Заведующий лабораторией

Мостович Евгений А

Публикаций
31
Цитирований
358
Индекс Хирша
13
Необходимо авторизоваться.

Мы занимаемся разработкой органических полупроводниковых и светоизлучающих материалов для органической электроники - OLED, фотовольтаика и нейроморфные транзисторы. От квантово-химического моделирования и синтеза, до прототипирования устройств.

  1. Тонкий органический синтез
  2. Квантово-химическое моделирование оптоэлектронных свойств органических соединений
  3. УФ-видимая спектроскопия поглощения
  4. Флуоресцентная Спектроскопия
  5. Времяразряшенная флуоресценция
  6. Устройства органической электроники
  7. Электрохимия

Прибор разрабатывается и выпускается американским производителем Agilent Technologies. Благодаря гибкой функциональности и высокой надежности модель Cary Eclipse применяется для решения различных аналитических задач. С помощью четырех режимов измерения получают высокоточные результаты исследований. Устройство комплектуется волоконно-оптическим зондом, который дает возможность значительно уменьшить время анализа с сохранением корректности данных.

Спектрофлуориметр комплектуется ксеноновой импульсной лампой, благодаря которой осуществляются изучения быстрой кинетики и достигается высокая чувствительность. Пользователь может с высокой точностью регулировать температуру с помощью водяного или Пельтье термостатирования. Благодаря уникальной технологии импульсной ксеноновой лампы в Cary Eclipse исключается фотообесцвечивание пробы. Представленный прибор — единственный флуоресцентный спектрофотометр в своем классе, который имеет иммунитет к засветке наружным освещением.

Мостович Евгений А
Евгений Мостович
Заведующий лабораторией
Всего публикаций
28
Всего цитирований
357
Цитирований на публикацию
12.75
Среднее число публикаций в год
1.56
Годы публикаций
2007-2024 (18 лет)
h-index
13
i10-index
14
m-index
0.72
o-index
21
g-index
18
w-index
2
Описание метрик
h-index
Учёный имеет индекс h, если h из его N статей цитируются как минимум h раз каждая, в то время как оставшиеся (N - h) статей цитируются не более чем h раз каждая.
i10-index
Число статей автора, получивших не менее 10 ссылок каждая.
m-index
m-индекс ученого численно равен отношению его h-индекса к количеству лет, прошедших с момента первой публикации.
o-index
Среднее геометрическое h-индекса и числа цитирований наиболее цитируемой статьи ученого.
g-index
Для данного множества статей, отсортированного в порядке убывания количества цитирований, которые получили эти статьи, g-индекс это наибольшее число, такое что g самых цитируемых статей получили (суммарно) не менее g2 цитирований.
w-index
Если w статей ученого имеют не менее 10w цитирований каждая и другие статьи меньше, чем 10(w+1) цитирований, то w-индекс исследователя равен w.

