Необходимо авторизоваться.

Молекулярно-лучевая эпитаксия полупроводников А3В5; гетероструктуры; квантовые ямы; квантовые точки; нитевидные нанокристаллы (нанопроволоки); процессы самоорганизации наноструктур; ионно-лучевая литография; процессы пост-ростовой обработки полупроводнико

  1. Атомно-силовая микроскопия (АСМ)
  2. Осаждение тонких пленок
  3. Плазмохимическое травление
  4. Спектроскопия КР (Рамановская)
  5. Фотолюминесценция
  6. Электронная и ионная литография
  7. Электронная микроскопия
  8. Электронно-ионно-плазменные методы обработки
  9. Фокусированные ионные пучки
Солодовник Максим Сергеевич
Максим Солодовник 🥼 🤝
Заведующий
Балакирев Сергей Вячеславович
Сергей Балакирев
Ведущий научный сотрудник
Наталия Солодовник
Младший научный сотрудник
Еременко Михаил Михайлович
Михаил Еременко
Младший научный сотрудник
Никита Шандыба
Младший научный сотрудник
Всего публикаций
77
Всего цитирований
354
Цитирований на публикацию
4.6
Среднее число публикаций в год
5.5
Годы публикаций
2012-2025 (14 лет)
h-index
12
i10-index
15
m-index
0.86
o-index
18
g-index
16
w-index
2
Описание метрик
h-index
Учёный имеет индекс h, если h из его N статей цитируются как минимум h раз каждая, в то время как оставшиеся (N - h) статей цитируются не более чем h раз каждая.
i10-index
Число статей автора, получивших не менее 10 ссылок каждая.
m-index
m-индекс ученого численно равен отношению его h-индекса к количеству лет, прошедших с момента первой публикации.
o-index
Среднее геометрическое h-индекса и числа цитирований наиболее цитируемой статьи ученого.
g-index
Для данного множества статей, отсортированного в порядке убывания количества цитирований, которые получили эти статьи, g-индекс это наибольшее число, такое что g самых цитируемых статей получили (суммарно) не менее g2 цитирований.
w-index
Если w статей ученого имеют не менее 10w цитирований каждая и другие статьи меньше, чем 10(w+1) цитирований, то w-индекс исследователя равен w.

Топ-100

Области наук

5
10
15
20
25
30
General Physics and Astronomy, 28, 36.36%
General Physics and Astronomy
28 публикаций, 36.36%
Condensed Matter Physics, 11, 14.29%
Condensed Matter Physics
11 публикаций, 14.29%
General Materials Science, 10, 12.99%
General Materials Science
10 публикаций, 12.99%
Electronic, Optical and Magnetic Materials, 6, 7.79%
Electronic, Optical and Magnetic Materials
6 публикаций, 7.79%
Electrical and Electronic Engineering, 5, 6.49%
Electrical and Electronic Engineering
5 публикаций, 6.49%
General Chemistry, 4, 5.19%
General Chemistry
4 публикации, 5.19%
Surfaces, Coatings and Films, 3, 3.9%
Surfaces, Coatings and Films
3 публикации, 3.9%
Inorganic Chemistry, 3, 3.9%
Inorganic Chemistry
3 публикации, 3.9%
Physics and Astronomy (miscellaneous), 3, 3.9%
Physics and Astronomy (miscellaneous)
3 публикации, 3.9%
Mechanical Engineering, 3, 3.9%
Mechanical Engineering
3 публикации, 3.9%
Bioengineering, 3, 3.9%
Bioengineering
3 публикации, 3.9%
General Engineering, 3, 3.9%
General Engineering
3 публикации, 3.9%
Mechanics of Materials, 3, 3.9%
Mechanics of Materials
3 публикации, 3.9%
Materials Chemistry, 2, 2.6%
Materials Chemistry
2 публикации, 2.6%
General Chemical Engineering, 2, 2.6%
General Chemical Engineering
2 публикации, 2.6%
Atomic and Molecular Physics, and Optics, 2, 2.6%
Atomic and Molecular Physics, and Optics
2 публикации, 2.6%
Catalysis, 1, 1.3%
Catalysis
1 публикация, 1.3%
Organic Chemistry, 1, 1.3%
Organic Chemistry
1 публикация, 1.3%
Physical and Theoretical Chemistry, 1, 1.3%
Physical and Theoretical Chemistry
1 публикация, 1.3%
Computer Science Applications, 1, 1.3%
Computer Science Applications
1 публикация, 1.3%
Spectroscopy, 1, 1.3%
Spectroscopy
1 публикация, 1.3%
Molecular Biology, 1, 1.3%
Molecular Biology
1 публикация, 1.3%
General Medicine, 1, 1.3%
General Medicine
1 публикация, 1.3%
Pharmacology (medical), 1, 1.3%
Pharmacology (medical)
1 публикация, 1.3%
Process Chemistry and Technology, 1, 1.3%
Process Chemistry and Technology
1 публикация, 1.3%
Instrumentation, 1, 1.3%
Instrumentation
1 публикация, 1.3%
Surfaces and Interfaces, 1, 1.3%
Surfaces and Interfaces
1 публикация, 1.3%
Hardware and Architecture, 1, 1.3%
Hardware and Architecture
1 публикация, 1.3%
Computer Networks and Communications, 1, 1.3%
Computer Networks and Communications
1 публикация, 1.3%
Control and Systems Engineering, 1, 1.3%
Control and Systems Engineering
1 публикация, 1.3%
Signal Processing, 1, 1.3%
Signal Processing
1 публикация, 1.3%
Acoustics and Ultrasonics, 1, 1.3%
Acoustics and Ultrasonics
1 публикация, 1.3%
5
10
15
20
25
30

