Басов Михаил Викторович
Mikhail Viktorovich Basov
к.т.н.
🥼
🥼
Михаил может стать вашим научным руководителем
Если вы хотите работать под его/её руководством, напишите сообщение или свяжитесь с ним/ней в соцсетях.
Необходимо авторизоваться.
🤝
🤝
Михаил ищет возможности для научного сотрудничества
Если вы хотите провести с ним/ней совместное исследование, напишите сообщение или свяжитесь с ним/ней в соцсетях.
Необходимо авторизоваться.
Публикаций
15
Цитирований
339
Индекс Хирша
10
О себе
36 лет / Москва, Россия / +7 (925) 625-03-53 / engineerbasovm@gmail.com
Научная степень: Кандидат технических наук
- Организация: Национальный Исследовательский Ядерный Университет «Московский Инженерно-Физический Институт» (НИЯУ МИФИ)
- Организация, где выполнялась работа: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие «Всероссийский Научно-Исследовательский Институт Автоматики им. Н.Л. Духова» (ФГУП ВНИИА)
- Период обучения (соискательство): август 2013 г. – октябрь 2022 г.
- Название диссертационной работы: Схемотехнические решения по повышению чувствительности тензорезистивных преобразователей давления
- Специальность: 05.13.05 – элементы и устройства вычислительной техники и систем управления
Высшее образование: Специалист. Инженер-физик
- Организация: НИЯУ МИФИ
- Период обучения: сентябрь 2006 г. – февраль 2012 г.
- Факультет: Автоматика и Электроника
- Кафедра: Микро- и наноэлектроника
- Специальность: 14.05.04 – Электроника и автоматика физических установок
Опыт работы
- Организация: ФГУП ВНИИА
- Период: апрель 2012 г. – настоящее время
- Должность: инженер-технолог 1 категории
- Период: ноябрь 2010 г. – февраль 2012 г.
- Должность: стажёр
Профессиональные навыки:
- Разработка конструкций и технологий МЭМС. Опыт работы более 10 лет по производству микроэлектронных преобразователей давления (приоритетно на тезорезистивном эффекте) и температуры (приоритетно на базе p-n перехода и барьера Шоттки): уверенное понимание физики твердого тела, принципов работы полупроводниковых устройств, теоретический расчет и программное моделирование, создание топологии и участие в полном цикле производственного процесса
- Проведение независимых и командных исследований по разработкам передовых устройств в полупроводниковой промышленности. Управление проектами, концептуальная организация исследований, личное участие в разработках (от теоретических основ до финального продукта) и делегирование функционала в команде. Рад делиться своим опытом с командой и получать новые знания от коллег. Опыт работы в командах от 5 до 50 человек в зависимости от проектов
- Реализация и доказательство использования новых идей по процессам на пластинах (frontend) и в корпусе (backend). Выполнение технологических экспериментов для разработки новых этапов процесса, модулей и партий в целом для создания функциональных прототипов
- Управление и контроль за технологическими/производственными биполярными и КМОП процессами в чистых комнатах: поверхностная обработка (ЖХТ и ПХТ), фотолитография, процессы легирования (ионное легирование, диффузия, отжиг и окисление), CVD процессы для осаждения и травления диэлектрических пленок, напыление металлов, объемная обработка кремния с помощью жидкостного и сухого травления, корпусирование и разварка кристалла
- Планирование статистических экспериментов. Большой опыт тестирования разработок и продуктов, выпускаемых массово, на промежуточном и финальном уровне производства.