Топ-100

Области наук

2
4
6
8
10
12
General Chemistry, 12, 42.86%
General Chemistry
12 публикаций, 42.86%
Materials Chemistry, 9, 32.14%
Materials Chemistry
9 публикаций, 32.14%
Organic Chemistry, 6, 21.43%
Organic Chemistry
6 публикаций, 21.43%
Electronic, Optical and Magnetic Materials, 5, 17.86%
Electronic, Optical and Magnetic Materials
5 публикаций, 17.86%
Physical and Theoretical Chemistry, 5, 17.86%
Physical and Theoretical Chemistry
5 публикаций, 17.86%
General Chemical Engineering, 5, 17.86%
General Chemical Engineering
5 публикаций, 17.86%
Condensed Matter Physics, 4, 14.29%
Condensed Matter Physics
4 публикации, 14.29%
Metals and Alloys, 3, 10.71%
Metals and Alloys
3 публикации, 10.71%
Catalysis, 3, 10.71%
Catalysis
3 публикации, 10.71%
Process Chemistry and Technology, 3, 10.71%
Process Chemistry and Technology
3 публикации, 10.71%
General Materials Science, 3, 10.71%
General Materials Science
3 публикации, 10.71%
Surfaces, Coatings and Films, 2, 7.14%
Surfaces, Coatings and Films
2 публикации, 7.14%
General Physics and Astronomy, 2, 7.14%
General Physics and Astronomy
2 публикации, 7.14%
Ceramics and Composites, 1, 3.57%
Ceramics and Composites
1 публикация, 3.57%
Inorganic Chemistry, 1, 3.57%
Inorganic Chemistry
1 публикация, 3.57%
Computer Science Applications, 1, 3.57%
Computer Science Applications
1 публикация, 3.57%
Spectroscopy, 1, 3.57%
Spectroscopy
1 публикация, 3.57%
Molecular Biology, 1, 3.57%
Molecular Biology
1 публикация, 3.57%
General Medicine, 1, 3.57%
General Medicine
1 публикация, 3.57%
Atomic and Molecular Physics, and Optics, 1, 3.57%
Atomic and Molecular Physics, and Optics
1 публикация, 3.57%
Electrical and Electronic Engineering, 1, 3.57%
Electrical and Electronic Engineering
1 публикация, 3.57%
Mechanical Engineering, 1, 3.57%
Mechanical Engineering
1 публикация, 3.57%
General Energy, 1, 3.57%
General Energy
1 публикация, 3.57%
Biomaterials, 1, 3.57%
Biomaterials
1 публикация, 3.57%
Mechanics of Materials, 1, 3.57%
Mechanics of Materials
1 публикация, 3.57%
2
4
6
8
10
12

Журналы

1
2
3
Journal of Materials Chemistry C
3 публикации, 10.71%
Dyes and Pigments
3 публикации, 10.71%
RSC Advances
2 публикации, 7.14%
Journal of Organic Chemistry
2 публикации, 7.14%
Journal of Physical Chemistry C
2 публикации, 7.14%
European Journal of Organic Chemistry
2 публикации, 7.14%
New Journal of Chemistry
1 публикация, 3.57%
Physical Chemistry Chemical Physics
1 публикация, 3.57%
Journal of Physics: Conference Series
1 публикация, 3.57%
Mendeleev Communications
1 публикация, 3.57%
Materials Chemistry Frontiers
1 публикация, 3.57%
CrystEngComm
1 публикация, 3.57%
Chemical Communications
1 публикация, 3.57%
Crystal Growth and Design
1 публикация, 3.57%
Acta Crystallographica Section B: Structural Science, Crystal Engineering and Materials
1 публикация, 3.57%
International Journal of Molecular Sciences
1 публикация, 3.57%
Synthetic Metals
1 публикация, 3.57%
ChemPlusChem
1 публикация, 3.57%
Organic Electronics
1 публикация, 3.57%
Arkivoc
1 публикация, 3.57%
1
2
3