Журналы

5
10
15
20
25
30
Journal of Physics: Conference Series
27 публикаций, 35.06%
St Petersburg State Polytechnical University Journal Physics and Mathematics
12 публикаций, 15.58%
Nanotechnologies in Russia
3 публикации, 3.9%
Applied Surface Science
3 публикации, 3.9%
Nanotechnology
3 публикации, 3.9%
Semiconductors
2 публикации, 2.6%
SSRN Electronic Journal
2 публикации, 2.6%
Optics Letters
1 публикация, 1.3%
Applied Physics Letters
1 публикация, 1.3%
Electronics (Switzerland)
1 публикация, 1.3%
Journal of Luminescence
1 публикация, 1.3%
Physical Review Materials
1 публикация, 1.3%
Optical Materials
1 публикация, 1.3%
Nanomaterials
1 публикация, 1.3%
Physica Status Solidi (B): Basic Research
1 публикация, 1.3%
Physics of the Solid State
1 публикация, 1.3%
International Journal of Molecular Sciences
1 публикация, 1.3%
Journal Physics D: Applied Physics
1 публикация, 1.3%
Journal of Crystal Growth
1 публикация, 1.3%
Crystals
1 публикация, 1.3%
Technical Physics
1 публикация, 1.3%
Journal of Vacuum Science and Technology B
1 публикация, 1.3%
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
1 публикация, 1.3%
Materials
1 публикация, 1.3%
Nanobiotechnology Reports
1 публикация, 1.3%
Springer Proceedings in Physics
1 публикация, 1.3%
5
10
15
20
25
30