- Анализ научной и технической информации, исследование/доказательство актуальности путей решения для проблем
- Определение и решение ключевых задач в пределах моей компетенции. Общение и решение этих задач в тесном сотрудничестве с внутренней командой и внешними партнерами. Детальный анализ и определение основных узких мест проблем
- Владение высоким уровнем в реализации краткости и ясности отчетной презентации
- Самостоятельная публикация завершенных работ в передовых мировых журналах с высоким импакт-фактором: подготовка презентабельного материала; обсуждение и доказательство актуальности исследований при общении с рецензентами и редакторами журналов; распространение опубликованных материалов для увеличения большего интереса у сторонних исследователей и компаний
- Грамотное оформление правовых охранных документов, патентов и коммерческой тайны
- Владение языками: русский и английский (уровень Upper-Intermediate, имеется сертификат о сдачи экзамена B1 (Intermediate) в специализированной школе)
- Работа с программным обеспечением: Synopsys TCAD (G-2012.06), AutoCAD (Electrical 2020), NI Multisim (v.12, 2016), MS Office (2022)
Реализованные проекты
- Запуск и поддержка серийного производства тензомодулей датчиков давления объемом несколько тысяч единиц в год. Тензомодули применимы в составе датчиков дифференциального и избыточного давления для атомной и нефтегазовой промышленности для 6 групп диапазонов от 1,6 кПа до 16 МПа и с основной и дополнительной погрешностью менее 0,5%. Участие заключается в разработке топологии и технологии производства, выбора материала и моделирования процессов до сдачи партии финального продукта с ОТК и последующая поддержка по проекту с потребителем
- Участие в 5 ОКР и 2 НИР. В результате проведенных работ и реализации проектов по личной инициативе были разработаны и внедрены в производство конструкции элементов и технологии производства по следующим разработкам
- Тензомодуль датчика давления для микробарометра систем инфразвукового мониторинга. Достигнуты рекордны показатели чувствительности более S = 30 мВ/В/кПа для диапазона до 1 кПа при сохранении показателей погрешностей до 0,5% и повышении механической прочности при перегрузке давление до 400 кПа
- Миниатюрный кристалл датчик температуры (0,8х0,8х0,4 мм3) на основе диода Шоттки с чувствительностью K = -1,64 мВ/ºС (Iпр = 1 мА) для диапазона от -65 до +120 ºС и погрешностью до 0,7%
- Тензомодули датчиков дифференциального давления для 3 групп диапазонов от 25 кПа до 160 кПа с повышенной механической прочностью и датчиком температуры
- Тензомодули датчиков абсолютного давления для 4 групп диапазонов от 0,3 МПа до 1 МПа с датчиком температуры
- Тензомодуль датчика давления, где кристалл датчика давления использует электрическую схему в виде дифференциального каскада с отрицательной обратной связью с применением биполярных транзисторов (диссертационная работа)
- Преобразователь давления и температуры на едином кристалле датчика
Личностные качества
- Целеустремленный
- Пунктуальный
- Ответственный
- Готов к переездам
- Расстановка приоритетов и прагматичный выбор
- Стремление к изучению нового
- Готов к большим трудностям
- Эффективно делегирую задачи и управляю временем
- Готов работать с новыми задачами
- Хорошая адаптация к новому месту и коллективу
- Заинтересован в долгосрочном участии в растущей исследовательской группе
- Реалист
Публикации
- 13 статей (Sensors and Actuators A: Physical (Elsevier), Sensors Journal (IEEE), Journal of Micromechanics and Microengineering (IOP) и иные)
- 22 патентов РФ
- 18 конференций (IEEE Sensors 2021, ICOECS 2022, Российская конференция по физике полупроводников 2019 и 2018, а также иные)
- 250+ рецензий статей в 60+ международных журналах (Sensors Journal (IEEE), Sensors (MDPI), Sensors and Actuators A: Physical (Elsevier), Micromachines (MDPI) и иные)
Премии
- Научный руководитель победителя «Всероссийского инженерного конкурса» в 2025 г.
- «Лучший изобретатель» от ФГУП «ВНИИА» в 2024 г.
- 2 место в секции «Информационно-измерительные и управляющие системы» на IV Научно-практическая конференция «Физико-технические интеллектуальные системы» (ФТИС-2025) (Москва, Россия, 2025)
- Победитель конкурса молодых учёных имени А.А. Бриша от ФГУП «ВНИИА» в 2023 г.
