Басов Михаил Викторович

Mikhail Viktorovich Basov
к.т.н.
🥼
🥼
Михаил может стать вашим научным руководителем
Если вы хотите работать под его/её руководством, напишите сообщение или свяжитесь с ним/ней в соцсетях.
Необходимо авторизоваться.
🤝
🤝
Михаил ищет возможности для научного сотрудничества
Если вы хотите провести с ним/ней совместное исследование, напишите сообщение или свяжитесь с ним/ней в соцсетях.
Необходимо авторизоваться.
Публикаций
15
Цитирований
339
Индекс Хирша
10

О себе

36 лет / Москва, Россия / +7 (925) 625-03-53 / engineerbasovm@gmail.com

Научная степень: Кандидат технических наук

  • Организация: Национальный Исследовательский Ядерный Университет «Московский Инженерно-Физический Институт» (НИЯУ МИФИ)
  • Организация, где выполнялась работа: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие «Всероссийский Научно-Исследовательский Институт Автоматики им. Н.Л. Духова» (ФГУП ВНИИА)
  • Период обучения (соискательство): август 2013 г. – октябрь 2022 г.
  • Название диссертационной работы: Схемотехнические решения по повышению чувствительности тензорезистивных преобразователей давления
  • Специальность: 05.13.05 – элементы и устройства вычислительной техники и систем управления

Высшее образование: Специалист. Инженер-физик

  • Организация: НИЯУ МИФИ
  • Период обучения: сентябрь 2006 г. – февраль 2012 г.
  • Факультет: Автоматика и Электроника
  • Кафедра: Микро- и наноэлектроника
  • Специальность: 14.05.04 – Электроника и автоматика физических установок

Опыт работы

  • Организация: ФГУП ВНИИА
  • Период: апрель 2012 г. – настоящее время
  • Должность: инженер-технолог 1 категории
  • Период: ноябрь 2010 г. – февраль 2012 г.
  • Должность: стажёр

Профессиональные навыки:

  • Разработка конструкций и технологий МЭМС. Опыт работы более 10 лет по производству микроэлектронных преобразователей давления (приоритетно на тезорезистивном эффекте) и температуры (приоритетно на базе p-n перехода и барьера Шоттки): уверенное понимание физики твердого тела, принципов работы полупроводниковых устройств, теоретический расчет и программное моделирование, создание топологии и участие в полном цикле производственного процесса
  • Проведение независимых и командных исследований по разработкам передовых устройств в полупроводниковой промышленности. Управление проектами, концептуальная организация исследований, личное участие в разработках (от теоретических основ до финального продукта) и делегирование функционала в команде. Рад делиться своим опытом с командой и получать новые знания от коллег. Опыт работы в командах от 5 до 50 человек в зависимости от проектов
  • Реализация и доказательство использования новых идей по процессам на пластинах (frontend) и в корпусе (backend). Выполнение технологических экспериментов для разработки новых этапов процесса, модулей и партий в целом для создания функциональных прототипов
  • Управление и контроль за технологическими/производственными биполярными и КМОП процессами в чистых комнатах: поверхностная обработка (ЖХТ и ПХТ), фотолитография, процессы легирования (ионное легирование, диффузия, отжиг и окисление), CVD процессы для осаждения и травления диэлектрических пленок, напыление металлов, объемная обработка кремния с помощью жидкостного и сухого травления, корпусирование и разварка кристалла
  • Планирование статистических экспериментов. Большой опыт тестирования разработок и продуктов, выпускаемых массово, на промежуточном и финальном уровне производства.
  • Анализ научной и технической информации, исследование/доказательство актуальности путей решения для проблем
  • Определение и решение ключевых задач в пределах моей компетенции. Общение и решение этих задач в тесном сотрудничестве с внутренней командой и внешними партнерами. Детальный анализ и определение основных узких мест проблем
  • Владение высоким уровнем в реализации краткости и ясности отчетной презентации
  • Самостоятельная публикация завершенных работ в передовых мировых журналах с высоким импакт-фактором: подготовка презентабельного материала; обсуждение и доказательство актуальности исследований при общении с рецензентами и редакторами журналов; распространение опубликованных материалов для увеличения большего интереса у сторонних исследователей и компаний
  • Грамотное оформление правовых охранных документов, патентов и коммерческой тайны
  • Владение языками: русский и английский (уровень Upper-Intermediate, имеется сертификат о сдачи экзамена B1 (Intermediate) в специализированной школе)
  • Работа с программным обеспечением: Synopsys TCAD (G-2012.06), AutoCAD (Electrical 2020), NI Multisim (v.12, 2016), MS Office (2022)