Цитирующие журналы

20
40
60
80
100
120
140
160
180
Journal of Physics: Conference Series
168 цитирований, 47.46%
Журнал не определён, 23, 6.5%
Журнал не определён
23 цитирования, 6.5%
IOP Conference Series: Materials Science and Engineering
23 цитирования, 6.5%
Applied Surface Science
17 цитирований, 4.8%
Nanotechnology
12 цитирований, 3.39%
Russian Microelectronics
7 цитирований, 1.98%
Nanobiotechnology Reports
7 цитирований, 1.98%
Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films
6 цитирований, 1.69%
Nanomaterials
6 цитирований, 1.69%
Materials
6 цитирований, 1.69%
Nanotechnologies in Russia
5 цитирований, 1.41%
Physica Status Solidi (B): Basic Research
5 цитирований, 1.41%
Technical Physics
5 цитирований, 1.41%
Applied Physics Letters
3 цитирования, 0.85%
Optical Materials
3 цитирования, 0.85%
Crystals
3 цитирования, 0.85%
Journal of Luminescence
2 цитирования, 0.56%
Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing
2 цитирования, 0.56%
Physics of the Solid State
2 цитирования, 0.56%
Semiconductors
2 цитирования, 0.56%
Journal of Surface Investigation
1 цитирование, 0.28%
Plasma Science and Technology
1 цитирование, 0.28%
Surface Science
1 цитирование, 0.28%
ACS applied materials & interfaces
1 цитирование, 0.28%
Molecules
1 цитирование, 0.28%
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes
1 цитирование, 0.28%
Advanced Optical Materials
1 цитирование, 0.28%
Journal of Solid State Chemistry
1 цитирование, 0.28%
Laser Physics Letters
1 цитирование, 0.28%
Colloid Journal
1 цитирование, 0.28%
Materials Research Express
1 цитирование, 0.28%
Small Methods
1 цитирование, 0.28%
Advanced Electronic Materials
1 цитирование, 0.28%
Electronics (Switzerland)
1 цитирование, 0.28%
Materials Today
1 цитирование, 0.28%
Spectrochimica Acta - Part A: Molecular and Biomolecular Spectroscopy
1 цитирование, 0.28%
Advanced Functional Materials
1 цитирование, 0.28%
International Journal of Hydrogen Energy
1 цитирование, 0.28%
Journal of Lightwave Technology
1 цитирование, 0.28%
Solid State Sciences
1 цитирование, 0.28%
Vacuum
1 цитирование, 0.28%
Journal of Materials Chemistry B
1 цитирование, 0.28%
Industrial & Engineering Chemistry Research
1 цитирование, 0.28%
Ionics
1 цитирование, 0.28%
Nano Research
1 цитирование, 0.28%
Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures
1 цитирование, 0.28%
Physica A: Statistical Mechanics and its Applications
1 цитирование, 0.28%
Journal of Advanced Dielectrics
1 цитирование, 0.28%
Ceramics International
1 цитирование, 0.28%
Physical Review Applied
1 цитирование, 0.28%
Surface Review and Letters
1 цитирование, 0.28%
Journal of Crystal Growth
1 цитирование, 0.28%
Optical and Quantum Electronics
1 цитирование, 0.28%
Contributions to Plasma Physics
1 цитирование, 0.28%
Microelectronic Engineering
1 цитирование, 0.28%
Physica B: Condensed Matter
1 цитирование, 0.28%
ACS Omega
1 цитирование, 0.28%
Ferroelectrics
1 цитирование, 0.28%
Inorganic Materials: Applied Research
1 цитирование, 0.28%
AIP Conference Proceedings
1 цитирование, 0.28%
Results in Physics
1 цитирование, 0.28%
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
1 цитирование, 0.28%
Journal of Molecular and Engineering Materials
1 цитирование, 0.28%
InfoMat
1 цитирование, 0.28%
Advanced Photonics Research
1 цитирование, 0.28%
Memories - Materials Devices Circuits and Systems
1 цитирование, 0.28%
Springer Proceedings in Physics
1 цитирование, 0.28%
20
40
60
80
100
120
140
160
180