- Победитель конкурса «University Technology Exposure Program» от компаний Wevolver, Mouser Electronics and ANSYS в 2022 г.
- Победитель конкурса «Инновационный лидер атомной промышленности» от госкорпорации Росатом в 2019 г.
- Призёр в секции «Микроэлектроника» на Научно-Технической Конференции «ВНИИА»: 1 место в 2021 и 2014 гг., 2 место в 2019, 2017 и 2013 гг.
Членство в научных сообществах:
- Associate Member of the Institute of Physics (IOP, United Kingdom, 2025)
Основные ресурсы с информацией о кандидате (h – индекс Хирша (исключая самоцитирования), с – количество цитат)
- Scopus (h = 10 (10), c = 275)
- Web of Science (h = 10 (10), c = 266)
- Russian Citation Index (h = 10 (10), c = 314)
- Google Scholar (h = 13 (10), c = 398)
- ResearchGate (h = 13 (13), c = 613)
- SemanticScholar (h = 12, c = 292)
- Dimensions (h = 11, c = 329)
- Lens (h = 11, c = 329)
- SSRN
- Academia
- ArXiv
- ORCID
- Loop
- TechRxiv
- ResearchSquare
- OSF
- Google Patents
- Espacenet
- Glassdoor
Области научных интересов
Навыки
AutoCAD
Mendeley
Scientific writing
Scopus
Sentaurus TCAD
Web of Science
Wordpress
Zotero
Английский язык
Вольт-амперные характеристики
Делегирование задач
Диффузионные процессы
Измерение давления
Измерение температуры
Измерения механических свойств
Научно-популярная деятельность
Объемная микрообработка кремния
Плазменные процессы
Подготовка научных статей
Подготовка патентов
Поиск актуальной информации
Приборостроение
Проведение испытаний
Редактирование научных статей
Сборка микроэлектронных элементов
Сквозной контроль
Управление командой
Физико-механические испытания
Фотолитография
Химическая обработка
Электроника
Дополнительные ссылки
Лаборатории
Аффилиации
Образование
Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
2013 — 2022,
Аспирантура, Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
2006 — 2012,
Специалитет, Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Диссертации
Найдено
Ничего не найдено, попробуйте изменить настройки фильтра.
Найдено
Ничего не найдено, попробуйте изменить настройки фильтра.
Найдено
Ничего не найдено, попробуйте изменить настройки фильтра.
Всего публикаций
15
Всего цитирований
339
Цитирований на публикацию
22.6
Среднее число публикаций в год
1.5
Среднее число соавторов
0.33
Годы публикаций
2017-2026 (10 лет)
h-index
10
i10-index
11
m-index
1
o-index
23
g-index
15
w-index
3
Описание метрик
h-index
Учёный имеет индекс h, если h из его N статей цитируются как минимум h раз каждая, в то время как оставшиеся (N - h) статей цитируются не более чем h раз каждая.
i10-index
Число статей автора, получивших не менее 10 ссылок каждая.
m-index
m-индекс ученого численно равен отношению его h-индекса к количеству лет, прошедших с момента первой публикации.
o-index
Среднее геометрическое h-индекса и числа цитирований наиболее цитируемой статьи ученого.
g-index
Для данного множества статей, отсортированного в порядке убывания количества цитирований, которые получили эти статьи, g-индекс это наибольшее число, такое что g самых цитируемых статей получили (суммарно) не менее g2 цитирований.
w-index
Если w статей ученого имеют не менее 10w цитирований каждая и другие статьи меньше, чем 10(w+1) цитирований, то w-индекс исследователя равен w.
