Маэкава Коити

Koichi Maezawa
Публикаций
40
Цитирований
184
Индекс Хирша
7

О себе

Koichi Maezawa was born in 1959 in Tokyo, Japan. He received a B.E. degree in applied physics, an M.S. degree in physics, and a Ph.D. degree in applied physics from Waseda University, Tokyo, Japan, in 1982, 1984, and 1993, respectively.

He was involved in the research and development of heterostructure FETs and quantum effect devices at NTT from 1984 to 1997, Nagoya University from 1997 to 2006, and University of Toyama from 2006 to 2024. He is currently President of Hokuriku Polytechnic College and Professor Emeritus of University of Toyama.

His current interests include heterostructure FETs, resonant tunneling devices, and applications of quantum functional devices to sensors.

Dr Maezawa is a member of the Japan Society of Applied Physics, the Physical Society of Japan, a senior member of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers of Japan, and a life senior member of the IEEE.

Полная статистика
Всего публикаций
40
Всего цитирований
184
Цитирований на публикацию
4.6
Среднее число публикаций в год
2.11
Среднее число соавторов
3.35
Годы публикаций
2007-2025 (19 лет)
h-index
7
i10-index
5
m-index
0.37
o-index
16
g-index
12
w-index
2
Описание метрик
h-index
Учёный имеет индекс h, если h из его N статей цитируются как минимум h раз каждая, в то время как оставшиеся (N - h) статей цитируются не более чем h раз каждая.
i10-index
Число статей автора, получивших не менее 10 ссылок каждая.
m-index
m-индекс ученого численно равен отношению его h-индекса к количеству лет, прошедших с момента первой публикации.
o-index
Среднее геометрическое h-индекса и числа цитирований наиболее цитируемой статьи ученого.
g-index
Для данного множества статей, отсортированного в порядке убывания количества цитирований, которые получили эти статьи, g-индекс это наибольшее число, такое что g самых цитируемых статей получили (суммарно) не менее g2 цитирований.
w-index
Если w статей ученого имеют не менее 10w цитирований каждая и другие статьи меньше, чем 10(w+1) цитирований, то w-индекс исследователя равен w.

Области наук

2
4
6
8
10
12
14
16
Electrical and Electronic Engineering, 16, 40%
Electrical and Electronic Engineering
16 публикаций, 40%
Electronic, Optical and Magnetic Materials, 14, 35%
Electronic, Optical and Magnetic Materials
14 публикаций, 35%
Condensed Matter Physics, 13, 32.5%
Condensed Matter Physics
13 публикаций, 32.5%
General Engineering, 7, 17.5%
General Engineering
7 публикаций, 17.5%
General Physics and Astronomy, 5, 12.5%
General Physics and Astronomy
5 публикаций, 12.5%
Physics and Astronomy (miscellaneous), 5, 12.5%
Physics and Astronomy (miscellaneous)
5 публикаций, 12.5%
Surfaces, Coatings and Films, 3, 7.5%
Surfaces, Coatings and Films
3 публикации, 7.5%
Surfaces and Interfaces, 3, 7.5%
Surfaces and Interfaces
3 публикации, 7.5%
Biotechnology, 2, 5%
Biotechnology
2 публикации, 5%
Bioengineering, 2, 5%
Bioengineering
2 публикации, 5%
Mechanics of Materials, 2, 5%
Mechanics of Materials
2 публикации, 5%
Materials Chemistry, 1, 2.5%
Materials Chemistry
1 публикация, 2.5%
Biochemistry, 1, 2.5%
Biochemistry
1 публикация, 2.5%
Computer Science Applications, 1, 2.5%
Computer Science Applications
1 публикация, 2.5%
Analytical Chemistry, 1, 2.5%
Analytical Chemistry
1 публикация, 2.5%
Atomic and Molecular Physics, and Optics, 1, 2.5%
Atomic and Molecular Physics, and Optics
1 публикация, 2.5%
Instrumentation, 1, 2.5%
Instrumentation
1 публикация, 2.5%
Industrial and Manufacturing Engineering, 1, 2.5%
Industrial and Manufacturing Engineering
1 публикация, 2.5%
Applied Mathematics, 1, 2.5%
Applied Mathematics
1 публикация, 2.5%
2
4
6
8
10
12
14
16

