Ищем пост-дока в МФТИ (лаборатория функциональных материалов и устройств для наноэлектроники)

Лаборатория функциональных материалов и устройств для наноэлектроники МФТИ ищет научного сотрудника с ученой степенью (кандидат наук, PhD) для участия в конкурсе по отбору перспективных молодых ученых и научных сотрудников в МФТИ в 2024 году. Дедлайн подачи заявки на конкурс 15 ноября 2024.

Предлагаемые темы проектов:

• Альтермагнетизм в эпитаксиальных тонких пленках RuO2

Синтез и исследование новых магнитных материалов для потенциальных применений в наноэлектронике исключительно актуальны c точки зрения как фундаментальной науки, так и разработки промышленных технологий. В нашей лаборатории это также является одной из важных тем [1,2,3]. Недавно был открыт новый класс магнитоупорядоченных материалов – альтермагнетики, в которых одновременно совмещаются свойства ферромагнетиков (аномальный эффект Холла, гигантское и туннельное магнитосопротивление, магнитооптика) и антиферромагнетиков (нулевая остаточная намагниченность) [4,5]. Такие материалы представляют интерес не только с фундаментальной точки зрения, но имеют потенциал перспективных применений в электронике. Одним из наиболее доступных альтермагнитных материалов является RuO2. В рамках данного проекта мы планируем освоить рост эпитаксиальных слоев RuO2 на монокристаллических подложках методом реактивного импульсного лазерного осаждения, исследовать их магнитные свойства с использованием магнитотранспортных измерений, оптическими и рентгеновскими спектроскопическими методами, и, в конечном итоге, создать на его основе прототипы устройств магнитоэлектроники с новыми свойствами.

• Нейроморфные устройства на основе сегнетоэлектрического Hf1-xZrxO2 и тонкопленочных оксидных полупроводников

Исследование оксидов Hf1-xZrxO2 (HZO) в последние годы является одним из главных фокусов нашей и смежных лабораторий, функционирующих на базе Центра коллективного пользования уникальным научным оборудованием в области нанотехнологий (ЦКП) МФТИ [6,7,8,9]. В частности, в лаборатории активно проводятся разработка и исследование электронных устройств, называемых мемристорами, с помощью которых можно эмулировать поведение синапсов или нейронов мозга для построения в «железе» искусственных нейронных сетей [10,11,12]. Благодаря интегрированности HZO в современную кремниевую микроэлектронную технологию, существует реальная перспектива создания массовых электронных устройств на его основе уже в ближайшие годы. В рамках данного проекта мы планируем создать сегнетоэлектрические запоминающие и нейроморфные устройства на основе HZO с неразрушающим считыванием информации, которое обеспечивается благодаря эффекту поля сегнетоэлектрических зарядов в полупроводниковом канале. Для этого планируется освоить рост оксидных полупроводников (ZnO, IGZO, ITO,…) методами магнетронного распыления и/или импульсного лазерного осаждения, изготовить транзисторные устройства на их основе и оптимизировать их свойства для демонстрации как синаптической, так и нейронной функциональности.

Условия участия в программе (см. положение о конкурсе):

• наличие ученой степени;
• для трека «молодые ученые»: возраст до 35 лет, не менее 3 опубликованных статей, опыт работы в ведущих исследовательских организациях;
• для трека «научные работники»: не менее 8 опубликованных статей и не менее 5 лет опыта работы в ведущих исследовательских организациях;
• отсутствие трудоустройства в МФТИ по основному месту работы с 1 января 2022 года до 9 сентября 2024 года.

Обязанности после трудоустройства:

• преподавательская деятельность после трудоустройства (не менее 0,15 ставки);
• по итогам каждого года: 1 статья в Q1 или 1 статья + 1 патент.

Условия работы:

• з/п от 100 до 140 тыс. руб. в месяц по треку «молодые ученые»/от 120 до 180 тыс. руб. в месяц по треку «научные сотрудники», также возможны надбавки по результатам работы;
• работа в лаборатории на базе ЦКП МФТИ с доступом к большому парку современного ростового, технологического и аналитического оборудования;
• гибкий рабочий график, возможность профессионального роста, работа в команде ученых и инженеров, увлеченных современной прикладной физикой, нанотехнологиями и электроникой.

Для получения более подробной информации обращайтесь к заведующему лабораторией:

Андрей Владимирович Зенкевич

+7-903-687-49-45

zenkevich.av@mipt.ru