Реализованные проекты

  • Запуск и поддержка серийного производства тензомодулей датчиков давления объемом несколько тысяч единиц в год. Тензомодули применимы в составе датчиков дифференциального и избыточного давления для атомной и нефтегазовой промышленности для 6 групп диапазонов от 1,6 кПа до 16 МПа и с основной и дополнительной погрешностью менее 0,5%. Участие заключается в разработке топологии и технологии производства, выбора материала и моделирования процессов до сдачи партии финального продукта с ОТК и последующая поддержка по проекту с потребителем
  • Участие в 5 ОКР и 2 НИР. В результате проведенных работ и реализации проектов по личной инициативе были разработаны и внедрены в производство конструкции элементов и технологии производства по следующим разработкам
  • Тензомодуль датчика давления для микробарометра систем инфразвукового мониторинга. Достигнуты рекордны показатели чувствительности более S = 30 мВ/В/кПа для диапазона до 1 кПа при сохранении показателей погрешностей до 0,5% и повышении механической прочности при перегрузке давление до 400 кПа
  • Миниатюрный кристалл датчик температуры (0,8х0,8х0,4 мм3) на основе диода Шоттки с чувствительностью K = -1,64 мВ/ºС (Iпр = 1 мА) для диапазона от -65 до +120 ºС и погрешностью до 0,7%
  • Тензомодули датчиков дифференциального давления для 3 групп диапазонов от 25 кПа до 160 кПа с повышенной механической прочностью и датчиком температуры
  • Тензомодули датчиков абсолютного давления для 4 групп диапазонов от 0,3 МПа до 1 МПа с датчиком температуры
  • Тензомодуль датчика давления, где кристалл датчика давления использует электрическую схему в виде дифференциального каскада с отрицательной обратной связью с применением биполярных транзисторов (диссертационная работа)
  • Преобразователь давления и температуры на едином кристалле датчика

Личностные качества

  • Целеустремленный
  • Пунктуальный
  • Ответственный
  • Готов к переездам
  • Расстановка приоритетов и прагматичный выбор
  • Стремление к изучению нового
  • Готов к большим трудностям
  • Эффективно делегирую задачи и управляю временем
  • Готов работать с новыми задачами
  • Хорошая адаптация к новому месту и коллективу
  • Заинтересован в долгосрочном участии в растущей исследовательской группе
  • Реалист

Публикации

  • 13 статей (Sensors and Actuators A: Physical (Elsevier), Sensors Journal (IEEE), Journal of Micromechanics and Microengineering (IOP) и иные)
  • 22 патентов РФ
  • 18 конференций (IEEE Sensors 2021, ICOECS 2022, Российская конференция по физике полупроводников 2019 и 2018, а также иные)
  • 250+ рецензий статей в 60+ международных журналах (Sensors Journal (IEEE), Sensors (MDPI), Sensors and Actuators A: Physical (Elsevier), Micromachines (MDPI) и иные)

Премии

  • Научный руководитель победителя «Всероссийского инженерного конкурса» в 2025 г. 
  • «Лучший изобретатель» от ФГУП «ВНИИА» в 2024 г.
  • 2 место в секции «Информационно-измерительные и управляющие системы» на IV Научно-практическая конференция «Физико-технические интеллектуальные системы» (ФТИС-2025) (Москва, Россия, 2025)
  • Победитель конкурса молодых учёных имени А.А. Бриша от ФГУП «ВНИИА» в 2023 г.
  • Победитель конкурса «University Technology Exposure Program» от компаний Wevolver, Mouser Electronics and ANSYS в 2022 г.
  • Победитель конкурса «Инновационный лидер атомной промышленности» от госкорпорации Росатом в 2019 г.
  • Призёр в секции «Микроэлектроника» на Научно-Технической Конференции «ВНИИА»: 1 место в 2021 и 2014 гг., 2 место в 2019, 2017 и 2013 гг.