Журналы

1
2
3
4
5
6
7
IEICE Transactions on Electronics
7 публикаций, 17.5%
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes
5 публикаций, 12.5%
physica status solidi (c)
5 публикаций, 12.5%
IEICE Electronics Express
4 публикации, 10%
e-Journal of Surface Science and Nanotechnology
3 публикации, 7.5%
Physics Procedia
2 публикации, 5%
Sensor Review
1 публикация, 2.5%
Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science
1 публикация, 2.5%
Physica Status Solidi (B): Basic Research
1 публикация, 2.5%
Sensors
1 публикация, 2.5%
Electronics Letters
1 публикация, 2.5%
International Journal of Circuit Theory and Applications
1 публикация, 2.5%
IEEE Transactions on Electron Devices
1 публикация, 2.5%
1
2
3
4
5
6
7

Цитирующие журналы

5
10
15
20
25
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes
25 цитирований, 13.59%
IEICE Transactions on Electronics
21 цитирование, 11.41%
Журнал не определён, 19, 10.33%
Журнал не определён
19 цитирований, 10.33%
e-Journal of Surface Science and Nanotechnology
11 цитирований, 5.98%
Journal of Applied Physics
10 цитирований, 5.43%
Applied Physics Letters
7 цитирований, 3.8%
IEICE Electronics Express
6 цитирований, 3.26%
IEEE Electron Device Letters
5 цитирований, 2.72%
Electronics Letters
5 цитирований, 2.72%
Solid-State Electronics
4 цитирования, 2.17%
Semiconductor Science and Technology
4 цитирования, 2.17%
Sensor Review
3 цитирования, 1.63%
IEEE Transactions on Electron Devices
3 цитирования, 1.63%
Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films
2 цитирования, 1.09%
Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science
2 цитирования, 1.09%
Physica Status Solidi (B): Basic Research
2 цитирования, 1.09%
Journal of Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves
2 цитирования, 1.09%
Nanotechnology
2 цитирования, 1.09%
Nanoscale Advances
2 цитирования, 1.09%
Thin Solid Films
2 цитирования, 1.09%
Sensors
2 цитирования, 1.09%
Journal of Materials Science: Materials in Electronics
2 цитирования, 1.09%
International Journal of Circuit Theory and Applications
2 цитирования, 1.09%
physica status solidi (c)
2 цитирования, 1.09%
Nature Nanotechnology
1 цитирование, 0.54%
Surface Engineering and Applied Electrochemistry
1 цитирование, 0.54%
Measurement: Journal of the International Measurement Confederation
1 цитирование, 0.54%
Microelectronics Reliability
1 цитирование, 0.54%
Micromachines
1 цитирование, 0.54%
IEEE Journal of the Electron Devices Society
1 цитирование, 0.54%
Microelectronics Journal
1 цитирование, 0.54%
International Journal of Numerical Modelling: Electronic Networks, Devices and Fields
1 цитирование, 0.54%
Advances in Materials Science and Engineering
1 цитирование, 0.54%
Electronics (Switzerland)
1 цитирование, 0.54%
Journal of the Electrochemical Society
1 цитирование, 0.54%
Physica Status Solidi - Rapid Research Letters
1 цитирование, 0.54%
AIP Advances
1 цитирование, 0.54%
Chinese Physics B
1 цитирование, 0.54%
Materials Science in Semiconductor Processing
1 цитирование, 0.54%
ECS Journal of Solid State Science and Technology
1 цитирование, 0.54%
Journal of the Korean Physical Society
1 цитирование, 0.54%
Nanomaterials
1 цитирование, 0.54%
Vacuum
1 цитирование, 0.54%
Nano Research
1 цитирование, 0.54%
Applied Surface Science
1 цитирование, 0.54%
Semiconductors
1 цитирование, 0.54%
Applied Physics A: Materials Science and Processing
1 цитирование, 0.54%
Journal Physics D: Applied Physics
1 цитирование, 0.54%
Journal of Crystal Growth
1 цитирование, 0.54%
IEEE Photonics Journal
1 цитирование, 0.54%
Nonlinear Dynamics
1 цитирование, 0.54%
IEEJ Journal of Industry Applications
1 цитирование, 0.54%
IEEE Microwave Magazine
1 цитирование, 0.54%
Energies
1 цитирование, 0.54%
Materials Today: Proceedings
1 цитирование, 0.54%
Journal of Vacuum Science and Technology B
1 цитирование, 0.54%
Materials
1 цитирование, 0.54%
Physics Procedia
1 цитирование, 0.54%
SpringerPlus
1 цитирование, 0.54%
Micro and Nanostructures
1 цитирование, 0.54%
e-Prime - Advances in Electrical Engineering Electronics and Energy
1 цитирование, 0.54%
Springer Proceedings in Materials
1 цитирование, 0.54%
Interconnect Technologies for Integrated Circuits and Flexible Electronics
1 цитирование, 0.54%
5
10
15
20
25

