Дроздецкий Максим Геннадьевич

Maxim Gennadyevich Drosdetsky
Публикаций
10
Цитирований
52
Индекс Хирша
4

Образование

Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
2016 — 2020, Аспирантура, Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
2010 — 2016, Специалитет, Факультет автоматики и электроники
Всего публикаций
10
Всего цитирований
52
Цитирований на публикацию
5.2
Среднее число публикаций в год
1.43
Среднее число соавторов
3.3
Годы публикаций
2014-2020 (7 лет)
h-index
4
i10-index
3
m-index
0.57
o-index
8
g-index
7
w-index
1
Описание метрик
h-index
Учёный имеет индекс h, если h из его N статей цитируются как минимум h раз каждая, в то время как оставшиеся (N - h) статей цитируются не более чем h раз каждая.
i10-index
Число статей автора, получивших не менее 10 ссылок каждая.
m-index
m-индекс ученого численно равен отношению его h-индекса к количеству лет, прошедших с момента первой публикации.
o-index
Среднее геометрическое h-индекса и числа цитирований наиболее цитируемой статьи ученого.
g-index
Для данного множества статей, отсортированного в порядке убывания количества цитирований, которые получили эти статьи, g-индекс это наибольшее число, такое что g самых цитируемых статей получили (суммарно) не менее g2 цитирований.
w-index
Если w статей ученого имеют не менее 10w цитирований каждая и другие статьи меньше, чем 10(w+1) цитирований, то w-индекс исследователя равен w.

Топ-100

Области наук

1
2
3
4
Electrical and Electronic Engineering, 4, 40%
Electrical and Electronic Engineering
4 публикации, 40%
Condensed Matter Physics, 3, 30%
Condensed Matter Physics
3 публикации, 30%
Electronic, Optical and Magnetic Materials, 2, 20%
Electronic, Optical and Magnetic Materials
2 публикации, 20%
Nuclear and High Energy Physics, 2, 20%
Nuclear and High Energy Physics
2 публикации, 20%
Nuclear Energy and Engineering, 2, 20%
Nuclear Energy and Engineering
2 публикации, 20%
Materials Chemistry, 1, 10%
Materials Chemistry
1 публикация, 10%
Surfaces, Coatings and Films, 1, 10%
Surfaces, Coatings and Films
1 публикация, 10%
Physical and Theoretical Chemistry, 1, 10%
Physical and Theoretical Chemistry
1 публикация, 10%
Spectroscopy, 1, 10%
Spectroscopy
1 публикация, 10%
Atomic and Molecular Physics, and Optics, 1, 10%
Atomic and Molecular Physics, and Optics
1 публикация, 10%
General Materials Science, 1, 10%
General Materials Science
1 публикация, 10%
General Engineering, 1, 10%
General Engineering
1 публикация, 10%
Energy Engineering and Power Technology, 1, 10%
Energy Engineering and Power Technology
1 публикация, 10%
Safety, Risk, Reliability and Quality, 1, 10%
Safety, Risk, Reliability and Quality
1 публикация, 10%
1
2
3
4

Журналы

1
2
IEEE Transactions on Nuclear Science
2 публикации, 20%
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
2 публикации, 20%
Microelectronics Reliability
1 публикация, 10%
High Temperature Material Processes
1 публикация, 10%
Journal of Semiconductors
1 публикация, 10%
1
2

Цитирующие журналы

1
2
3
4
5
6
7
8
9
Журнал не определён, 9, 17.31%
Журнал не определён
9 цитирований, 17.31%
Microelectronics Reliability
6 цитирований, 11.54%
Journal of Semiconductors
6 цитирований, 11.54%
IEEE Transactions on Nuclear Science
6 цитирований, 11.54%
IOP Conference Series: Materials Science and Engineering
4 цитирования, 7.69%
Journal of Surface Investigation
3 цитирования, 5.77%
Radiation Physics and Chemistry
3 цитирования, 5.77%
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment
3 цитирования, 5.77%
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
2 цитирования, 3.85%
Поверхность Рентгеновские синхротронные и нейтронные исследования
2 цитирования, 3.85%
Nuclear Science and Techniques/Hewuli
1 цитирование, 1.92%
Electronics (Switzerland)
1 цитирование, 1.92%
Integration, the VLSI Journal
1 цитирование, 1.92%
Acta Physica Sinica
1 цитирование, 1.92%
Energies
1 цитирование, 1.92%
Russian Microelectronics
1 цитирование, 1.92%
IEEE Transactions on Electron Devices
1 цитирование, 1.92%
Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics
1 цитирование, 1.92%
1
2
3
4
5
6
7
8
9