Членство в научных сообществах:

  • Associate Member of the Institute of Physics (IOP, United Kingdom, 2025)

Основные ресурсы с информацией о кандидате (h – индекс Хирша (исключая самоцитирования), с – количество цитат)

  • Scopus (h = 10 (10), c = 275)
  • Web of Science (h = 10 (10), c = 266)
  • Russian Citation Index (h = 10 (10), c = 314)
  • Google Scholar (h = 13 (10), c = 398)
  • ResearchGate (h = 13 (13), c = 613)
  • SemanticScholar (h = 12, c = 292)
  • Dimensions (h = 11, c = 329)
  • Lens (h = 11, c = 329)
  • SSRN
  • Academia
  • LinkedIn
  • ArXiv
  • ORCID
  • Loop
  • TechRxiv
  • ResearchSquare
  • OSF
  • Google Patents
  • Espacenet
  • Glassdoor

Образование

Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
2013 — 2022, Аспирантура, Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
2006 — 2012, Специалитет, Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике

Диссертации

Полная статистика
Всего публикаций
15
Всего цитирований
339
Цитирований на публикацию
22.6
Среднее число публикаций в год
1.5
Среднее число соавторов
0.33
Годы публикаций
2017-2026 (10 лет)
h-index
10
i10-index
11
m-index
1
o-index
23
g-index
15
w-index
3
Описание метрик
h-index
Учёный имеет индекс h, если h из его N статей цитируются как минимум h раз каждая, в то время как оставшиеся (N - h) статей цитируются не более чем h раз каждая.
i10-index
Число статей автора, получивших не менее 10 ссылок каждая.
m-index
m-индекс ученого численно равен отношению его h-индекса к количеству лет, прошедших с момента первой публикации.
o-index
Среднее геометрическое h-индекса и числа цитирований наиболее цитируемой статьи ученого.
g-index
Для данного множества статей, отсортированного в порядке убывания количества цитирований, которые получили эти статьи, g-индекс это наибольшее число, такое что g самых цитируемых статей получили (суммарно) не менее g2 цитирований.
w-index
Если w статей ученого имеют не менее 10w цитирований каждая и другие статьи меньше, чем 10(w+1) цитирований, то w-индекс исследователя равен w.

Области наук

1
2
3
4
5
6
7
8
Electrical and Electronic Engineering, 8, 53.33%
Electrical and Electronic Engineering
8 публикаций, 53.33%
Electronic, Optical and Magnetic Materials, 4, 26.67%
Electronic, Optical and Magnetic Materials
4 публикации, 26.67%
Instrumentation, 4, 26.67%
Instrumentation
4 публикации, 26.67%
Condensed Matter Physics, 3, 20%
Condensed Matter Physics
3 публикации, 20%
Metals and Alloys, 2, 13.33%
Metals and Alloys
2 публикации, 13.33%
Surfaces, Coatings and Films, 2, 13.33%
Surfaces, Coatings and Films
2 публикации, 13.33%
Mechanical Engineering, 2, 13.33%
Mechanical Engineering
2 публикации, 13.33%
Mechanics of Materials, 2, 13.33%
Mechanics of Materials
2 публикации, 13.33%
Control and Systems Engineering, 2, 13.33%
Control and Systems Engineering
2 публикации, 13.33%
Atomic and Molecular Physics, and Optics, 1, 6.67%
Atomic and Molecular Physics, and Optics
1 публикация, 6.67%
Mathematical Physics, 1, 6.67%
Mathematical Physics
1 публикация, 6.67%
1
2
3
4
5
6
7
8

Журналы

1
2
3
4
5
IEEE Sensors Journal
5 публикаций, 33.33%
Sensors and Actuators, A: Physical
3 публикации, 20%
Journal of Micromechanics and Microengineering
2 публикации, 13.33%
Nano- i Mikrosistemnaya Tehnika
2 публикации, 13.33%
Physica Scripta
1 публикация, 6.67%
1
2
3
4
5