Цитирующие журналы

5
10
15
20
25
Journal of Organic Chemistry
24 цитирования, 6.72%
Materials Chemistry Frontiers
20 цитирований, 5.6%
Dyes and Pigments
17 цитирований, 4.76%
Crystal Growth and Design
12 цитирований, 3.36%
CrystEngComm
11 цитирований, 3.08%
European Journal of Organic Chemistry
11 цитирований, 3.08%
New Journal of Chemistry
9 цитирований, 2.52%
Journal of Physical Chemistry C
9 цитирований, 2.52%
Acta Crystallographica Section B: Structural Science, Crystal Engineering and Materials
9 цитирований, 2.52%
Journal of Materials Chemistry C
8 цитирований, 2.24%
Advanced Functional Materials
8 цитирований, 2.24%
Molecules
7 цитирований, 1.96%
Physical Chemistry Chemical Physics
7 цитирований, 1.96%
Organic Electronics
7 цитирований, 1.96%
Russian Chemical Reviews
7 цитирований, 1.96%
RSC Advances
6 цитирований, 1.68%
ACS applied materials & interfaces
5 цитирований, 1.4%
Crystals
5 цитирований, 1.4%
Angewandte Chemie - International Edition
5 цитирований, 1.4%
ChemPlusChem
5 цитирований, 1.4%
Angewandte Chemie
5 цитирований, 1.4%
Журнал не определён, 4, 1.12%
Журнал не определён
4 цитирования, 1.12%
Organic Letters
4 цитирования, 1.12%
Advanced Synthesis and Catalysis
4 цитирования, 1.12%
Advanced Electronic Materials
4 цитирования, 1.12%
Chemical Physics Letters
4 цитирования, 1.12%
Chemical Communications
4 цитирования, 1.12%
Russian Chemical Bulletin
4 цитирования, 1.12%
Journal of Physical Chemistry A
4 цитирования, 1.12%
Crystallography Reports
4 цитирования, 1.12%
Advanced Optical Materials
3 цитирования, 0.84%
Journal of the American Chemical Society
3 цитирования, 0.84%
ChemistrySelect
3 цитирования, 0.84%
Chemistry - An Asian Journal
3 цитирования, 0.84%
Physica Status Solidi (B): Basic Research
3 цитирования, 0.84%
Current Opinion in Electrochemistry
3 цитирования, 0.84%
Synthetic Metals
3 цитирования, 0.84%
Chemistry of Heterocyclic Compounds
3 цитирования, 0.84%
Chemistry - A European Journal
3 цитирования, 0.84%
Magnetochemistry
3 цитирования, 0.84%
Journal of Chemical Physics
2 цитирования, 0.56%
Materials Today Nano
2 цитирования, 0.56%
Nature Communications
2 цитирования, 0.56%
Computational Materials Science
2 цитирования, 0.56%
Moscow University Physics Bulletin (English Translation of Vestnik Moskovskogo Universiteta, Fizika)
2 цитирования, 0.56%
Springer Series in Materials Science
2 цитирования, 0.56%
Russian Journal of Organic Chemistry
2 цитирования, 0.56%
Tetrahedron Letters
2 цитирования, 0.56%
Dalton Transactions
2 цитирования, 0.56%
Chemical Science
2 цитирования, 0.56%
Synthesis
2 цитирования, 0.56%
Polymer Chemistry
2 цитирования, 0.56%
Computational and Theoretical Chemistry
2 цитирования, 0.56%
Canadian Journal of Chemistry
2 цитирования, 0.56%
Chemical Record
2 цитирования, 0.56%
Кристаллография
2 цитирования, 0.56%
Results in Chemistry
2 цитирования, 0.56%
Helvetica Chimica Acta
1 цитирование, 0.28%
Carbon
1 цитирование, 0.28%
Journal of Chemical Theory and Computation
1 цитирование, 0.28%
Organic and Biomolecular Chemistry
1 цитирование, 0.28%
Organometallics
1 цитирование, 0.28%
ChemMedChem
1 цитирование, 0.28%
Small Methods
1 цитирование, 0.28%
Transition Metal Chemistry
1 цитирование, 0.28%
Mendeleev Communications
1 цитирование, 0.28%
Zeitschrift fur Kristallographie - New Crystal Structures
1 цитирование, 0.28%
Russian Journal of Physical Chemistry A
1 цитирование, 0.28%
Spectrochimica Acta - Part A: Molecular and Biomolecular Spectroscopy
1 цитирование, 0.28%
Chemistry of Materials
1 цитирование, 0.28%
Chemistry Letters
1 цитирование, 0.28%
Materials and Design
1 цитирование, 0.28%
Asian Journal of Organic Chemistry
1 цитирование, 0.28%
Energy Conversion and Management
1 цитирование, 0.28%
ChemCatChem
1 цитирование, 0.28%
Zeitschrift fur Physikalische Chemie
1 цитирование, 0.28%
Journal of Chemical Education
1 цитирование, 0.28%
Annals of Physics
1 цитирование, 0.28%
Materials Chemistry and Physics
1 цитирование, 0.28%
Russian Journal of Coordination Chemistry/Koordinatsionnaya Khimiya
1 цитирование, 0.28%
Applied Surface Science
1 цитирование, 0.28%
Coordination Chemistry Reviews
1 цитирование, 0.28%
Russian Journal of General Chemistry
1 цитирование, 0.28%
Chemical Reviews
1 цитирование, 0.28%
Journal of Structural Chemistry
1 цитирование, 0.28%
Chinese Journal of Catalysis
1 цитирование, 0.28%
International Journal of Molecular Sciences
1 цитирование, 0.28%
Radiation Physics and Chemistry
1 цитирование, 0.28%
Journal of Materials Chemistry A
1 цитирование, 0.28%
Journal of Physical Chemistry B
1 цитирование, 0.28%
Chemical Engineering Science
1 цитирование, 0.28%
Journal of Physical Organic Chemistry
1 цитирование, 0.28%
Current Organic Chemistry
1 цитирование, 0.28%
ChemPhysChem
1 цитирование, 0.28%
Progress in Heterocyclic Chemistry
1 цитирование, 0.28%
Israel Journal of Chemistry
1 цитирование, 0.28%
Analytical Chemistry
1 цитирование, 0.28%
Applied Catalysis B: Environmental
1 цитирование, 0.28%
MolBank
1 цитирование, 0.28%
Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects
1 цитирование, 0.28%
5
10
15
20
25