Цитируемые журналы

10
20
30
40
50
60
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes
60 цитирований, 10.17%
Journal of Crystal Growth
45 цитирований, 7.63%
IEICE Transactions on Electronics
34 цитирования, 5.76%
Applied Physics Letters
34 цитирования, 5.76%
Журнал не определён, 33, 5.59%
Журнал не определён
33 цитирования, 5.59%
IEEE Electron Device Letters
30 цитирований, 5.08%
Electronics Letters
29 цитирований, 4.92%
Applied Physics Express
25 цитирований, 4.24%
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques
19 цитирований, 3.22%
IEEE Journal of Solid-State Circuits
15 цитирований, 2.54%
IEICE Electronics Express
15 цитирований, 2.54%
Applied Surface Science
13 цитирований, 2.2%
IEEE Transactions on Electron Devices
13 цитирований, 2.2%
e-Journal of Surface Science and Nanotechnology
11 цитирований, 1.86%
Journal of Applied Physics
11 цитирований, 1.86%
Physical Review B
9 цитирований, 1.53%
physica status solidi (c)
9 цитирований, 1.53%
Surface Science
8 цитирований, 1.36%
Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science
7 цитирований, 1.19%
Journal of Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves
7 цитирований, 1.19%
Semiconductor Science and Technology
7 цитирований, 1.19%
IEEE Microwave and Guided Wave Letters
6 цитирований, 1.02%
Physica D: Nonlinear Phenomena
5 цитирований, 0.85%
Physical Review Letters
5 цитирований, 0.85%
IEEE Transactions on Circuits and Systems II Analog and Digital Signal Processing
5 цитирований, 0.85%
IEEE Microwave and Wireless Components Letters
4 цитирования, 0.68%
Nano Letters
4 цитирования, 0.68%
Physical Review E
4 цитирования, 0.68%
Nonlinear Dynamics
4 цитирования, 0.68%
ECS Transactions
4 цитирования, 0.68%
IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers
3 цитирования, 0.51%
Sensor Review
3 цитирования, 0.51%
International Journal of Bifurcation and Chaos in Applied Sciences and Engineering
3 цитирования, 0.51%
IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology
3 цитирования, 0.51%
Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology
3 цитирования, 0.51%
Thin Solid Films
3 цитирования, 0.51%
Proceedings of the IEEE
3 цитирования, 0.51%
International Journal of Circuit Theory and Applications
3 цитирования, 0.51%
Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America
2 цитирования, 0.34%
Micromachines
2 цитирования, 0.34%
Chaos
2 цитирования, 0.34%
IEICE Transactions on Fundamentals of Electronics, Communications and Computer Sciences
2 цитирования, 0.34%
Journal of the Electrochemical Society
2 цитирования, 0.34%
Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films
2 цитирования, 0.34%
IEEE Photonics Technology Letters
2 цитирования, 0.34%
ECS Journal of Solid State Science and Technology
2 цитирования, 0.34%
Physica Status Solidi (B): Basic Research
2 цитирования, 0.34%
Physical Review A
2 цитирования, 0.34%
Nature
2 цитирования, 0.34%
IEEE Journal on Emerging and Selected Topics in Circuits and Systems
2 цитирования, 0.34%
Journal of Mathematical Biology
2 цитирования, 0.34%
Sensors
2 цитирования, 0.34%
Computers and Electrical Engineering
2 цитирования, 0.34%
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena
2 цитирования, 0.34%
IRE Transactions on Communications Systems
2 цитирования, 0.34%
Optics Letters
1 цитирование, 0.17%
IEEE Transactions on Antennas and Propagation
1 цитирование, 0.17%
IEEE Transactions on Nanotechnology
1 цитирование, 0.17%
Robotics and Autonomous Systems
1 цитирование, 0.17%
IEEE Transactions on Consumer Electronics
1 цитирование, 0.17%
Applied Mathematical Sciences (Switzerland)
1 цитирование, 0.17%
Optical Review
1 цитирование, 0.17%
Physics Letters, Section A: General, Atomic and Solid State Physics
1 цитирование, 0.17%
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms
1 цитирование, 0.17%
IEEE Transactions on Signal Processing
1 цитирование, 0.17%
Physics Reports
1 цитирование, 0.17%
Chaos, Solitons and Fractals
1 цитирование, 0.17%
MATEC Web of Conferences
1 цитирование, 0.17%
AIP Advances
1 цитирование, 0.17%
Communications in Nonlinear Science and Numerical Simulation
1 цитирование, 0.17%
Advanced Functional Materials
1 цитирование, 0.17%
Reviews of Modern Physics
1 цитирование, 0.17%
Computers and Industrial Engineering
1 цитирование, 0.17%
IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics
1 цитирование, 0.17%
IEEE Transactions on Magnetics
1 цитирование, 0.17%
Optics Express
1 цитирование, 0.17%
American Journal of Physics
1 цитирование, 0.17%
IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement
1 цитирование, 0.17%
Electrical Engineering
1 цитирование, 0.17%
Signal Processing
1 цитирование, 0.17%
International Journal of Advanced Robotic Systems
1 цитирование, 0.17%
Journal Physics D: Applied Physics
1 цитирование, 0.17%
Microwave and Optical Technology Letters
1 цитирование, 0.17%
Journal of Physical Chemistry B
1 цитирование, 0.17%
Communications of the ACM
1 цитирование, 0.17%
Physical Review Applied
1 цитирование, 0.17%
Applied Sciences (Switzerland)
1 цитирование, 0.17%
Optical and Quantum Electronics
1 цитирование, 0.17%
Measurement Science and Technology
1 цитирование, 0.17%
Calphad: Computer Coupling of Phase Diagrams and Thermochemistry
1 цитирование, 0.17%
Microelectronic Engineering
1 цитирование, 0.17%
IEEE Microwave Magazine
1 цитирование, 0.17%
Langmuir
1 цитирование, 0.17%
IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems
1 цитирование, 0.17%
Journal of Microelectromechanical Systems
1 цитирование, 0.17%
Journal of Sensors
1 цитирование, 0.17%
IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics
1 цитирование, 0.17%
Sensors and Actuators, A: Physical
1 цитирование, 0.17%
Journal of the Physical Society of Japan
1 цитирование, 0.17%
Serbian Journal of Electrical Engineering
1 цитирование, 0.17%
10
20
30
40
50
60