Цитирующие журналы

20
40
60
80
100
120
IEEE Sensors Journal
108 цитирований, 31.58%
Sensors and Actuators, A: Physical
37 цитирований, 10.82%
Measurement Science and Technology
24 цитирования, 7.02%
Журнал не определён, 22, 6.43%
Журнал не определён
22 цитирования, 6.43%
Journal of Micromechanics and Microengineering
18 цитирований, 5.26%
Sensors
14 цитирований, 4.09%
Measurement: Journal of the International Measurement Confederation
11 цитирований, 3.22%
Micromachines
11 цитирований, 3.22%
Physica Scripta
11 цитирований, 3.22%
Journal of Microelectromechanical Systems
8 цитирований, 2.34%
Engineering Research Express
7 цитирований, 2.05%
Nanotechnology
6 цитирований, 1.75%
Smart Materials and Structures
5 цитирований, 1.46%
Flexible and Printed Electronics
5 цитирований, 1.46%
Materials
4 цитирования, 1.17%
IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement
3 цитирования, 0.88%
Microsystems and Nanoengineering
3 цитирования, 0.88%
Science advances
3 цитирования, 0.88%
Journal of Vacuum Science and Technology B
3 цитирования, 0.88%
Microelectronics Journal
2 цитирования, 0.58%
Biosensors
2 цитирования, 0.58%
Polymers
2 цитирования, 0.58%
Microsystem Technologies
2 цитирования, 0.58%
Analog Integrated Circuits and Signal Processing
2 цитирования, 0.58%
Journal of Imaging
2 цитирования, 0.58%
Bioinspiration and Biomimetics
2 цитирования, 0.58%
IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs
2 цитирования, 0.58%
IEEE Transactions on Electron Devices
2 цитирования, 0.58%
IEEE Sensors Letters
2 цитирования, 0.58%
Journal of Alloys and Compounds
1 цитирование, 0.29%
Journal of Physics Condensed Matter
1 цитирование, 0.29%
Sensor Review
1 цитирование, 0.29%
IEEE Electron Device Letters
1 цитирование, 0.29%
Silicon
1 цитирование, 0.29%
Optics and Laser Technology
1 цитирование, 0.29%
APL Materials
1 цитирование, 0.29%
Nano Letters
1 цитирование, 0.29%
Computers in Biology and Medicine
1 цитирование, 0.29%
Vacuum
1 цитирование, 0.29%
Photonics
1 цитирование, 0.29%
Journal of Power Sources
1 цитирование, 0.29%
Journal Physics D: Applied Physics
1 цитирование, 0.29%
Electrochimica Acta
1 цитирование, 0.29%
IEEJ Transactions on Fundamentals and Materials
1 цитирование, 0.29%
Advanced Materials
1 цитирование, 0.29%
Journal of Composites Science
1 цитирование, 0.29%
Journal of Sensor Technology and Application
1 цитирование, 0.29%
Space Optical Remote Sensing
1 цитирование, 0.29%
20
40
60
80
100
120