Издатели

2
4
6
8
10
Royal Society of Chemistry (RSC)
10 публикаций, 35.71%
Elsevier
5 публикаций, 17.86%
American Chemical Society (ACS)
5 публикаций, 17.86%
Wiley
3 публикации, 10.71%
MDPI
1 публикация, 3.57%
International Union of Crystallography (IUCr)
1 публикация, 3.57%
IOP Publishing
1 публикация, 3.57%
ARKAT USA, Inc.
1 публикация, 3.57%
OOO Zhurnal "Mendeleevskie Soobshcheniya"
1 публикация, 3.57%
2
4
6
8
10

Организации из публикаций

5
10
15
20
25
Новосибирский Государственный Университет
23 публикации, 82.14%
Новосибирский институт органической химии им. Н.Н. Ворожцова СО РАН
21 публикация, 75%
Институт химической кинетики и горения им. В.В. Воеводского СО РАН
10 публикаций, 35.71%
Институт исследования полимеров Общества Макса Планка
5 публикаций, 17.86%
Франкфуртский университет имени Иоганна Вольфганга Гёте
5 публикаций, 17.86%
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
3 публикации, 10.71%
Институт Международный томографический центр СО РАН
3 публикации, 10.71%
Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН
3 публикации, 10.71%
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
3 публикации, 10.71%
Национальный Исследовательский Томский Политехнический Университет
3 публикации, 10.71%
Томский Государственный Университет
2 публикации, 7.14%
Сибирский государственный медицинский университет
2 публикации, 7.14%
Назарбаев Университет
2 публикации, 7.14%
Гронингенский университет
2 публикации, 7.14%
Организация не определена, 1, 3.57%
Организация не определена
1 публикация, 3.57%
Институт синтетических полимерных материалов им. Н.С. Ениколопова РАН
1 публикация, 3.57%
Высшая школа химической технологии
1 публикация, 3.57%
Ланьчжоуский институт химической физики Китайской академии наук
1 публикация, 3.57%
Грайфсвальдский университет имени Эрнста Морица Арндта
1 публикация, 3.57%
5
10
15
20
25

Страны из публикаций

5
10
15
20
25
Россия, 25, 89.29%
Россия
25 публикаций, 89.29%
Германия, 5, 17.86%
Германия
5 публикаций, 17.86%
Страна не определена, 2, 7.14%
Страна не определена
2 публикации, 7.14%
Казахстан, 2, 7.14%
Казахстан
2 публикации, 7.14%
Нидерланды, 2, 7.14%
Нидерланды
2 публикации, 7.14%
Китай, 1, 3.57%
Китай
1 публикация, 3.57%
Чехия, 1, 3.57%
Чехия
1 публикация, 3.57%
5
10
15
20
25