Цитируемые журналы

20
40
60
80
100
120
140
160
Applied Physics Letters
144 цитирования, 10.2%
Journal of Crystal Growth
118 цитирований, 8.36%
Physical Review B
73 цитирования, 5.17%
Journal of Applied Physics
62 цитирования, 4.39%
Nanotechnology
60 цитирований, 4.25%
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes
46 цитирований, 3.26%
Applied Surface Science
42 цитирования, 2.97%
Physical Review Letters
39 цитирований, 2.76%
Nano Letters
33 цитирования, 2.34%
Semiconductors
30 цитирований, 2.12%
Surface Science
29 цитирований, 2.05%
Journal of Physics: Conference Series
29 цитирований, 2.05%
Physica Status Solidi (B): Basic Research
26 цитирований, 1.84%
Nanotechnologies in Russia
24 цитирования, 1.7%
Crystal Growth and Design
24 цитирования, 1.7%
Nanoscale Research Letters
21 цитирование, 1.49%
Nanomaterials
19 цитирований, 1.35%
Microelectronic Engineering
19 цитирований, 1.35%
Physics of the Solid State
18 цитирований, 1.27%
Journal of Vacuum Science and Technology B
18 цитирований, 1.27%
Technical Physics
17 цитирований, 1.2%
Thin Solid Films
16 цитирований, 1.13%
Semiconductor Science and Technology
16 цитирований, 1.13%
Журнал не определён, 14, 0.99%
Журнал не определён
14 цитирований, 0.99%
Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films
14 цитирований, 0.99%
Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures
13 цитирований, 0.92%
Scientific Reports
12 цитирований, 0.85%
Nature
12 цитирований, 0.85%
IEEE Transactions on Nanotechnology
9 цитирований, 0.64%
IOP Conference Series: Materials Science and Engineering
9 цитирований, 0.64%
Applied Nanoscience (Switzerland)
9 цитирований, 0.64%
Nature Photonics
9 цитирований, 0.64%
Journal of Physics Condensed Matter
8 цитирований, 0.57%
ACS Nano
8 цитирований, 0.57%
Optics Express
8 цитирований, 0.57%
Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology
8 цитирований, 0.57%
Nature Materials
8 цитирований, 0.57%
NanoScience and Technology
8 цитирований, 0.57%
Russian Microelectronics
8 цитирований, 0.57%
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena
8 цитирований, 0.57%
Solid-State Electronics
7 цитирований, 0.5%
Journal of Luminescence
7 цитирований, 0.5%
Crystals
7 цитирований, 0.5%
Electronics Letters
7 цитирований, 0.5%
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
7 цитирований, 0.5%
Ultramicroscopy
6 цитирований, 0.42%
Journal of Materials Research
6 цитирований, 0.42%
IEEE Photonics Technology Letters
6 цитирований, 0.42%
Applied Physics A: Materials Science and Processing
6 цитирований, 0.42%
Journal Physics D: Applied Physics
6 цитирований, 0.42%
Comptes Rendus Physique
6 цитирований, 0.42%
Nanoscale
5 цитирований, 0.35%
New Journal of Physics
5 цитирований, 0.35%
Progress in Quantum Electronics
5 цитирований, 0.35%
IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics
5 цитирований, 0.35%
Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials
5 цитирований, 0.35%
Journal of Materials Science
5 цитирований, 0.35%
Laser and Photonics Reviews
5 цитирований, 0.35%
Journal of Micromechanics and Microengineering
5 цитирований, 0.35%
IEEE Transactions on Electron Devices
5 цитирований, 0.35%
Materials Science and Engineering: R: Reports
4 цитирования, 0.28%
Physica Status Solidi - Rapid Research Letters
4 цитирования, 0.28%
IEEE Journal of Quantum Electronics
4 цитирования, 0.28%
Science
4 цитирования, 0.28%
Journal of Physical Chemistry C
4 цитирования, 0.28%
Progress in Materials Science
4 цитирования, 0.28%
Nature Nanotechnology
3 цитирования, 0.21%
Materials Letters
3 цитирования, 0.21%
Applied Physics Reviews
3 цитирования, 0.21%
Nano Today
3 цитирования, 0.21%
Computational Materials Science
3 цитирования, 0.21%
Electronics (Switzerland)
3 цитирования, 0.21%
Materials Today
3 цитирования, 0.21%
Small
3 цитирования, 0.21%
Review of Scientific Instruments
3 цитирования, 0.21%
Springer Handbooks
3 цитирования, 0.21%
IEEE Photonics Journal
3 цитирования, 0.21%
Surface and Interface Analysis
3 цитирования, 0.21%
Sensors and Actuators, A: Physical
3 цитирования, 0.21%
Proceedings of the IEEE
3 цитирования, 0.21%
Computer Networks
3 цитирования, 0.21%
Technical Physics Letters
3 цитирования, 0.21%
phys stat sol (a)
3 цитирования, 0.21%
Optics Letters
2 цитирования, 0.14%
Microprocessors and Microsystems
2 цитирования, 0.14%
Microelectronics Reliability
2 цитирования, 0.14%
Surface Science Reports
2 цитирования, 0.14%
Physical Chemistry Chemical Physics
2 цитирования, 0.14%
RSC Advances
2 цитирования, 0.14%
Nature Communications
2 цитирования, 0.14%
Journal of Computer and System Sciences
2 цитирования, 0.14%
Journal of the Electrochemical Society
2 цитирования, 0.14%
Physical Review Materials
2 цитирования, 0.14%
Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science
2 цитирования, 0.14%
Reports on Progress in Physics
2 цитирования, 0.14%
Physics-Uspekhi
2 цитирования, 0.14%
Journal of Applied Crystallography
2 цитирования, 0.14%
Progress in Surface Science
2 цитирования, 0.14%
ACS Photonics
2 цитирования, 0.14%
European Physical Journal A
2 цитирования, 0.14%
20
40
60
80
100
120
140
160