Цитируемые журналы

20
40
60
80
100
120
Sensors and Actuators, A: Physical
109 цитирований, 18.41%
Журнал не определён, 73, 12.33%
Журнал не определён
73 цитирования, 12.33%
Sensors
57 цитирований, 9.63%
IEEE Sensors Journal
39 цитирований, 6.59%
Journal of Microelectromechanical Systems
26 цитирований, 4.39%
Journal of Micromechanics and Microengineering
26 цитирований, 4.39%
IEEE Transactions on Electron Devices
25 цитирований, 4.22%
Microsystem Technologies
15 цитирований, 2.53%
Nano- i Mikrosistemnaya Tehnika
15 цитирований, 2.53%
Procedia Engineering
13 цитирований, 2.2%
Review of Scientific Instruments
12 цитирований, 2.03%
Measurement Science and Technology
11 цитирований, 1.86%
Journal of Physics: Conference Series
10 цитирований, 1.69%
Proceedings of the IEEE
8 цитирований, 1.35%
IEEE Access
7 цитирований, 1.18%
Microelectronics Reliability
6 цитирований, 1.01%
Micromachines
6 цитирований, 1.01%
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes
6 цитирований, 1.01%
Physica Scripta
6 цитирований, 1.01%
Micro and Nano Letters
5 цитирований, 0.84%
IEEE Transactions on Industrial Electronics
5 цитирований, 0.84%
IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology
5 цитирований, 0.84%
Journal of Applied Physics
4 цитирования, 0.68%
Transactions on Electrical and Electronic Materials
4 цитирования, 0.68%
Microsystems and Nanoengineering
4 цитирования, 0.68%
ECS Transactions
4 цитирования, 0.68%
IEEE Transactions on Components and Packaging Technologies
4 цитирования, 0.68%
Materials Science Forum
3 цитирования, 0.51%
International Journal of Electronics
3 цитирования, 0.51%
Applied Physics Letters
3 цитирования, 0.51%
Journal of Materials Engineering and Performance
3 цитирования, 0.51%
IEEE Electron Device Letters
3 цитирования, 0.51%
Analog Integrated Circuits and Signal Processing
3 цитирования, 0.51%
2007 IEEE International SOI Conference
3 цитирования, 0.51%
Journal of Materials Chemistry C
2 цитирования, 0.34%
Materials Research Express
2 цитирования, 0.34%
Solid-State Electronics
2 цитирования, 0.34%
AIP Advances
2 цитирования, 0.34%
Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science
2 цитирования, 0.34%
IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation
2 цитирования, 0.34%
Materials and Design
2 цитирования, 0.34%
Journal of Materials Science
2 цитирования, 0.34%
Lecture Notes in Electrical Engineering
2 цитирования, 0.34%
Micro and Nano Systems Letters
2 цитирования, 0.34%
IEEE Transactions on Biomedical Engineering
2 цитирования, 0.34%
IEEE Journal of Solid-State Circuits
2 цитирования, 0.34%
Structural and Multidisciplinary Optimization
2 цитирования, 0.34%
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
2 цитирования, 0.34%
Applied Mechanics and Materials
2 цитирования, 0.34%
IEEE Transactions on Advanced Packaging
2 цитирования, 0.34%
Measurement: Journal of the International Measurement Confederation
1 цитирование, 0.17%
ACS applied materials & interfaces
1 цитирование, 0.17%
Microelectronics International
1 цитирование, 0.17%
Journal of Circuits, Systems and Computers
1 цитирование, 0.17%
Nature Communications
1 цитирование, 0.17%
Materials Transactions
1 цитирование, 0.17%
Sensor Review
1 цитирование, 0.17%
Frontiers of Mechanical Engineering
1 цитирование, 0.17%
Silicon
1 цитирование, 0.17%
Nuclear Engineering and Design
1 цитирование, 0.17%
ACS Nano
1 цитирование, 0.17%
Nano Letters
1 цитирование, 0.17%
Vacuum
1 цитирование, 0.17%
Physical Review A
1 цитирование, 0.17%
Applied Surface Science
1 цитирование, 0.17%
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques
1 цитирование, 0.17%
Instruments and Experimental Techniques
1 цитирование, 0.17%
Journal of Sensors and Sensor Systems
1 цитирование, 0.17%
Diamond and Related Materials
1 цитирование, 0.17%
Nano
1 цитирование, 0.17%
Thin Solid Films
1 цитирование, 0.17%
Physica B: Condensed Matter
1 цитирование, 0.17%
Journal of Electronic Materials
1 цитирование, 0.17%
NATO Science for Peace and Security Series B: Physics and Biophysics
1 цитирование, 0.17%
Batteries
1 цитирование, 0.17%
SAE Technical Papers
1 цитирование, 0.17%
IETE Journal of Research
1 цитирование, 0.17%
Powder Diffraction
1 цитирование, 0.17%
Russian Microelectronics
1 цитирование, 0.17%
MRS Proceedings
1 цитирование, 0.17%
Journal of Physics E Scientific Instruments
1 цитирование, 0.17%
Carbon Trends
1 цитирование, 0.17%
MEMS Reference Shelf
1 цитирование, 0.17%
Micro Mechanical Transducers - Pressure Sensors, Accelerometers and Gyroscopes
1 цитирование, 0.17%
20
40
60
80
100
120

Издатели

1
2
3
4
5
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
5 публикаций, 33.33%
Elsevier
3 публикации, 20%
IOP Publishing
3 публикации, 20%
New Technologies Publishing House
2 публикации, 13.33%
1
2
3
4
5

Организации из публикаций

2
4
6
8
10
Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики имени Н. Л. Духова
10 публикаций, 66.67%
Организация не определена, 5, 33.33%
Организация не определена
5 публикаций, 33.33%
2
4
6
8
10

Страны из публикаций

2
4
6
8
10
12
Россия, 12, 80%
Россия
12 публикаций, 80%
Страна не определена, 3, 20%
Страна не определена
3 публикации, 20%
2
4
6
8
10
12