Цитирующие организации

10
20
30
40
50
60
Новосибирский институт органической химии им. Н.Н. Ворожцова СО РАН
52 цитирования, 14.57%
Новосибирский Государственный Университет
47 цитирований, 13.17%
Институт химической кинетики и горения им. В.В. Воеводского СО РАН
29 цитирований, 8.12%
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
24 цитирования, 6.72%
Институт Международный томографический центр СО РАН
19 цитирований, 5.32%
Институт синтетических полимерных материалов им. Н.С. Ениколопова РАН
16 цитирований, 4.48%
Институт исследования полимеров Общества Макса Планка
15 цитирований, 4.2%
Национальный Исследовательский Томский Политехнический Университет
14 цитирований, 3.92%
Организация не определена, 12, 3.36%
Организация не определена
12 цитирований, 3.36%
Институт органической химии им. Н.Д. Зелинского РАН
10 цитирований, 2.8%
Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН
8 цитирований, 2.24%
Институт органического синтеза им. И.Я. Постовского УрО РАН
7 цитирований, 1.96%
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
7 цитирований, 1.96%
Южно-китайский технологический университет
7 цитирований, 1.96%
Университет Гувахати
7 цитирований, 1.96%
Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина
6 цитирований, 1.68%
Санкт-Петербургский государственный университет
6 цитирований, 1.68%
Университет Китайской академии наук
6 цитирований, 1.68%
Тяньцзиньский университет
6 цитирований, 1.68%
Институт химии Китайской академии наук
5 цитирований, 1.4%
Франкфуртский университет имени Иоганна Вольфганга Гёте
5 цитирований, 1.4%
Гронингенский университет
5 цитирований, 1.4%
Институт спектроскопии РАН
4 цитирования, 1.12%
Томский Государственный Университет
4 цитирования, 1.12%
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"
4 цитирования, 1.12%
Сибирский государственный медицинский университет
4 цитирования, 1.12%
Австралийский национальный университет
4 цитирования, 1.12%
Высшая школа химической технологии
4 цитирования, 1.12%
Аньхойский университет Цзянчжу
4 цитирования, 1.12%
Фрайбургский университет имени Альберта и Людвига
4 цитирования, 1.12%
Пекинская национальная лаборатория молекулярных наук
4 цитирования, 1.12%
Московский физико-технический институт
3 цитирования, 0.84%
Курчатовский комплекс "Кристаллография и Фотоника"
3 цитирования, 0.84%
Институт физики молекул и кристаллов УФИЦ РАН
3 цитирования, 0.84%
Пензенский государственный университет
3 цитирования, 0.84%
Назарбаев Университет
3 цитирования, 0.84%
Федеральный исследовательский центр проблем химической физики и медицинской химии РАН
3 цитирования, 0.84%
Уфимский федеральный исследовательский центр РАН
3 цитирования, 0.84%
Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН Республики Узбекистан
3 цитирования, 0.84%
Индийский институт технологии в Мумбаи
3 цитирования, 0.84%
Харбинский политехнический университет
3 цитирования, 0.84%
Южно-Китайский педагогический университет
3 цитирования, 0.84%
Токийский университет
3 цитирования, 0.84%
Университет Васэда
3 цитирования, 0.84%
Столичный университет Осаки
3 цитирования, 0.84%
Институт биоорганической химии им. академиков М.М. Шемякина и Ю.А. Овчинникова РАН
2 цитирования, 0.56%
Институт элементоорганических соединений им. А.Н. Несмеянова РАН
2 цитирования, 0.56%