Издатели

5
10
15
20
25
30
35
IOP Publishing
31 публикация, 40.26%
Saint Petersburg State Polytechnical University
12 публикаций, 15.58%
Pleiades Publishing
8 публикаций, 10.39%
Elsevier
6 публикаций, 7.79%
MDPI
5 публикаций, 6.49%
Social Science Electronic Publishing
2 публикации, 2.6%
Springer Nature
1 публикация, 1.3%
Wiley
1 публикация, 1.3%
AIP Publishing
1 публикация, 1.3%
Optica Publishing Group
1 публикация, 1.3%
American Physical Society (APS)
1 публикация, 1.3%
American Vacuum Society
1 публикация, 1.3%
SPIE-Intl Soc Optical Eng
1 публикация, 1.3%
5
10
15
20
25
30
35

Организации из публикаций

10
20
30
40
50
60
Южный федеральный университет
55 публикаций, 71.43%
Организация не определена, 22, 28.57%
Организация не определена
22 публикации, 28.57%
Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
8 публикаций, 10.39%
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
3 публикации, 3.9%
Санкт-Петербургский Политехнический Университет Петра Великого
2 публикации, 2.6%
Университет Глазго
2 публикации, 2.6%
Кёльнский университет
2 публикации, 2.6%
Университет Париж-Сакле
2 публикации, 2.6%
Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
1 публикация, 1.3%
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж. И. Алфёрова РАН
1 публикация, 1.3%
Университет Тура
1 публикация, 1.3%
10
20
30
40
50
60

Страны из публикаций

10
20
30
40
50
60
70
Россия, 61, 79.22%
Россия
61 публикация, 79.22%
Страна не определена, 16, 20.78%
Страна не определена
16 публикаций, 20.78%
Германия, 2, 2.6%
Германия
2 публикации, 2.6%
Франция, 2, 2.6%
Франция
2 публикации, 2.6%
Великобритания, 2, 2.6%
Великобритания
2 публикации, 2.6%
10
20
30
40
50
60
70