Издатели

2
4
6
8
10
12
Institute of Electronics, Information and Communications Engineers (IEICE)
11 публикаций, 27.5%
Wiley
8 публикаций, 20%
Japan Society of Applied Physics
5 публикаций, 12.5%
The Surface Science Society of Japan
3 публикации, 7.5%
Elsevier
2 публикации, 5%
Emerald
1 публикация, 2.5%
Institution of Engineering and Technology (IET)
1 публикация, 2.5%
MDPI
1 публикация, 2.5%
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
1 публикация, 2.5%
2
4
6
8
10
12

Организации из публикаций

5
10
15
20
25
30
Университет Тоямы
29 публикаций, 72.5%
Организация не определена, 9, 22.5%
Организация не определена
9 публикаций, 22.5%
Канагавский технологический институт
6 публикаций, 15%
Нагойский университет
3 публикации, 7.5%
Столичный университет Осаки
2 публикации, 5%
5
10
15
20
25
30

Страны из публикаций

5
10
15
20
25
30
35
40
Япония, 37, 92.5%
Япония
37 публикаций, 92.5%
Страна не определена, 3, 7.5%
Страна не определена
3 публикации, 7.5%
5
10
15
20
25
30
35
40

Цитирующие организации

5
10
15
20
25
30
35
Организация не определена, 35, 19.02%
Организация не определена
35 цитирований, 19.02%
Университет Тоямы
29 цитирований, 15.76%
Японский передовой институт науки и технологий
12 цитирований, 6.52%
Канагавский технологический институт
12 цитирований, 6.52%
Нагойский университет
7 цитирований, 3.8%
Университет Флориды
4 цитирования, 2.17%
Фуданьский университет
3 цитирования, 1.63%
Национальный университет Сингапура
3 цитирования, 1.63%
Столичный университет Осаки
3 цитирования, 1.63%
Национальный технологический институт доктора Б. Р. Амбедкара в Джаландхаре
2 цитирования, 1.09%
Университет Китайской академии наук
2 цитирования, 1.09%
Лундский университет
2 цитирования, 1.09%
Сидяньский университет
2 цитирования, 1.09%
Университет штата Северная Каролина
2 цитирования, 1.09%
Нагойский технологический институт
2 цитирования, 1.09%
Агентство науки, технологий и исследований
2 цитирования, 1.09%
Институт материаловедения и инженерии
2 цитирования, 1.09%
Московский физико-технический институт
1 цитирование, 0.54%
Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
1 цитирование, 0.54%
Томский Государственный Университет
1 цитирование, 0.54%
Южный федеральный университет
1 цитирование, 0.54%
JSC "GIREDMET" - State Research and Design Institute of Rare Metals Industry of the State Corporation "Rosatom"
1 цитирование, 0.54%
Национальный университет Узбекистана имени Мирзо Улугбека
1 цитирование, 0.54%
Ташкентский государственный технический университет имени Ислама Каримова
1 цитирование, 0.54%
Делийский университет
1 цитирование, 0.54%
Индийский научный институт
1 цитирование, 0.54%
Индийский технологический институт в Мадрасе
1 цитирование, 0.54%
Индийский институт технологии в Мумбаи
1 цитирование, 0.54%
Институт промышленных технологий Калинга
1 цитирование, 0.54%
Северо-западный политехнический университет
1 цитирование, 0.54%
Научный Университет Малайзии
1 цитирование, 0.54%
Технический университет Чалмерса
1 цитирование, 0.54%
Федеральная политехническая школа Лозанны
1 цитирование, 0.54%
Институт информационных технологий LNM
1 цитирование, 0.54%
Университет Фучжоу