Сколковский институт науки и технологий
2 цитирования, 0.56%
Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН
2 цитирования, 0.56%
Иркутский институт химии им. А.Е. Фаворского СО РАН
2 цитирования, 0.56%
Институт кристаллографии имени А. В. Шубникова
2 цитирования, 0.56%
Кубанский государственный университет
2 цитирования, 0.56%
Бухарский государственный университет
2 цитирования, 0.56%
Индийский институт научного образования и исследований в Калькутте
2 цитирования, 0.56%
Индийский институт научного образования и исследований в Тирупати
2 цитирования, 0.56%
Индийский институт технологии в Хайдарабаде
2 цитирования, 0.56%
Академия искусств, науки, технологий и исследований Шанмуги
2 цитирования, 0.56%
Институт химической технологии в Мумбаи
2 цитирования, 0.56%
Университет Цинхуа
2 цитирования, 0.56%
Еврейский университет в Иерусалиме
2 цитирования, 0.56%
Северо-западный политехнический университет
2 цитирования, 0.56%
Университет Экс-Марсель
2 цитирования, 0.56%
Шэньчжэньский Университет
2 цитирования, 0.56%
Наньянский технологический университет
2 цитирования, 0.56%
Уорикский университет
2 цитирования, 0.56%
Университет Сучжоу (Сучжоу)
2 цитирования, 0.56%
Ливерпульский университет
2 цитирования, 0.56%
Университет Палермо
2 цитирования, 0.56%
Южный университет науки и технологий
2 цитирования, 0.56%
Гуандунский технологический университет
2 цитирования, 0.56%
Шэньянский университет
2 цитирования, 0.56%
Хэфэйский технологический университет
2 цитирования, 0.56%
Токийский технологический институт
2 цитирования, 0.56%
Университет Западной Австралии
2 цитирования, 0.56%
Сеульский университет
2 цитирования, 0.56%
Гонконгский университет науки и технологий
2 цитирования, 0.56%
Университет Соган
2 цитирования, 0.56%
Пукёнгский национальный университет
2 цитирования, 0.56%
Чжэцзянский научно-технический университет
2 цитирования, 0.56%
Кёльнский университет
2 цитирования, 0.56%
Гуансийский педагогический университет
2 цитирования, 0.56%
Национальный центр нанонауки и технологий Китайской академии наук
2 цитирования, 0.56%
Вюрцбургский университет имени Юлиуса Максимилиана
2 цитирования, 0.56%
Ягеллонский университет
2 цитирования, 0.56%
Совместный инновационный центр химической науки и техники в Тяньцзине
2 цитирования, 0.56%
Зигенский университет
2 цитирования, 0.56%
Майнцский университет имени Иоганна Гутенберга
2 цитирования, 0.56%
Университет Рицумейкан
2 цитирования, 0.56%
Университет Западного Онтарио
2 цитирования, 0.56%
Университет Балеарских островов
2 цитирования, 0.56%
Вильнюсский университет
2 цитирования, 0.56%
Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН
1 цитирование, 0.28%
Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина РАН
1 цитирование, 0.28%
Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
1 цитирование, 0.28%
Федеральный исследовательский центр химической физики им. Н.Н. Семёнова РАН
1 цитирование, 0.28%
Институт органической и физической химии им. А.Е. Арбузова КазНЦ РАН
1 цитирование, 0.28%
Институт химии твердого тела и механохимии СО РАН
1 цитирование, 0.28%
Институт физики твердого тела РАН
1 цитирование, 0.28%
Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера СО РАН
1 цитирование, 0.28%
Университет ИТМО
1 цитирование, 0.28%
10
20
30
40
50
60