Цитирующие организации

10
20
30
40
50
60
70
80
90
Южный федеральный университет
88 цитирований, 24.86%
Организация не определена, 27, 7.63%
Организация не определена
27 цитирований, 7.63%
Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
7 цитирований, 1.98%
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
7 цитирований, 1.98%
Южный научный центр РАН
4 цитирования, 1.13%
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
3 цитирования, 0.85%
Университет ИТМО
2 цитирования, 0.56%
Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина
2 цитирования, 0.56%
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж. И. Алфёрова РАН
2 цитирования, 0.56%
Воронежский государственный университет
2 цитирования, 0.56%
Хуачжунский университет науки и технологии
2 цитирования, 0.56%
Университет Тунлин
2 цитирования, 0.56%
Университет Донгук
2 цитирования, 0.56%
Университет науки и технологий Китая
2 цитирования, 0.56%
Юлихский исследовательский центр
2 цитирования, 0.56%
Университет Париж-Сакле
2 цитирования, 0.56%
Университет Арканзаса в Фейетвилле
2 цитирования, 0.56%
Шанхайский институт технической физики, Китайская академия наук
2 цитирования, 0.56%
Сколковский институт науки и технологий
1 цитирование, 0.28%
Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
1 цитирование, 0.28%
Московский государственный технический университет им. Н. Э. Баумана
1 цитирование, 0.28%
Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
1 цитирование, 0.28%
Физико-технологический институт имени К.А. Валиева
1 цитирование, 0.28%
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского
1 цитирование, 0.28%
Санкт-Петербургский Политехнический Университет Петра Великого
1 цитирование, 0.28%
Санкт-Петербургский государственный университет
1 цитирование, 0.28%
Казахский национальный университет имени аль-Фараби
1 цитирование, 0.28%
Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»
1 цитирование, 0.28%
Федеральный исследовательский центр проблем химической физики и медицинской химии РАН
1 цитирование, 0.28%
Институт аналитического приборостроения РАН
1 цитирование, 0.28%
Ташкентский государственный технический университет имени Ислама Каримова
1 цитирование, 0.28%
Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН Республики Узбекистан
1 цитирование, 0.28%
Институт катализа и неорганической химии имени академика М.Нагиева Министерства науки и образования республики Азербайджан
1 цитирование, 0.28%
Университет короля Сауда
1 цитирование, 0.28%
Газанский университет
1 цитирование, 0.28%
Тебризский университет
1 цитирование, 0.28%
Университет Пенджаба
1 цитирование, 0.28%
Лахорский университет
1 цитирование, 0.28%
Индийский институт технологии в Индауре
1 цитирование, 0.28%
Национальный институт Хоми Бхабха
1 цитирование, 0.28%
Прекрасный профессиональный университет
1 цитирование, 0.28%
Университет нефти и энергетики
1 цитирование, 0.28%
Центр атомных исследований Индиры Ганди
1 цитирование, 0.28%
Пекинский технологический институт
1 цитирование, 0.28%
Университет Китайской академии наук
1 цитирование, 0.28%
Центральный университет Джаркханда
1 цитирование, 0.28%
Харбинский политехнический университет
1 цитирование, 0.28%
Технологический институт Карлсруэ
1 цитирование, 0.28%
Гентский университет
1 цитирование, 0.28%
Центрально-южный университет лесного хозяйства и технологий
1 цитирование, 0.28%
Центральный южный университет
1 цитирование, 0.28%
Нанкинский университет
1 цитирование, 0.28%
Университет Чаудхари Чаран Сингха
1 цитирование, 0.28%
Цзянсуский педагогический университет
1 цитирование, 0.28%
Хэбэйский инженерный университет
1 цитирование, 0.28%
Хэбэйский университет
1 цитирование, 0.28%
Хэбэйский сельскохозяйственный университет
1 цитирование, 0.28%
Хэбэйский Северный университет
1 цитирование, 0.28%
Национальный университет Сунь Ятсена
1 цитирование, 0.28%
Южно-Китайский педагогический университет
1 цитирование, 0.28%
Цзяннаньский университет
1 цитирование, 0.28%
Национальный институт материаловедения
1 цитирование, 0.28%
Норвежский университет науки и технологий
1 цитирование, 0.28%
Институт технологии Бирлы в Месре
1 цитирование, 0.28%
Университет Сорбонна
1 цитирование, 0.28%
Национальный университет Сингапура
1 цитирование, 0.28%
Юго-Западный нефтяной университет
1 цитирование, 0.28%
Чэндуский университет информационных технологий
1 цитирование, 0.28%
Национальный центральный университет
1 цитирование, 0.28%
Гаосюнский медицинский университет
1 цитирование, 0.28%
Университет Глазго
1 цитирование, 0.28%
Университет штата Айова
1 цитирование, 0.28%
Университет Сэма Ратуланги
1 цитирование, 0.28%
Университет Чулалонгкорна
1 цитирование, 0.28%
Институт синхротронного излучения
1 цитирование, 0.28%
Университет Аджу
1 цитирование, 0.28%
Калифорнийский университет в Лос-Анджелесе
1 цитирование, 0.28%
Калифорнийский университет в Санта-Барбаре
1 цитирование, 0.28%
Шаньдунский университет
1 цитирование, 0.28%
Хунаньский технологический университет
1 цитирование, 0.28%
Хунаньский университет
1 цитирование, 0.28%
Кёльнский университет
1 цитирование, 0.28%
Агентство науки, технологий и исследований
1 цитирование, 0.28%
Рурский университет
1 цитирование, 0.28%
Севильский университет
1 цитирование, 0.28%
Сучжоуский институт нанотехнологий и нанобионики Китайской академии наук
1 цитирование, 0.28%
Рейнско-Вестфальский технический университет Ахена
1 цитирование, 0.28%
Лейденский университет
1 цитирование, 0.28%
Университет Пердью
1 цитирование, 0.28%
Университет Висконсин в Мадисоне
1 цитирование, 0.28%
Шеффилдский университет
1 цитирование, 0.28%
Кадисский университет
1 цитирование, 0.28%
Лаборатория военно-морских исследований США
1 цитирование, 0.28%
Центр совместных инноваций передовых микроструктур
1 цитирование, 0.28%
Национальный университет Колумбии
1 цитирование, 0.28%
Институт материаловедения и инженерии
1 цитирование, 0.28%
Автономный университет Пуэбла
1 цитирование, 0.28%
Автономный университет Сан-Луис-Потоси
1 цитирование, 0.28%
Университет Тура
1 цитирование, 0.28%
Парижский институт нанонаук
1 цитирование, 0.28%
10
20
30
40
50
60
70
80
90