1 цитирование, 0.54%
Хальмстадский университет
1 цитирование, 0.54%
Университет Аалто
1 цитирование, 0.54%
Институт Пауля Шеррера
1 цитирование, 0.54%
Чунцинский технологический университет
1 цитирование, 0.54%
Восточно-Китайский педагогический университет
1 цитирование, 0.54%
Наньянский технологический университет
1 цитирование, 0.54%
Тяньцзиньский университет
1 цитирование, 0.54%
Китайский университет трех ущелий
1 цитирование, 0.54%
Массачусетский технологический институт
1 цитирование, 0.54%
Национальный университет Тайваня
1 цитирование, 0.54%
Университет Чанг Гунг
1 цитирование, 0.54%
Национальный центр исследований синхротронного излучения
1 цитирование, 0.54%
Университет Фэн Цзя
1 цитирование, 0.54%
Университет Агдера
1 цитирование, 0.54%
Пизанский университет
1 цитирование, 0.54%
Итальянский технологический институт
1 цитирование, 0.54%
Университет Глазго
1 цитирование, 0.54%
Токийский университет сельского хозяйства и технологий
1 цитирование, 0.54%
Принстонский университет
1 цитирование, 0.54%
Университет Бравиджая
1 цитирование, 0.54%
Сеульский университет
1 цитирование, 0.54%
Научно-исследовательский институт электроники и телекоммуникаций
1 цитирование, 0.54%
Университет Донгук
1 цитирование, 0.54%
Университет Хонгик
1 цитирование, 0.54%
Университет Тохоку
1 цитирование, 0.54%
Хунаньский инженерный институт
1 цитирование, 0.54%
Техасский университет в Остине
1 цитирование, 0.54%
Университет Нотр-Дам
1 цитирование, 0.54%
Будапештский университет технических и экономических наук
1 цитирование, 0.54%
Политехнический институт Ренсселера
1 цитирование, 0.54%
Бристольский университет
1 цитирование, 0.54%
Университет Гуанси
1 цитирование, 0.54%
Ганноверский университет имени Готфрида Вильгельма Лейбница
1 цитирование, 0.54%
Институт полупроводников Китайской академии наук
1 цитирование, 0.54%
Миссурийский университет науки и технологий
1 цитирование, 0.54%
Чунцинский институт зеленых и интеллектуальных технологий Китайской академии наук
1 цитирование, 0.54%
Texas Instruments (Инструменты Техаса)
1 цитирование, 0.54%
Университет Содружества Виргинии
1 цитирование, 0.54%
Токийский университет
1 цитирование, 0.54%
Пенсильванский университет в Индиане
1 цитирование, 0.54%
Университет Васэда
1 цитирование, 0.54%
Panasonic Holdings Corporation
1 цитирование, 0.54%
Национальный институт информационных и коммуникационных технологий
1 цитирование, 0.54%
Университет Мейсей
1 цитирование, 0.54%
Университет Тюбу
1 цитирование, 0.54%
Университет Миядзаки
1 цитирование, 0.54%
Университет Симанэ
1 цитирование, 0.54%
Университет Хёго
1 цитирование, 0.54%
Университет инженерии и технологий Кхулны
1 цитирование, 0.54%
Флоридский международный университет
1 цитирование, 0.54%
Сандийские национальные лаборатории
1 цитирование, 0.54%
Чешский технический университет в Праге
1 цитирование, 0.54%
Университет Нью-Мексико
1 цитирование, 0.54%
Университет Миссури–Сент-Луис
1 цитирование, 0.54%
Университет Южной Каролины
1 цитирование, 0.54%
Институт электротехники Словацкой академии наук
1 цитирование, 0.54%
Институт микроэлектроники, Китайская академия наук
1 цитирование, 0.54%
5
10
15
20
25
30
35

