
Египет, 4, 3.7%
Египет
4 публикации, 3.7%
|
|
ОАЭ
|
ОАЭ, 4, 3.7%
ОАЭ
4 публикации, 3.7%
|
|
Франция
|
Франция, 3, 2.78%
Франция
3 публикации, 2.78%
|
|
Китай
|
Китай, 2, 1.85%
Китай
2 публикации, 1.85%
|
|
Дания
|
Дания, 2, 1.85%
Дания
2 публикации, 1.85%
|
|
Индия
|
Индия, 2, 1.85%
Индия
2 публикации, 1.85%
|
|
США
|
США, 1, 0.93%
США
1 публикация, 0.93%
|
|
Великобритания
|
Великобритания, 1, 0.93%
Великобритания
1 публикация, 0.93%
|
|
Латвия
|
Латвия, 1, 0.93%
Латвия
1 публикация, 0.93%
|
|
Норвегия
|
Норвегия, 1, 0.93%
Норвегия
1 публикация, 0.93%
|
|
Сингапур
|
Сингапур, 1, 0.93%
Сингапур
1 публикация, 0.93%
|
|
Швейцария
|
Швейцария, 1, 0.93%
Швейцария
1 публикация, 0.93%
|
|
СССР
|
СССР, 1, 0.93%
СССР
1 публикация, 0.93%
|
|
20
40
60
80
100
120
|
Цитирующие организации
Цитирующие страны
- Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
- Статистика пересчитывается раз в сутки.
Направления исследований
- Two-dimensional semiconductors based on transition metal dichalcogendes (TMDC), logics and memory transistors based on TMDC
+
- исследование и разработка процессов роста двумерных халькогенидов переходных металлов ( MoS2, WS2);
- исследование комплекса проблем при созданию 2D МДП-транзисторов : обеспечение низкой эквивалентной толщины (EOT) и низкой плотности поверхностных состояний подзатворного диэлектрика, обеспечение оптимального порогового напряжения ( работа выхода металла затвора\ варьирование диполя на границах раздела затворного стека, обеспечение низкого барьера Шоттки для омичности контактов истока/стока
Публикации и патенты
Найдено
Ничего не найдено, попробуйте изменить настройки фильтра.
Партнёры
Институт физики полупроводников СО РАН
Научно исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова
Адрес лаборатории
Россия, Московская область, Долгопрудный, Институтский пер., д. 9
Необходимо авторизоваться.