Топ-100
Области наук
|
1
2
3
4
5
6
7
8
|
|
|
Electrical and Electronic Engineering
|
Electrical and Electronic Engineering, 8, 53.33%
Electrical and Electronic Engineering
8 публикаций, 53.33%
|
|
Electronic, Optical and Magnetic Materials
|
Electronic, Optical and Magnetic Materials, 4, 26.67%
Electronic, Optical and Magnetic Materials
4 публикации, 26.67%
|
|
Instrumentation
|
Instrumentation, 4, 26.67%
Instrumentation
4 публикации, 26.67%
|
|
Condensed Matter Physics
|
Condensed Matter Physics, 3, 20%
Condensed Matter Physics
3 публикации, 20%
|
|
Metals and Alloys
|
Metals and Alloys, 2, 13.33%
Metals and Alloys
2 публикации, 13.33%
|
|
Surfaces, Coatings and Films
|
Surfaces, Coatings and Films, 2, 13.33%
Surfaces, Coatings and Films
2 публикации, 13.33%
|
|
Mechanical Engineering
|
Mechanical Engineering, 2, 13.33%
Mechanical Engineering
2 публикации, 13.33%
|
|
Mechanics of Materials
|
Mechanics of Materials, 2, 13.33%
Mechanics of Materials
2 публикации, 13.33%
|
|
Control and Systems Engineering
|
Control and Systems Engineering, 2, 13.33%
Control and Systems Engineering
2 публикации, 13.33%
|
|
Atomic and Molecular Physics, and Optics
|
Atomic and Molecular Physics, and Optics, 1, 6.67%
Atomic and Molecular Physics, and Optics
1 публикация, 6.67%
|
|
Mathematical Physics
|
Mathematical Physics, 1, 6.67%
Mathematical Physics
1 публикация, 6.67%
|
|
1
2
3
4
5
6
7
8
|
Журналы
|
1
2
3
4
5
|
|
|
IEEE Sensors Journal
5 публикаций, 33.33%
|
|
|
Sensors and Actuators, A: Physical
3 публикации, 20%
|
|
|
Journal of Micromechanics and Microengineering
2 публикации, 13.33%
|
|
|
Nano- i Mikrosistemnaya Tehnika
2 публикации, 13.33%
|
|
|
Physica Scripta
1 публикация, 6.67%
|
|
|
1
2
3
4
5
|
Цитирующие журналы
Цитируемые журналы
Издатели
|
1
2
3
4
5
|
|
|
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
5 публикаций, 33.33%
|
|
|
Elsevier
3 публикации, 20%
|
|
|
IOP Publishing
3 публикации, 20%
|
|
|
New Technologies Publishing House
2 публикации, 13.33%
|
|
|
1
2
3
4
5
|
Организации из публикаций
|
2
4
6
8
10
|
|
|
Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики имени Н. Л. Духова
10 публикаций, 66.67%
|
|
|
Организация не определена
|
Организация не определена, 5, 33.33%
Организация не определена
5 публикаций, 33.33%
|
|
2
4
6
8
10
|
Страны из публикаций
|
2
4
6
8
10
12
|
|
|
Россия
|
Россия, 12, 80%
Россия
12 публикаций, 80%
|
|
Страна не определена
|
Страна не определена, 3, 20%
Страна не определена
3 публикации, 20%
|
|
2
4
6
8
10
12
|
Цитирующие организации
Цитирующие страны
|
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
|
|
|
Китай
|
Китай, 93, 27.43%
Китай
93 цитирования, 27.43%
|
|
Страна не определена
|
Страна не определена, 33, 9.73%
Страна не определена
33 цитирования, 9.73%
|
|
Россия
|
Россия, 12, 3.54%
Россия
12 цитирований, 3.54%
|
|
Индия
|
Индия, 8, 2.36%
Индия
8 цитирований, 2.36%
|
|
Румыния
|
Румыния, 4, 1.18%