Цитирующие организации

10
20
30
40
50
Организация не определена, 50, 14.75%
Организация не определена
50 цитирований, 14.75%
Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики имени Н. Л. Духова
9 цитирований, 2.65%
Северный университет Китая
7 цитирований, 2.06%
Научно-исследовательский институт аэрокосмической информации Китайской академии наук
7 цитирований, 2.06%
Университет Цинхуа
4 цитирования, 1.18%
Сианьский университет Цзяотун
4 цитирования, 1.18%
Университет электронных наук и технологий Китая
4 цитирования, 1.18%
Уханьский университет
4 цитирования, 1.18%
Веллорский технологический университет
3 цитирования, 0.88%
Университет Китайской академии наук
3 цитирования, 0.88%
Харбинский политехнический университет
3 цитирования, 0.88%
Бэйханский университет
3 цитирования, 0.88%
Нанкинский университет информационных наук и технологий
3 цитирования, 0.88%
Сямэньский университет
3 цитирования, 0.88%
Институт микроэлектроники, Китайская академия наук
3 цитирования, 0.88%
Университет Ататюрка
2 цитирования, 0.59%
Пекинский технологический институт
2 цитирования, 0.59%
Пекинский университет
2 цитирования, 0.59%
Северо-западный политехнический университет
2 цитирования, 0.59%
Нанкинский университет почты и телекоммуникаций
2 цитирования, 0.59%
Юго-Восточный университет
2 цитирования, 0.59%
Северо-Восточный университет
2 цитирования, 0.59%
Университет Сучжоу (Сучжоу)
2 цитирования, 0.59%
Варшавский технологический университет
2 цитирования, 0.59%
Санкт-Петербургский Политехнический Университет Петра Великого
1 цитирование, 0.29%
Южно-Уральский Государственный Университет
1 цитирование, 0.29%
Университет Гази
1 цитирование, 0.29%
Университет Фират
1 цитирование, 0.29%
Индийский институт технологии в Мумбаи
1 цитирование, 0.29%
Национальный технологический институт в Сураткале
1 цитирование, 0.29%
Национальный технологический институт в Мегхалае
1 цитирование, 0.29%
Университет Андхра
1 цитирование, 0.29%
Университет Урмии
1 цитирование, 0.29%
Урмийский технологический университет
1 цитирование, 0.29%
Башкентский университет
1 цитирование, 0.29%
Центр ядерных исследований Бхабха
1 цитирование, 0.29%
Шанхайский университет Цзяотун
1 цитирование, 0.29%
Фуданьский университет
1 цитирование, 0.29%
Сычуаньский университет
1 цитирование, 0.29%
Университет Цзилинь
1 цитирование, 0.29%
Китайский горно-технологический университет
1 цитирование, 0.29%
Центрально-южный университет лесного хозяйства и технологий
1 цитирование, 0.29%
Нанкинский университет аэронавтики и астронавтики
1 цитирование, 0.29%
Нанкинский университет науки и технологий
1 цитирование, 0.29%
Китайский нефтяной университет в Восточном Китае
1 цитирование, 0.29%
Уханьский технологический университет
1 цитирование, 0.29%
Уханьский университет науки и технологий
1 цитирование, 0.29%
Шаньдунский университет науки и технологий
1 цитирование, 0.29%
Хубэйский университет
1 цитирование, 0.29%
Нанькайский университет
1 цитирование, 0.29%
Яньшаньский университет
1 цитирование, 0.29%
Университет имени Сунь Ятсена
1 цитирование, 0.29%
Китайская академия медицинских наук и Пекинский объединенный медицинский колледж
1 цитирование, 0.29%
Сидяньский университет
1 цитирование, 0.29%
Педагогический университет Шэньси
1 цитирование, 0.29%
Цзяннаньский университет
1 цитирование, 0.29%
Цзинаньский университет
1 цитирование, 0.29%
Миланский технический университет
1 цитирование, 0.29%
Технический научный центр Финляндии
1 цитирование, 0.29%
Лувенский католический университет
1 цитирование, 0.29%
Наньянский технологический университет
1 цитирование, 0.29%
Тяньцзиньский университет
1 цитирование, 0.29%
Шанхайский педагогический университет
1 цитирование, 0.29%
Шанхайский университет
1 цитирование, 0.29%
Южный университет науки и технологий
1 цитирование, 0.29%
Гуандунский технологический университет
1 цитирование, 0.29%
Китайский университет Гонконга, Шэньчжэнь
1 цитирование, 0.29%
Чэндуский технологический университет
1 цитирование, 0.29%
Чэндуский университет информационных технологий
1 цитирование, 0.29%
Университет Карнеги — Меллона
1 цитирование, 0.29%
Ляонинский технический университет
1 цитирование, 0.29%
Национальный университет Ян Мин Цзяотун
1 цитирование, 0.29%
Университет Чаоху
1 цитирование, 0.29%
Харбинский педагогический университет
1 цитирование, 0.29%
Катанский университет
1 цитирование, 0.29%
Шэньсийский университет науки и технологий
1 цитирование, 0.29%
Технологический университет Цилу
1 цитирование, 0.29%
Аньхойский университет
1 цитирование, 0.29%
Университет Дикина
1 цитирование, 0.29%
Национальное агентство развития науки и технологий
1 цитирование, 0.29%
Технологический университет короля Монгкута в Северном Бангкоке
1 цитирование, 0.29%
Национальный центр электроники и компьютерных технологий
1 цитирование, 0.29%
Вирджинский политехнический институт и университет штата
1 цитирование, 0.29%
Калифорнийский университет в Беркли
1 цитирование, 0.29%
Университет Ханчжоу Дианзи
1 цитирование, 0.29%
Хунаньский университет
1 цитирование, 0.29%
Ланьчжоуский университет
1 цитирование, 0.29%
Ляонинский университет
1 цитирование, 0.29%
Университет науки и технологий Китая
1 цитирование, 0.29%
Агентство науки, технологий и исследований
1 цитирование, 0.29%
Институт полупроводников Китайской академии наук
1 цитирование, 0.29%
Университет Макао
1 цитирование, 0.29%
Национальный центр космических наук Китайской академии наук
1 цитирование, 0.29%
Сучжоуский институт нанотехнологий и нанобионики Китайской академии наук
1 цитирование, 0.29%
Национальный институт исследований и разработок в области микротехнологий
1 цитирование, 0.29%
Университет штата Сан-Паулу
1 цитирование, 0.29%
Лодзинский технологический университет
1 цитирование, 0.29%
Малагский университет
1 цитирование, 0.29%
Йоркский университет
1 цитирование, 0.29%
Китайская геологическая служба
1 цитирование, 0.29%
10
20
30
40
50