Издатели

1
2
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
2 публикации, 20%
SPIE-Intl Soc Optical Eng
2 публикации, 20%
Elsevier
1 публикация, 10%
Begell House
1 публикация, 10%
IOP Publishing
1 публикация, 10%
1
2

Организации из публикаций

1
2
3
4
5
6
Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
6 публикаций, 60%
Организация не определена, 4, 40%
Организация не определена
4 публикации, 40%
Научно-исследовательский институт системных исследований
2 публикации, 20%
1
2
3
4
5
6

Страны из публикаций

1
2
3
4
5
6
7
8
9
Россия, 9, 90%
Россия
9 публикаций, 90%
Страна не определена, 1, 10%
Страна не определена
1 публикация, 10%
1
2
3
4
5
6
7
8
9

Цитирующие организации

2
4
6
8
10
12
14
Организация не определена, 14, 26.92%
Организация не определена
14 цитирований, 26.92%
Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
13 цитирований, 25%
Московский государственный технический университет им. Н. Э. Баумана
5 цитирований, 9.62%
Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
3 цитирования, 5.77%
Научно-исследовательский институт системных исследований
2 цитирования, 3.85%
Университет Гренобль-Альпы
2 цитирования, 3.85%
Сидяньский университет
2 цитирования, 3.85%
Московский физико-технический институт
1 цитирование, 1.92%
Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
1 цитирование, 1.92%
Стамбульский технический университет
1 цитирование, 1.92%
Босфорский университет
1 цитирование, 1.92%
Технологический институт Гебзе
1 цитирование, 1.92%
Университет Цинхуа
1 цитирование, 1.92%
Пекинский университет
1 цитирование, 1.92%
Федеральная политехническая школа Лозанны
1 цитирование, 1.92%
Европейская организация по ядерным исследованиям
1 цитирование, 1.92%
Миланский университет Бикокка
1 цитирование, 1.92%
Автономный университет Барселоны
1 цитирование, 1.92%
Сианьский технологический университет
1 цитирование, 1.92%
Национальный институт ядерной физики
1 цитирование, 1.92%
Университет Удине
1 цитирование, 1.92%
Вандербильтский университет
1 цитирование, 1.92%
Университет Буэнос-Айреса
1 цитирование, 1.92%
Севильский университет
1 цитирование, 1.92%
Университет Карлоса III в Мадриде
1 цитирование, 1.92%
Институт микроэлектроники Барселоны
1 цитирование, 1.92%
Институт языковой литературы и антропологии
1 цитирование, 1.92%
Национальный центр микроэлектроники
1 цитирование, 1.92%
Испанский национальный центр ускорителей
1 цитирование, 1.92%
2
4
6
8
10
12
14

Цитирующие страны

5
10
15
20
25
Россия, 23, 44.23%
Россия
23 цитирования, 44.23%
Китай, 6, 11.54%
Китай
6 цитирований, 11.54%
Франция, 5, 9.62%
Франция
5 цитирований, 9.62%
Страна не определена, 3, 5.77%
Страна не определена
3 цитирования, 5.77%
Испания, 2, 3.85%
Испания
2 цитирования, 3.85%
США, 1, 1.92%
США
1 цитирование, 1.92%
Аргентина, 1, 1.92%
Аргентина
1 цитирование, 1.92%
Индия, 1, 1.92%
Индия
1 цитирование, 1.92%
Италия, 1, 1.92%
Италия
1 цитирование, 1.92%
Турция, 1, 1.92%
Турция
1 цитирование, 1.92%
Швейцария, 1, 1.92%
Швейцария
1 цитирование, 1.92%
5
10
15
20
25
  • Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
  • Статистика пересчитывается раз в сутки.
Владимир Валерьевич Репин, Игорь Игоревич Мухин, Максим Геннадьевич Дроздецкий
RU2601172C2, 2016
Владимир Валериевич Репин, Игорь Игоревич Мухин, Герман Владимирович Алексеев, Максим Геннадьевич Дроздецкий
RU2642538C1, 2018
Компания/Организация
ООО "НТР"
Должность
Ведущий инженер-схемотехник СВЧ
Тип занятости
Полная
Годы
2025 — нв
Компания/Организация
АО "НИИМА "Прогресс"
Должность
Ведущий Инженер
Тип занятости
Полная
Годы
2014 — 2025