Румыния
4 цитирования, 1.18%
|
|
Турция
|
Турция, 4, 1.18%
Турция
4 цитирования, 1.18%
|
|
США
|
США, 3, 0.88%
США
3 цитирования, 0.88%
|
|
Италия
|
Италия, 2, 0.59%
Италия
2 цитирования, 0.59%
|
|
Польша
|
Польша, 2, 0.59%
Польша
2 цитирования, 0.59%
|
|
Сингапур
|
Сингапур, 2, 0.59%
Сингапур
2 цитирования, 0.59%
|
|
Франция
|
Франция, 1, 0.29%
Франция
1 цитирование, 0.29%
|
|
Португалия
|
Португалия, 1, 0.29%
Португалия
1 цитирование, 0.29%
|
|
Австралия
|
Австралия, 1, 0.29%
Австралия
1 цитирование, 0.29%
|
|
Бельгия
|
Бельгия, 1, 0.29%
Бельгия
1 цитирование, 0.29%
|
|
Бразилия
|
Бразилия, 1, 0.29%
Бразилия
1 цитирование, 0.29%
|
|
Великобритания
|
Великобритания, 1, 0.29%
Великобритания
1 цитирование, 0.29%
|
|
Иран
|
Иран, 1, 0.29%
Иран
1 цитирование, 0.29%
|
|
Испания
|
Испания, 1, 0.29%
Испания
1 цитирование, 0.29%
|
|
Саудовская Аравия
|
Саудовская Аравия, 1, 0.29%
Саудовская Аравия
1 цитирование, 0.29%
|
|
Таиланд
|
Таиланд, 1, 0.29%
Таиланд
1 цитирование, 0.29%
|
|
Финляндия
|
Финляндия, 1, 0.29%
Финляндия
1 цитирование, 0.29%
|
|
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
|
- Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
- Статистика пересчитывается раз в сутки.
По данным ORCID
IEEE Sensors Journal
(124)
Sensors
(62)
Micromachines
(46)
Energies
(13)
Materials
(7)
Polymers
(7)
Physica Scripta
(6)
Mathematics
(6)
Nanotechnology
(5)
Metrology
(4)
Actuators
(4)
Forests
(4)
ISA Transactions
(3)
IEEE Access
(3)
Fluids
(2)
Biomimetics
(2)
Plasma
(2)
Aerospace
(2)
Machines
(2)
Coatings
(2)
Processes
(2)
Sustainability
(2)
Symmetry
(2)
Inventions
(2)
Biosensors
(1)
Nanomaterials
(1)
Михаил Викторович Басов
RU219932U1,
2023
Михаил Викторович Басов
RU219402U1,
2023
Михаил Викторович Басов
RU212796U1,
2022
Михаил Викторович Басов, Борис Иванович Химушкин
RU195160U1,
2020
Михаил Викторович Басов
RU2730890C1,
2020
Михаил Викторович Басов
RU202558U1,
2021
Михаил Викторович Басов
RU167464U1,
2017
Михаил Викторович Басов
RU204992U1,
2021
Михаил Викторович Басов, Борис Иванович Химушкин, Денис Анатольевич Холодков
RU174159U1,
2017
Михаил Викторович Басов, Денис Михайлович Пригодский
RU187531U1,
2019
Интегральный высокочувствительный элемент преобразователя давления на основе биполярного транзистора
Михаил Викторович Басов, Борис Иванович Химушкин
RU187760U1,
2019
Михаил Викторович Басов, Борис Иванович Химушкин
RU187746U1,
2019
Михаил Викторович Басов, Борис Иванович Химушкин
RU195159U1,
2020
Михаил Викторович Басов
RU212797U1,
2022
Михаил Викторович Басов
RU224499U1,
2024
Михаил Викторович Басов
RU223684U1,
2024
Михаил Викторович Басов
RU230026U1,
2024
Михаил Викторович Басов
RU230059U1,
2024
Михаил Викторович Басов
RU240181U1,
2025
Михаил Викторович Басов
RU240215U1,
2025
Компания/Организация
Должность
Инженер-технолог 1 категории
Тип занятости
Полная
Годы
2012 —
нв
Компания/Организация
Должность
Стажёр
Тип занятости
Стажировка
Годы
2010 —
2012