Цитирующие страны

10
20
30
40
50
60
70
80
Япония, 73, 39.67%
Япония
73 цитирования, 39.67%
Страна не определена, 20, 10.87%
Страна не определена
20 цитирований, 10.87%
США, 12, 6.52%
США
12 цитирований, 6.52%
Китай, 12, 6.52%
Китай
12 цитирований, 6.52%
Индия, 8, 4.35%
Индия
8 цитирований, 4.35%
Сингапур, 5, 2.72%
Сингапур
5 цитирований, 2.72%
Россия, 4, 2.17%
Россия
4 цитирования, 2.17%
Германия, 3, 1.63%
Германия
3 цитирования, 1.63%
Швеция, 3, 1.63%
Швеция
3 цитирования, 1.63%
Великобритания, 2, 1.09%
Великобритания
2 цитирования, 1.09%
Иран, 2, 1.09%
Иран
2 цитирования, 1.09%
Норвегия, 2, 1.09%
Норвегия
2 цитирования, 1.09%
Республика Корея, 2, 1.09%
Республика Корея
2 цитирования, 1.09%
Швейцария, 2, 1.09%
Швейцария
2 цитирования, 1.09%
Бангладеш, 1, 0.54%
Бангладеш
1 цитирование, 0.54%
Венгрия, 1, 0.54%
Венгрия
1 цитирование, 0.54%
Индонезия, 1, 0.54%
Индонезия
1 цитирование, 0.54%
Италия, 1, 0.54%
Италия
1 цитирование, 0.54%
Канада, 1, 0.54%
Канада
1 цитирование, 0.54%
Малайзия, 1, 0.54%
Малайзия
1 цитирование, 0.54%
Палестина, 1, 0.54%
Палестина
1 цитирование, 0.54%
Польша, 1, 0.54%
Польша
1 цитирование, 0.54%
Словакия, 1, 0.54%
Словакия
1 цитирование, 0.54%
Узбекистан, 1, 0.54%
Узбекистан
1 цитирование, 0.54%
Финляндия, 1, 0.54%
Финляндия
1 цитирование, 0.54%
Чехия, 1, 0.54%
Чехия
1 цитирование, 0.54%
10
20
30
40
50
60
70
80
  • Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
  • Статистика пересчитывается раз в сутки.