Цитирующие страны

20
40
60
80
100
120
Россия, 108, 30.51%
Россия
108 цитирований, 30.51%
Страна не определена, 22, 6.21%
Страна не определена
22 цитирования, 6.21%
Китай, 19, 5.37%
Китай
19 цитирований, 5.37%
США, 9, 2.54%
США
9 цитирований, 2.54%
Германия, 6, 1.69%
Германия
6 цитирований, 1.69%
Индия, 6, 1.69%
Индия
6 цитирований, 1.69%
Франция, 4, 1.13%
Франция
4 цитирования, 1.13%
Великобритания, 3, 0.85%
Великобритания
3 цитирования, 0.85%
Сингапур, 3, 0.85%
Сингапур
3 цитирования, 0.85%
Иран, 2, 0.56%
Иран
2 цитирования, 0.56%
Испания, 2, 0.56%
Испания
2 цитирования, 0.56%
Мексика, 2, 0.56%
Мексика
2 цитирования, 0.56%
Республика Корея, 2, 0.56%
Республика Корея
2 цитирования, 0.56%
Саудовская Аравия, 2, 0.56%
Саудовская Аравия
2 цитирования, 0.56%
Узбекистан, 2, 0.56%
Узбекистан
2 цитирования, 0.56%
Казахстан, 1, 0.28%
Казахстан
1 цитирование, 0.28%
Азербайджан, 1, 0.28%
Азербайджан
1 цитирование, 0.28%
Бельгия, 1, 0.28%
Бельгия
1 цитирование, 0.28%
Индонезия, 1, 0.28%
Индонезия
1 цитирование, 0.28%
Колумбия, 1, 0.28%
Колумбия
1 цитирование, 0.28%
Нидерланды, 1, 0.28%
Нидерланды
1 цитирование, 0.28%
Норвегия, 1, 0.28%
Норвегия
1 цитирование, 0.28%
Пакистан, 1, 0.28%
Пакистан
1 цитирование, 0.28%
Таиланд, 1, 0.28%
Таиланд
1 цитирование, 0.28%
Япония, 1, 0.28%
Япония
1 цитирование, 0.28%
20
40
60
80
100
120
  • Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
  • Статистика пересчитывается раз в сутки.

Направления исследований

Гетероструктуры III-V с квантово-размерной активной областью

+
Дизайн и технологии гетероструктур III-V с активной областью на основе квантово-размерных структур (QW, QD), в т.ч. для создания на их основе низкопороговых лазеров и микролазеров диапазона 950 – 1300 нм с высокой дифференциальной эффективностью и стабильностью характеристик

Низкоплотные и упорядоченные квантовые точки III-V

+
Разработка технологий создания гетероструктур с активной областью на основе одиночных квантовых точек и упорядоченных в плоскости подложки их массивов и устройств на их основе.

Интеграция полупроводников III-V на Si

+
Разработка и исследование технологий интеграции, в т.ч. микроразмерной, полупроводников III-V на подложках Si (SOI) для создания активных сред светодиодов, лазеров, фотодетекторов, в т.ч. в интегральном исполнении, непосредственно на кремниевой платформе.

Субмикронная литография, модификация и процессирование полупроводниковых структур

+
Разработка и исследование технологий субмикронной литографии, локальной модификации и процессирования полупроводниковых гетероструктур и приборов на их основе.

Публикации и патенты

Данил Владимирович Кириченко, Наталия Евгеньевна Черненко, Денис Дмитриевич Духан, Никита Андреевич Шандыба, Сергей Вячеславович Балакирев, Михаил Михайлович Ерёменко, Максим Сергеевич Солодовник
RU2840638, 2025
Наталия Евгеньевна Черненко, Данил Владимирович Кириченко, Сергей Вячеславович Балакирев, Наталья Владимировна Крыжановская, Максим Сергеевич Солодовник
RU2828622, 2024
Наталия Евгеньевна Черненко, Данил Владимирович Кириченко, Сергей Вячеславович Балакирев, Никита Андреевич Шандыба, Максим Сергеевич Солодовник
RU2815854, 2024
Максим Сергеевич Солодовник, Наталия Евгеньевна Черненко, Сергей Вячеславович Балакирев, Михаил Михайлович Еременко
RU2766832, 2022
Максим Сергеевич Солодовник, Наталия Евгеньевна Черненко, Сергей Вячеславович Балакирев, Михаил Михайлович Еременко, Олег Алексеевич Агеев
RU2748938, 2021

Партнёры

Адрес лаборатории

Таганрог, ул. Шевченко 2, корпус Е
Необходимо авторизоваться.