Цитирующие страны

20
40
60
80
100
120
Россия, 103, 28.85%
Россия
103 цитирования, 28.85%
Китай, 51, 14.29%
Китай
51 цитирование, 14.29%
Германия, 30, 8.4%
Германия
30 цитирований, 8.4%
Индия, 27, 7.56%
Индия
27 цитирований, 7.56%
Страна не определена, 25, 7%
Страна не определена
25 цитирований, 7%
Япония, 15, 4.2%
Япония
15 цитирований, 4.2%
США, 12, 3.36%
США
12 цитирований, 3.36%
Италия, 7, 1.96%
Италия
7 цитирований, 1.96%
Канада, 7, 1.96%
Канада
7 цитирований, 1.96%
Великобритания, 6, 1.68%
Великобритания
6 цитирований, 1.68%
Франция, 5, 1.4%
Франция
5 цитирований, 1.4%
Австралия, 5, 1.4%
Австралия
5 цитирований, 1.4%
Нидерланды, 5, 1.4%
Нидерланды
5 цитирований, 1.4%
Республика Корея, 5, 1.4%
Республика Корея
5 цитирований, 1.4%
Чехия, 5, 1.4%
Чехия
5 цитирований, 1.4%
Испания, 4, 1.12%
Испания
4 цитирования, 1.12%
Сингапур, 4, 1.12%
Сингапур
4 цитирования, 1.12%
Казахстан, 3, 0.84%
Казахстан
3 цитирования, 0.84%
Израиль, 3, 0.84%
Израиль
3 цитирования, 0.84%
Польша, 3, 0.84%
Польша
3 цитирования, 0.84%
Саудовская Аравия, 3, 0.84%
Саудовская Аравия
3 цитирования, 0.84%
Узбекистан, 3, 0.84%
Узбекистан
3 цитирования, 0.84%
Украина, 2, 0.56%
Украина
2 цитирования, 0.56%
Литва, 2, 0.56%
Литва
2 цитирования, 0.56%
Швейцария, 2, 0.56%
Швейцария
2 цитирования, 0.56%
Австрия, 1, 0.28%
Австрия
1 цитирование, 0.28%
Армения, 1, 0.28%
Армения
1 цитирование, 0.28%
Бельгия, 1, 0.28%
Бельгия
1 цитирование, 0.28%
Бразилия, 1, 0.28%
Бразилия
1 цитирование, 0.28%
Ирак, 1, 0.28%
Ирак
1 цитирование, 0.28%
Иран, 1, 0.28%
Иран
1 цитирование, 0.28%
Катар, 1, 0.28%
Катар
1 цитирование, 0.28%
Новая Зеландия, 1, 0.28%
Новая Зеландия
1 цитирование, 0.28%
Пакистан, 1, 0.28%
Пакистан
1 цитирование, 0.28%
Румыния, 1, 0.28%
Румыния
1 цитирование, 0.28%
Словения, 1, 0.28%
Словения
1 цитирование, 0.28%
Турция, 1, 0.28%
Турция
1 цитирование, 0.28%
Финляндия, 1, 0.28%
Финляндия
1 цитирование, 0.28%
Хорватия, 1, 0.28%
Хорватия
1 цитирование, 0.28%
Эфиопия, 1, 0.28%
Эфиопия
1 цитирование, 0.28%
20
40
60
80
100
120
  • Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
  • Статистика пересчитывается раз в сутки.