Цитирующие страны

10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
Китай, 93, 27.43%
Китай
93 цитирования, 27.43%
Страна не определена, 33, 9.73%
Страна не определена
33 цитирования, 9.73%
Россия, 12, 3.54%
Россия
12 цитирований, 3.54%
Индия, 8, 2.36%
Индия
8 цитирований, 2.36%
Румыния, 4, 1.18%
Румыния
4 цитирования, 1.18%
Турция, 4, 1.18%
Турция
4 цитирования, 1.18%
США, 3, 0.88%
США
3 цитирования, 0.88%
Италия, 2, 0.59%
Италия
2 цитирования, 0.59%
Польша, 2, 0.59%
Польша
2 цитирования, 0.59%
Сингапур, 2, 0.59%
Сингапур
2 цитирования, 0.59%
Франция, 1, 0.29%
Франция
1 цитирование, 0.29%
Португалия, 1, 0.29%
Португалия
1 цитирование, 0.29%
Австралия, 1, 0.29%
Австралия
1 цитирование, 0.29%
Бельгия, 1, 0.29%
Бельгия
1 цитирование, 0.29%
Бразилия, 1, 0.29%
Бразилия
1 цитирование, 0.29%
Великобритания, 1, 0.29%
Великобритания
1 цитирование, 0.29%
Иран, 1, 0.29%
Иран
1 цитирование, 0.29%
Испания, 1, 0.29%
Испания
1 цитирование, 0.29%
Саудовская Аравия, 1, 0.29%
Саудовская Аравия
1 цитирование, 0.29%
Таиланд, 1, 0.29%
Таиланд
1 цитирование, 0.29%
Финляндия, 1, 0.29%
Финляндия
1 цитирование, 0.29%
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
  • Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
  • Статистика пересчитывается раз в сутки.
Михаил Викторович Басов, Борис Иванович Химушкин, Денис Анатольевич Холодков
RU174159U1, 2017
Михаил Викторович Басов, Денис Михайлович Пригодский
RU187531U1, 2019
Должность
Инженер-технолог 1 категории
Тип занятости
Полная
Годы
2012 — нв
Должность
Стажёр
Тип занятости
Стажировка
Годы
2010 — 2012