Направления исследований

Органическая электроника

+
Органическая электроника сравнительно молодая междисциплинарная область на стыке химии, физики, биомедицины и технологий. Зародившись в конце 20 в, она продолжает стремительно развиваться благодаря огромному потенциалу органических полупроводников, имеющих ряд неоспоримых преимуществ в сравнении с традиционными неорганическими полупроводниками. К таким преимуществам относится легкость, растворимость, вариативность свойств, удешевление технологии производства устройств электроники и биосовместимость (OLED). Один из ярких примеров такого развития – органические светоизлучающие диоды, которые появились на рынке впервые 15 лет назад и в настоящий момент используются повсеместно, прочно завоевав нишу дисплейных устройств. Такое бурное развитие подогрело интерес исследователей во всем мире к развитию фундаментальных исследований, связанных с установлением природы светоизлучения и полупроводимости у органических молекул, их взаимодействию с окружающей средой, чтобы получать еще более эффективные материалы и устройства. С 2012 года эмиттеры с термически активируемой замедленной флуоресценцией (TADF) привлекают внимание исследователей в связи с их применением в (OLED), заменив дорогие фосфоресцентные излучатели на основе атомов редких и дорогих благородных металлов. Такие эмиттеры обладают малой разницей между синглетным и триплетными уровнями (ΔEST), которая способствует обратной интеркомбинационной конверсии (RISC) из T1 в S1 состояние. Традиционные TADF-эмиттеры основаны на пространственном разделении донора (D) и акцептора (A). Это позволяет пространственно разделить электронные плотности высшей занятой молекулярной орбитали (ВЗМО) и низшей незанятой молекулярной орбитали (НСМО), что и приводит к уменьшению величины ∆EST. Тем не менее, большинство TADF-эмиттеров, несмотря на потрясающие характеристики во всех цветовых диапазонах, проявляют характерные для внутримолекулярного переноса заряда (ICT) значительную структурную релаксацию в возбужденном состоянии, большой Стоксов сдвиг и широкие спектры излучения (FWHM > 50 нм). К сожалению, такие широкие спектры эмиссии не позволяют достичь высокой чистоты цветопередачи OLED дисплея. Чтобы достичь необходимой чистоты цветопередачи требуется, чтобы эмиссия OLED была представлена чрезвычайно узкополосным спектром излучения FWHM < 15 нм, что труднодостижимо для классических донор-акцепторных TADF-эмиттеров. В 2016 году Хатакеяма и соавт. представил новую концепцию молекулярного дизайна, основанную на эффекте множественного резонанса атомов бора (B) и азота (N), на примере разработанного эмиттера DABNA. В таких структурах разделение ВЗМО и НСМО достигается за счет противоположных резонансных эффектов в одной и той же жесткой π-сопряженной системе. Ближний характер переноса заряда между электроноакцепторными атомами бора и находящимися в орто- и пара-положениях по отношению к ним электронодонорными атомами азота в сочетании с жесткостью структуры позволили достичь узкополосной эмиссии(FWHM < 30 нм), малого Стоксового сдвига, низкой энергии реорганизации и высокого квантового выхода фотолюминесценции. Это делает такие красители весьма перспективными для применения в OLED следующего поколения. Тем не менее, поиск новых MR-TADF структур является достаточно трудоемкой задачей, что связано с тем, что для предсказания свойств MR-TADF используются ресурсозатратные расчетные схемы, основанные на Coupled cluster методах, а синтез новых структур как правило многостадийный и требует довольно продвинутых методов. Таким образом, поиск новых инструментов молекулярного дизайна MR-TADF эмиттеров является очень актуальной фундаментальной задачей, стоящей перед исследователями в ближайшие 5 лет. В данном проекте предлагается разработать специализированные нейронные сети для ускоренного предсказания оптоэлектронных свойств новых структурных мотивов, обладающих эффектом множественного резонанса, разработать методы синтеза наиболее перспективных молекул для использования их в приложениях органической оптоэлектроники, включая уникальные подходы основанные на введении спироциклических фрагментов в молекулярную структуру с MR-TADF эффектом, что позволит получить узкополосные эмиттеры с высокой чистотой цвета. Помимо оптоэлектронных приложений органическая электроника, являясь биосовместимой и гибридной, может быть использована для устройств биоэлектроники, например имплантируемых сенсорных устройств или же создания искусственных синапсов и их сетей на основе нейроморфных транзисторов. Особый интерес к последним возник благодаря тому, что рост больших данных и Интернета вещей (IoT) выдвигает более высокие требования к скорости вычислений и энергопотреблению компьютерной системы. К сожалению, традиционные компьютеры на основе архитектуры фон Неймана сталкиваются с узкими местами, которые вызваны физическим разделением памяти и центрального процессора и высоким энергопотреблением. Следовательно, сегодня очень востребована более эффективная вычислительная система с низким энергопотреблением и высокой плотностью данных. По сравнению с традиционными компьютерами человеческий мозг обрабатывает информацию высокоскоростным параллельным способом с высокой отказоустойчивостью и энергоэффективностью (~20 Вт). Поэтому разработка нейроморфных вычислительных устройств, которые могут имитировать функции человеческого мозга, становится в настоящее время одним из актуальных направлений исследований. Мозг человека состоит из ~1011 нейронов и ~1015 синапсов. Синапсы действуют как мосты, соединяющие нейроны и образующие сложную нейронную сеть, которая наделяет мозг уникальными функциями. Таким образом, изготовление искусственных синаптических устройств является физической основой для построения нейроморфных вычислительных сетей. Различные типы устройств, такие как мемристоры, атомные переключатели, память с фазовым переходом (PCM) и полевой транзистор (FET), успешно использовались в качестве искусственных синапсов для имитации биологических синаптических функций.

Публикации и патенты

Адрес лаборатории

Новосибирск, улица Пирогова, 1
Необходимо авторизоваться.